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公开(公告)号：CN101438345B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200780016454.6
申请日：2007-05-07
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 株式会社东芝 , 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供通过兼备垂直磁记录层的粒径微细化和垂直取向性而可进行高密度信息记录再生的磁记录介质、其制造方法以及磁记录再生装置。所述磁记录介质是在非磁性基板上至少具有衬里层、基底膜、中间层和垂直磁记录膜的垂直磁记录介质，其中，所述中间层的至少一层，由具有fcc结构的元素与具有bcc结构或hcp结构的元素的合金材料构成，并且，为兼具(111)取向的结晶结构和由fcc结构与bcc结构或hcp结构的混合所引起的层状不规整晶格(层积缺陷)的结构。另外，中间层的至少一层，由以选自Pt、Ir、Pd、Au、Ni和Co之中的至少一种为主成分的具有fcc结构的合金和具有bcc结构或hcp结构的元素的合金材料构成。
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公开(公告)号：CN101438345A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200780016454.6
申请日：2007-05-07
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 株式会社东芝 , 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供通过兼备垂直磁记录层的粒径微细化和垂直取向性而可进行高密度信息记录再生的磁记录介质、其制造方法以及磁记录再生装置。所述磁记录介质是在非磁性基板上至少具有衬里层、基底膜、中间层和垂直磁记录膜的垂直磁记录介质，其中，所述中间层的至少一层，由具有fcc结构的元素与具有bcc结构或hcp结构的元素的合金材料构成，并且，为兼具(111)取向的结晶结构和由fcc结构与bcc结构或hcp结构的混合所引起的层状无规则晶格(层叠缺陷)的结构。另外，中间层的至少一层，由以选自Pt、Ir、Pd、Au、Ni和Co之中的至少一种为主成分的具有fcc结构的合金和具有bcc结构或hcp结构的元素的合金材料构成。
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公开(公告)号：CN101836255A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200880113188.3
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，其是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，所述取向控制层由从所述基板侧起包含种子层、第1中间层和第2中间层的3层以上构成，构成所述第1中间层的晶粒分别外延生长于构成所述种子层的晶粒上，构成所述第2中间层的晶粒分别外延生长于构成所述第1中间层的晶粒上，并且，构成所述第2中间层的晶粒与构成所述第1中间层的晶粒相比已微细化。
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公开(公告)号：CN101836255B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200880113188.3
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，其是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，所述取向控制层由从所述基板侧起包含种子层、第1中间层和第2中间层的3层以上构成，构成所述第1中间层的晶粒分别外延生长于构成所述种子层的晶粒上，构成所述第2中间层的晶粒分别外延生长于构成所述第1中间层的晶粒上，并且，构成所述第2中间层的晶粒与构成所述第1中间层的晶粒相比已微细化。
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公开(公告)号：CN105340066A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480035167.X
申请日：2014-06-17
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 佐佐木有三
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , B24B37/005 , B24B37/08 , C09G1/02 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/0475 , B24B37/08 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02013 , H01L21/02024 , H01L21/30625
Abstract: 一种SiC基板的制造方法，至少具备CMP工序，所述CMP工序是采用CMP(机械化学研磨)法，对SiC基板(1)所具备的Si面(1a)和C面(1b)这两面，将C面/Si面加工选择比设为3.0以上来实施两面研磨加工的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101606197A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200880004342.3
申请日：2008-01-16
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/8404 , G11B5/7325
Abstract: 在至少具有非磁性基底上的软磁背层、底层、中间层以及垂直磁记录层的垂直磁记录介质中，所述中间层中的至少一个层包含作为主成分元素的Re并包含作为第二主成分元素的具有hcp结构的元素或具有bcc结构的元素。作为所述中间层的主成分元素的Re的浓度在从55到99.5原子百分比的范围内。所述第二主成分元素为Co或Cr。
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公开(公告)号：CN104854683A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201380065498.3
申请日：2013-11-28
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 佐佐木有三
IPC: H01L21/3065 , C30B29/36
CPC classification number: H01L21/0475 , C30B29/36 , C30B33/00 , C30B33/12 , H01L21/02019 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L29/1608
Abstract: 一种SiC基板的制造方法，具备：牺牲膜形成工序，该工序在SiC基板的表面形成膜厚为表面的最大高低差以上的牺牲膜；牺牲膜平坦化工序，该工序通过机械加工将牺牲膜的表面平坦化；和SiC基板平坦化工序，该工序通过在SiC基板与牺牲膜的蚀刻选择比成为0.5～2.0的范围的条件下进行干式蚀刻，在除去牺牲膜的同时将SiC基板的所述表面平坦化。
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公开(公告)号：CN101689375A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880021665.3
申请日：2008-04-28
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明涉及磁记录介质、其制造方法及磁记录再生装置。作为在非磁性基板上具有衬底层、基底层、中间层和至少1层垂直磁记录层的垂直磁记录介质，所述垂直磁记录层包含Co及Cr，其至少1层为由强磁性的晶粒和非磁性的氧化物的晶界构成的颗粒结构，构成该晶界的氧化物包含W氧化物。作为其他方式，使所述垂直磁记录层具有多层颗粒结构，所述多层颗粒结构具有以W氧化物为晶界的磁记录层、和形成于其上的以Cr氧化物、Si氧化物、Ta氧化物或Ti氧化物为晶界的磁记录层。该磁记录介质垂直磁性层的垂直取向性优，且具有强磁性晶粒的平均粒径极其微细的特性，高记录密度特性优。
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公开(公告)号：CN104854683B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201380065498.3
申请日：2013-11-28
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 佐佐木有三
IPC: H01L21/3065 , C30B29/36
CPC classification number: H01L21/0475 , C30B29/36 , C30B33/00 , C30B33/12 , H01L21/02019 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L29/1608
Abstract: 一种SiC基板的制造方法，具备：牺牲膜形成工序，该工序在SiC基板的表面形成膜厚为表面的最大高低差以上的牺牲膜；牺牲膜平坦化工序，该工序通过机械加工将牺牲膜的表面平坦化；和SiC基板平坦化工序，该工序通过在SiC基板与牺牲膜的蚀刻选择比成为0.5～2.0的范围的条件下进行干式蚀刻，在除去牺牲膜的同时将SiC基板的所述表面平坦化。
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公开(公告)号：CN104838478B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201380064310.3
申请日：2013-11-27
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02019 , H01L21/02013 , H01L21/02024 , H01L29/1608
Abstract: 本发明的SiC基板的制造方法，至少具备：氧化膜形成工序，该工序以覆盖SiC基板(1)的表面(1a)的方式形成氧化膜(10)；和平坦化工序，该工序通过采用CMP法从氧化膜(10)侧对SiC基板(1)实施研磨来除去该氧化膜(10)，并且，通过研磨SiC基板(1)的表面(1a)来将该表面(1a)平坦化。
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