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公开(公告)号：CN101836255B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200880113188.3
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，其是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，所述取向控制层由从所述基板侧起包含种子层、第1中间层和第2中间层的3层以上构成，构成所述第1中间层的晶粒分别外延生长于构成所述种子层的晶粒上，构成所述第2中间层的晶粒分别外延生长于构成所述第1中间层的晶粒上，并且，构成所述第2中间层的晶粒与构成所述第1中间层的晶粒相比已微细化。
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公开(公告)号：CN1567434A
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN200410003782.0
申请日：2004-01-30
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 竹尾昭彦
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/012 , G11B5/245 , G11B5/3156 , G11B5/3903 , G11B5/465 , G11B2005/001 , G11B2005/0013 , G11B2005/0016 , G11B2005/0029
Abstract: 一种磁头，可操作用于以垂直磁记录方式进行记录，该磁头具有记录磁极部分，该记录磁极部分具有软磁膜，并沿与垂直磁记录介质垂直的方向产生记录磁通，其中，记录磁极部分包括硬磁膜，用于沿磁道宽度方向向记录磁极部分的软磁膜稳定地施加具有相同极性的静磁场和交换耦合磁场。该记录磁极部分还可以具有插入在软磁膜和硬磁膜之间的非磁层。
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公开(公告)号：CN116705081A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202211524825.4
申请日：2022-11-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供一种磁盘装置，能够使写性能提高。根据实施方式，磁盘装置具备：磁盘；磁头，向所述磁盘的磁道写入数据；及控制器，进行磁头的定位，登记写入了所述数据的扇区的地址和所述地址下的所述头的定位误差，所述控制器判断是否登记了要写入所述数据的第1扇区的往前2个磁道的第2扇区的定位误差，在登记了所述第2扇区的定位误差的情况下，基于所述第2扇区的定位误差，关于所述第1扇区的定位误差设定容许写动作的第1阈值，判断所述第1扇区的定位误差是否超过了所述第1阈值，在所述第1扇区的定位误差超过了所述第1阈值的情况下停止所述写动作。
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公开(公告)号：CN112530465B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202010025987.8
申请日：2020-01-06
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供能够提高数据品质的磁盘装置以及写处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其具有主磁极、相对于所述主磁极在第1方向上空开间隙相对向的写屏蔽件、设置在所述间隙的第1辅助元件、以及在所述间隙中相对于所述第1辅助元件在与所述第1方向交叉的第2方向上排列设置第2辅助元件；以及控制器，其使得从所述第1辅助元件和所述第2辅助元件对所述盘产生不同的对所述盘的顽磁力给予影响的辅助能量。
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公开(公告)号：CN111261198B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201910634858.6
申请日：2019-07-15
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供一种长期可靠性高的磁记录再现装置以及磁记录方法。实施方式涉及的磁记录再现装置具有磁头和控制磁头的悬浮高度的系统。该系统包括主控制部、测定磁通控制层的电阻值的电阻测定部、求出相对于初始电阻值的电阻值变化率的运算部、与电阻值变化率对应地决定记录用悬浮高度的决定部以及控制磁头的悬浮高度的悬浮高度控制部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112053706A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010980756.2
申请日：2018-07-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供磁盘装置。实施方式提供能够高效地写入数据的磁盘装置。实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其将所述盘区分为所述头相对于所述盘的圆周方向的斜交角在第1角度以内变化的第1区域和所述斜交角在从比所述第1角度大的第2角度到比所述第1角度以及所述第2角度大的第3角度变化的第2区域，所述盘的所述第2区域与所述第1区域相比热稳定性高。
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公开(公告)号：CN104732987A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410165545.8
申请日：2014-04-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/8408 , C25D1/10 , G03F1/00 , G03F7/00 , G11B5/855 , H01L21/263 , H01L21/2633 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/31116
Abstract: 本发明的目的在于得到图案尺寸精度良好的图案形成方法。根据实施方式，可得到一种图案形成方法，其中，包含：在基板上形成被加工层的工序；将含有金属微粒与溶剂的金属微粒涂敷液涂敷到被加工层上以形成金属微粒层的工序；通过第1蚀刻降低金属微粒周围的保护基量的工序；暴露于包含C与F的气体中并使气体吸附于金属微粒周围而形成保护层的工序；以及通过第2蚀刻将凸图案向该被加工层复制的工序。
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公开(公告)号：CN104700850A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410742467.3
申请日：2014-12-05
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/84
Abstract: 本发明的实施方式提供一种抑制磁性粒子的粒径分散，具有良好的记录再生特性，能够高密度记录的垂直磁记录介质。实施方式涉及的垂直磁记录介质具有：基板、在基板上形成的基底层、和在基底层之上形成的以与膜面垂直的方向为易磁化轴的磁记录层。基底层具有间隔1nm～20nm的距离而排列的多个凸部。磁记录层包含以顶端从基底层的凸部表面开始扩大的方式分别形成的多个磁粒子，至少凸部侧的磁粒子被分离。
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公开(公告)号：CN101438345B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200780016454.6
申请日：2007-05-07
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 株式会社东芝 , 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供通过兼备垂直磁记录层的粒径微细化和垂直取向性而可进行高密度信息记录再生的磁记录介质、其制造方法以及磁记录再生装置。所述磁记录介质是在非磁性基板上至少具有衬里层、基底膜、中间层和垂直磁记录膜的垂直磁记录介质，其中，所述中间层的至少一层，由具有fcc结构的元素与具有bcc结构或hcp结构的元素的合金材料构成，并且，为兼具(111)取向的结晶结构和由fcc结构与bcc结构或hcp结构的混合所引起的层状不规整晶格(层积缺陷)的结构。另外，中间层的至少一层，由以选自Pt、Ir、Pd、Au、Ni和Co之中的至少一种为主成分的具有fcc结构的合金和具有bcc结构或hcp结构的元素的合金材料构成。
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公开(公告)号：CN101438345A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200780016454.6
申请日：2007-05-07
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 株式会社东芝 , 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供通过兼备垂直磁记录层的粒径微细化和垂直取向性而可进行高密度信息记录再生的磁记录介质、其制造方法以及磁记录再生装置。所述磁记录介质是在非磁性基板上至少具有衬里层、基底膜、中间层和垂直磁记录膜的垂直磁记录介质，其中，所述中间层的至少一层，由具有fcc结构的元素与具有bcc结构或hcp结构的元素的合金材料构成，并且，为兼具(111)取向的结晶结构和由fcc结构与bcc结构或hcp结构的混合所引起的层状无规则晶格(层叠缺陷)的结构。另外，中间层的至少一层，由以选自Pt、Ir、Pd、Au、Ni和Co之中的至少一种为主成分的具有fcc结构的合金和具有bcc结构或hcp结构的元素的合金材料构成。
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