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公开(公告)号：CN120035175A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202410874202.2
申请日：2024-07-02
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体装置。提供能抑制耐压下降的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含具有第1面的支撑体、第1～4导电部和半导体层。从第1面往第1导电部的方向沿着第1方向。第2导电部在第2方向与第1导电部远离。半导体层位于第1导电部与第2导电部之间。半导体层包含对置区域和第1半导体区域。第3导电部在第3方向上远离第2导电部一部分和对置区域。第4导电部在第3方向远离第1半导体区域。第1半导体区域包含第1上端区域、第1下端区域和第1中间区域。第1上端区域的第1导电类型的杂质浓度比第1中间区域的第1导电类型的杂质浓度高。第1下端区域的第1导电类型的杂质浓度比第1中间区域的第1导电类型的杂质浓度高。
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公开(公告)号：CN113224161B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202010952414.X
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/336 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能够提高特性。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3半导体区域、第1部件以及第1绝缘部件。从第1部分区域向第1部件的方向沿着第1方向。从第3部分区域向第1部件的方向沿着第2方向。所述第1部件与第1部分区域电连接。第1部件与第2电极电连接或者能够与所述第2电极电连接。第1部件的电阻率高于所述第1部分区域的电阻率且低于第1绝缘部件的电阻率。
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公开(公告)号：CN115050833A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110953890.8
申请日：2021-08-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第一电极、第二电极、第三电极、第一导电部件及第一绝缘部件。从第一电极向第二电极的方向沿着第一方向。第一绝缘部件包含第一位置、第二位置及第三位置。从第一导电部件端部向第一位置的方向沿着第二方向。第一位置在第一方向上位于第一电极与第二位置之间。第三位置在第一方向上位于第一位置与第二位置之间。第一元素包含从由氢、氦、氩和碳构成的组中选择的至少1种。第三位置处的第一元素的第三浓度高于第一位置处的第一元素的第一浓度，且高于第二位置处的第一元素的第二浓度。
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公开(公告)号：CN113345961A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202010950518.7
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/47 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1导电部、第2导电部、第1半导体区域、第3导电部以及第1绝缘部。从第1导电部向第2导电部的方向沿着第1方向。第1半导体区域为第1导电类型。第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域以及第3部分区域。从第1部分区域向第2部分区域的第2方向与第1方向交叉。第3部分区域在第1方向上处于第1部分区域与第2导电部之间。第3部分区域包括与第2导电部对置的对置面。第3部分区域与第2导电部肖特基接触。从对置面向第3导电部的方向沿着第2方向。第1绝缘部包括第1绝缘区域。第1绝缘区域中的至少一部分处于对置面与第3导电部之间。
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公开(公告)号：CN119677141A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410217287.7
申请日：2024-02-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够降低导通电阻的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1～3导电部、第1绝缘部以及半导体部。第2导电部在第1方向上与第1导电部分离。第3导电部在与第1方向交叉的第2方向上与第2导电部的一部分排列。第1绝缘部包括设置于第2导电部的一部分与第3导电部之间的第1绝缘区域。半导体部包括第1、2半导体区域，是第1导电类型。第1半导体区域设置于第1导电部与第2导电部之间。第2半导体区域设置于第2导电部的一部分与第1绝缘区域之间且与第2导电部肖特基接合。在第2导电部和第2半导体区域的界面，第1杂质偏析。在第1导电类型为n型的情况下，第1杂质包含从由砷、磷、锑以及镁构成的群选择的至少1种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113345961B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202010950518.7
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/47 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1导电部、第2导电部、第1半导体区域、第3导电部以及第1绝缘部。从第1导电部向第2导电部的方向沿着第1方向。第1半导体区域为第1导电类型。第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域以及第3部分区域。从第1部分区域向第2部分区域的第2方向与第1方向交叉。第3部分区域在第1方向上处于第1部分区域与第2导电部之间。第3部分区域包括与第2导电部对置的对置面。第3部分区域与第2导电部肖特基接触。从对置面向第3导电部的方向沿着第2方向。第1绝缘部包括第1绝缘区域。第1绝缘区域中的至少一部分处于对置面与第3导电部之间。
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公开(公告)号：CN115440819A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210069128.8
申请日：2022-01-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1导电构件半导体构件以及第1绝缘构件。第1绝缘构件包括第1～第3位置。第1绝缘构件在第3位置处包含第1元素，该第1元素包括从包括氮、铝、铪以及锆的群选择的至少一个元素。第1绝缘构件在第1位置以及第2位置处不包含第1元素。或者，第1位置处的第1元素的浓度以及第2位置处的第1元素的浓度分别比第3位置处的第1元素的浓度低。
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公开(公告)号：CN101064114A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710102315.7
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件以及磁存储器，即使进行微观化也具有热稳定性，并且可以用低电流密度实现磁记录层的磁化反转。该磁阻效应元件具备：磁化方向固定的磁化固定层；磁化方向可变的磁化自由层；设置在磁化固定层与磁化自由层之间的隧道绝缘层；设置在磁化固定层的、与隧道绝缘层相反的一侧的第1反铁磁性层；以及设置在磁化自由层的、与隧道绝缘层相反的一侧，并且膜厚比第1反铁磁性层薄的第2反铁磁性层，其中，通过向磁化自由层注入自旋极化后的电子，可以使磁化自由层的磁化方向反转。
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公开(公告)号：CN1811984A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610002435.5
申请日：2006-01-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/16 , H01L43/08
Abstract: 根据本发明的一种自旋注入磁随机存取存储器，包括磁电阻元件，该磁电阻元件具有其磁化方向固定的磁性固定层、其磁化方向可以通过注入自旋极化电子改变的磁性记录层、和提供在磁性固定层和磁性记录层之间的隧道势垒层；位线，该位线使自旋注入电流通过磁电阻元件，自旋注入电流用于产生自旋极化的电子；写入字线，辅助电流通过该写入字线，辅助电流用于沿着磁电阻元件的易磁化轴方向产生辅助磁场；以及驱动器/吸收器，该驱动器/吸收器确定自旋注入电流的方向和辅助电流的方向。
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公开(公告)号：CN113540242B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202110052353.6
申请日：2021-01-15
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第1半导体构件、第2半导体构件、第3半导体构件、第3电极、第1导电构件以及绝缘构件。连接构件的至少一部分处于第2半导体构件的第1半导体区域与第3电极之间。绝缘构件的第5部分处于第1半导体区域与连接构件之间。第5部分与第1半导体区域以及连接构件相接。
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