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公开(公告)号:CN114720920B
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202110966326.X
申请日:2021-08-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01R33/09
Abstract: 提供能提高灵敏度的磁传感器以及检查装置。根据实施方式,磁传感器包括第1传感器部。所述第1传感器部包括:第1磁性部件;第1对置磁性部件,从所述第1磁性部件朝向所述第1对置磁性部件的方向沿着第1方向;以及第1磁元件,其包括一个或者多个第1延伸部。所述第1延伸部包括第1磁性层、第1对置磁性层以及第1非磁性层。所述第1磁性层包括第1部分、第1对置部分以及第1中间部分。从所述第1部分朝向所述第1对置部分的方向沿着所述第1方向。所述第1中间部分位于所述第1部分与所述第1对置部分之间。所述第1非磁性层在与所述第1方向交叉的第2方向上位于所述第1中间部分的至少一部分与所述第1对置磁性层之间。
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公开(公告)号:CN114594415A
公开(公告)日:2022-06-07
申请号:CN202110974059.0
申请日:2021-08-24
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01R33/09
Abstract: 提供能够实现灵敏度的提高的磁传感器及检查装置。根据实施方式,磁传感器具备第1~第4磁元件、第1~第4导电部件及第1~第5磁性部件。第1磁元件及第1导电部件与第1磁性部件与第3磁性部件之间的区域重叠。所述第2磁元件及第2导电部件与第4磁性部件与第2磁性部件之间的区域重叠。第3磁元件及第3导电部件与第3磁性部件与第5磁性部件之间的区域重叠。第4磁元件及第4导电部件与第5磁性部件与第4磁性部件之间的区域重叠。
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公开(公告)号:CN107689417B
公开(公告)日:2020-09-29
申请号:CN201710123328.6
申请日:2017-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式,磁存储装置包括含金属层、第1磁性层、第2磁性层以及第1中间层。所述含金属层包含金属元素。所述第2磁性层设置于所述含金属层的一部分与所述第1磁性层之间。所述第1中间层包括设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的部分。所述第1中间层朝向所述含金属层成为凸状。
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公开(公告)号:CN104517615A
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201410040836.4
申请日:2014-01-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/23 , G11B5/1278 , G11B5/3116 , G11B5/3146 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明提供通过写入间隙的狭小化来提高记录分辨率和线记录密度的磁记录头及使用其的盘装置。根据实施方式,盘装置的记录头(58)具备:主磁极(60),其向记录介质的记录层施加记录磁场;写入屏蔽层(62),其隔着写入间隙与主磁极相对;记录线圈,其在主磁极产生磁场;和高频振荡器(65),其在主磁极的前端部和写入屏蔽层之间配置于写入间隙内。高频振荡器具有形成于主磁极上的中间层(74)和形成于该中间层上的振荡层(72)、自旋注入层(75)及界面磁性层(76),振荡层和自旋注入层在与写入间隙的间隙长度方向相交的方向上排列配置,自旋注入层与写入屏蔽层电连接。
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公开(公告)号:CN101542607A
公开(公告)日:2009-09-23
申请号:CN200880000647.7
申请日:2008-06-20
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据一个实施例,一种制造磁记录介质的方法包括以下步骤:在基底上形成凸出的磁图形;在所述磁图形之间的凹陷中以及在所述磁图形上沉积非磁性材料;以及使用含氧蚀刻气体回蚀刻所述非磁性材料,同时改良所述非磁性材料的表面。
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公开(公告)号:CN119446196A
公开(公告)日:2025-02-14
申请号:CN202410086490.5
申请日:2024-01-22
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本公开提供能够提高特性的磁头及磁记录装置。根据实施方式,磁头包括再现部。所述再现部包括第1屏蔽件、第2屏蔽件、第3屏蔽件、第4屏蔽件、第1磁性层、第1中间层及第2中间层。从所述第3屏蔽件朝向所述第4屏蔽件的第2方向与从所述第1屏蔽件朝向所述第2屏蔽件的第1方向交叉。所述第1磁性层设置在所述第1屏蔽件与所述第2屏蔽件之间、以及所述第3屏蔽件与所述第4屏蔽件之间。所述第1中间层设置在所述第1屏蔽件与所述第1磁性层之间,为非磁性。所述第2中间层设置在所述第1磁性层与所述第2屏蔽件之间,为非磁性。所述第2中间层的沿着所述第2方向的第2中间层长度比所述第1中间层的沿着所述第2方向的第1中间层长度短。
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公开(公告)号:CN114594415B
公开(公告)日:2025-01-28
申请号:CN202110974059.0
申请日:2021-08-24
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01R33/09
Abstract: 提供能够实现灵敏度的提高的磁传感器及检查装置。根据实施方式,磁传感器具备第1~第4磁元件、第1~第4导电部件及第1~第5磁性部件。第1磁元件及第1导电部件与第1磁性部件与第3磁性部件之间的区域重叠。所述第2磁元件及第2导电部件与第4磁性部件与第2磁性部件之间的区域重叠。第3磁元件及第3导电部件与第3磁性部件与第5磁性部件之间的区域重叠。第4磁元件及第4导电部件与第5磁性部件与第4磁性部件之间的区域重叠。
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公开(公告)号:CN114720920A
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202110966326.X
申请日:2021-08-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01R33/09
Abstract: 提供能提高灵敏度的磁传感器以及检查装置。根据实施方式,磁传感器包括第1传感器部。所述第1传感器部包括:第1磁性部件;第1对置磁性部件,从所述第1磁性部件朝向所述第1对置磁性部件的方向沿着第1方向;以及第1磁元件,其包括一个或者多个第1延伸部。所述第1延伸部包括第1磁性层、第1对置磁性层以及第1非磁性层。所述第1磁性层包括第1部分、第1对置部分以及第1中间部分。从所述第1部分朝向所述第1对置部分的方向沿着所述第1方向。所述第1中间部分位于所述第1部分与所述第1对置部分之间。所述第1非磁性层在与所述第1方向交叉的第2方向上位于所述第1中间部分的至少一部分与所述第1对置磁性层之间。
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