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公开(公告)号：CN112530465A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010025987.8
申请日：2020-01-06
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供能够提高数据品质的磁盘装置以及写处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其具有主磁极、相对于所述主磁极在第1方向上空开间隙相对向的写屏蔽件、设置在所述间隙的第1辅助元件、以及在所述间隙中相对于所述第1辅助元件在与所述第1方向交叉的第2方向上排列设置第2辅助元件；以及控制器，其使得从所述第1辅助元件和所述第2辅助元件对所述盘产生不同的对所述盘的顽磁力给予影响的辅助能量。
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公开(公告)号：CN112530463B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201911369973.1
申请日：2019-12-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供能够实现精度高的伺服图案的写入的磁盘装置。实施方式的磁盘装置具备磁盘、第1读元件、第2读元件以及控制器。磁盘写入有所述第1伺服信息。所述控制器基于所述第1伺服信息来执行向所述磁盘写入第2伺服信息的伺服写的控制。另外，所述控制器执行通过所述第1读元件取得所述第1伺服信息的控制。并且，所述控制器执行基于通过所述第1读元件所取得的所述第1伺服信息的品质来将在所述伺服写的控制中所使用的读元件从所述第1读元件切换为所述第2读元件的控制。
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公开(公告)号：CN112530463A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201911369973.1
申请日：2019-12-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供能够实现精度高的伺服图案的写入的磁盘装置。实施方式的磁盘装置具备磁盘、第1读元件、第2读元件以及控制器。磁盘写入有所述第1伺服信息。所述控制器基于所述第1伺服信息来执行向所述磁盘写入第2伺服信息的伺服写的控制。另外，所述控制器执行通过所述第1读元件取得所述第1伺服信息的控制。并且，所述控制器执行基于通过所述第1读元件所取得的所述第1伺服信息的品质来将在所述伺服写的控制中所使用的读元件从所述第1读元件切换为所述第2读元件的控制。
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公开(公告)号：CN112530465B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202010025987.8
申请日：2020-01-06
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供能够提高数据品质的磁盘装置以及写处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其具有主磁极、相对于所述主磁极在第1方向上空开间隙相对向的写屏蔽件、设置在所述间隙的第1辅助元件、以及在所述间隙中相对于所述第1辅助元件在与所述第1方向交叉的第2方向上排列设置第2辅助元件；以及控制器，其使得从所述第1辅助元件和所述第2辅助元件对所述盘产生不同的对所述盘的顽磁力给予影响的辅助能量。
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公开(公告)号：CN117672273A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211711140.0
申请日：2022-12-29
Applicant: 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 铃木启之
Abstract: 提供能够将多个基准图案以互相不交叉的合适的间隔向磁盘写入的可靠性优异的磁盘装置及其基准图案写入方法。检测螺旋图案的写入位置的偏离，在使得该偏离消失的方向上逐次修正规定速度，基于该修正规定速度来写入各螺旋图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110890108A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201811440831.5
申请日：2018-11-29
Applicant: 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供能够提高读取/写入处理的精度的磁盘装置。实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其具有向所述盘写入数据的写入头和从所述盘读取数据的第1读取头及第2读取头；以及控制器，其基于所述盘的半径方向的各位置处的所述第1读取头及所述第2读取头的所述半径方向的第1间隔来检测与所述盘的各磁道对应的各磁道间距的第1误差，基于修正所述第1误差的第1修正值将伺服图形写入所述盘，基于所述伺服图形对所述头进行定位。
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公开(公告)号：CN101800146B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010155620.4
申请日：2007-12-27
Abstract: 本发明提供一种图像显示装置、图像显示装置的制造方法和功能膜。该图像显示装置包括：具有电子发射器件的第一基板；具有与电子发射器件相对的阳极电极的第二基板，其中阳极电极由通过电阻彼此连接的多个金属背组成；和被设置在第二基板的第二面侧的导电层，该第二面是第二基板的第一面的相反面，该第一面位于第一基板侧。其中，导电层的电位被设为比显示图像时的阳极电极的电位低；并且导电层的表面电阻比阳极电极的表面电阻高。
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公开(公告)号：CN1570771A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410055265.8
申请日：2004-02-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y10/00 , G03F7/2041 , G03F7/70325 , G03F7/70341 , G03F7/7035 , H01L21/0274 , Y10S438/942
Abstract: 提供一种曝光方法，实现了不会损伤光掩模和抗蚀剂层并对光源的波长没有限制的微细曝光。在使上层抗蚀剂13和具有铬膜22的光掩模20靠近来对上述上层抗蚀剂13进行曝光的曝光方法中，具有尺寸小于来自光源振荡的光的波长的开口部23的上述铬膜22通过纯水膜15与上述上层抗蚀剂13靠近，利用近场光K在与上述开口部23相对应的位置上对上述上层抗蚀剂13进行曝光。
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公开(公告)号：CN1325997C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200410055265.8
申请日：2004-02-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y10/00 , G03F7/2041 , G03F7/70325 , G03F7/70341 , G03F7/7035 , H01L21/0274 , Y10S438/942
Abstract: 提供一种曝光方法，实现了不会损伤光掩模和抗蚀剂层并对光源的波长没有限制的微细曝光。在使上层抗蚀剂(13)和具有铬膜(22)的光掩模(20)靠近来对上述上层抗蚀剂(13)进行曝光的曝光方法中，具有尺寸小于来自光源振荡的光的波长的开口部(23)的上述铬膜(22)通过纯水膜(15)与上述上层抗蚀剂(13)靠近，利用近场光(K)在与上述开口部(23)相对应的位置上对上述上层抗蚀剂(13)进行曝光。
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公开(公告)号：CN1763983A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510106305.1
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明的发光元件在表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。
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