公开(公告)号：CN114628518A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202110947803.8

申请日：2021-08-18

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 小林勇介 ,  牛流章弘 ,  下条亮平 ,  雁木比吕 ,  井口智明 ,  马场祥太郎 ,  西胁达也 ,  可知刚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/32 ,  H01L29/06

Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、第1导电部件及第1绝缘部件。半导体部件的第4半导体区域中的缺陷密度比半导体部件的第1半导体区域的第1位置中的第1缺陷密度高。

公开(公告)号：CN115050833A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202110953890.8

申请日：2021-08-19

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 小林勇介 ,  井口智明 ,  雁木比吕 ,  根本宏树 ,  牛流章弘 ,  下条亮平 ,  可知刚 ,  西胁达也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第一电极、第二电极、第三电极、第一导电部件及第一绝缘部件。从第一电极向第二电极的方向沿着第一方向。第一绝缘部件包含第一位置、第二位置及第三位置。从第一导电部件端部向第一位置的方向沿着第二方向。第一位置在第一方向上位于第一电极与第二位置之间。第三位置在第一方向上位于第一位置与第二位置之间。第一元素包含从由氢、氦、氩和碳构成的组中选择的至少1种。第三位置处的第一元素的第三浓度高于第一位置处的第一元素的第一浓度，且高于第二位置处的第一元素的第二浓度。

公开(公告)号：CN107976100A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201710740100.1

申请日：2017-08-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 牛流章弘 ,  本乡卓也 ,  加藤光章 ,  加纳明 ,  广畑贤治

IPC: F28F1/00 ,  F25B39/00

CPC classification number: F24F1/16 ,  F24F11/30 ,  F24F13/30 ,  F24F2221/54 ,  F28D1/0477 ,  F28D11/00 ,  F28D11/06 ,  F28D2021/0068 ,  F28F1/006 ,  F28F1/025 ,  F28F1/325 ,  F28F9/268 ,  F28F13/08 ,  F28F13/10 ,  F28F13/187 ,  F28F2255/02 ,  F28F2265/16 ,  F28F2275/025 ,  F25B39/00

Abstract: 根据一种实施方式，一种热交换器包括：管，流体通过所述管流动；以及供应装置，其将所述流体供应至所述管。所述管包括：柔性部，其由于所述流体的流动而变形；以及缩窄部，其沿所述流体的流动方向定位在所述柔性部的下游侧。

公开(公告)号：CN117591848A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310172613.2

申请日：2023-02-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 雁木比吕 ,  田口安则 ,  中川英之 ,  井口智明 ,  小林勇介 ,  牛流章弘

IPC: G06F18/211 ,  G06F18/27 ,  G06N5/01 ,  G06N20/10

Abstract: 本实施方式涉及的信息处理装置具备：回归模型生成部，组合多个变量，生成多个含有两个以上所述变量的组在内的项，并利用所述多个项生成回归模型，所述回归模型对特性变量或者表示含有所述特性变量的目标函数的输出的目标变量进行回归；子群生成部，根据所述回归模型中包含的所述多个项的系数，生成至少一个在至少一个所述项中包含的所述变量的组即子群；以及子空间搜索处理部，根据所述目标函数的优化标准，对每个被所述子群覆盖的子空间进行搜索，生成含有所述多个变量的值的第一设计值数据。