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公开(公告)号：CN108417633B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201710766839.X
申请日：2017-08-31
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 清水达雄
Abstract: 本发明涉及半导体装置、半导体装置的制造方法、逆变器电路、驱动装置、车辆以及升降机。提供一种半导体装置，该半导体装置能够降低碳化硅层与氧化硅层之间的界面能级密度，提高性能。实施方式的半导体装置具备：碳化硅层；以及氧化硅层，位于碳化硅层之上，包含磷(P)、砷(As)、锑(Sb)以及铋(Bi)的群中的至少一种元素，上述至少一种元素的至少一部分通过单键结合而与3个氧结合并通过双键结合而与1个氧结合。
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公开(公告)号：CN106024782B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201610119874.8
申请日：2016-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供半导体装置、逆变电路、驱动装置、车辆以及升降机。实施方式的半导体装置具备多个电路单元，该电路单元具有：基板；基板的第1侧的第1电极；在基板的第1侧与第1电极并列的第2电极；基板的第2侧的第3电极；以及第1开关元件和第2开关元件，在第1电极以及第2电极与第3电极之间的基板上并列，串联地电连接在第1电极与第2电极之间，在第1开关元件和第2开关元件之间电连接有第3电极，在邻接的两个电路单元中，一方的第1侧与另一方的第1侧邻接，一方的第2侧与另一方的第2侧邻接。
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公开(公告)号：CN106531807A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610772518.6
申请日：2016-08-30
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供阈值变动得到抑制的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1氮化物半导体层；源极电极，设置在第1氮化物半导体层上；漏极电极，设置在第1氮化物半导体层上；栅极电极，设置在源极电极与漏极电极之间；第1膜，设置在第1氮化物半导体层上的源极电极与栅极电极之间以及栅极电极与漏极电极之间，该第1膜的氢扩散系数比硅氧化膜的氢扩散系数低；以及第2膜，设置在第1膜上。
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公开(公告)号：CN104425616A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410427850.X
申请日：2014-08-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/41
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/049 , H01L29/42368 , H01L29/66068 , H01L29/7802
Abstract: 根据一个实施例，半导体器件包括第一半导体区、第二半导体区、第三半导体区、第一电极、第一绝缘部和第二绝缘部。该第一半导体区包括碳化硅，它是第一导电类型，并且包括第一部分和第二部分。该第二半导体区包括碳化硅，它是第二导电类型，并设于所述第二部分上。所述第三半导体区包括碳化硅，它是第一导电类型，并被设置在所述第二半导体区上。所述第一电极设置在所述第一部分和所述第三半导体区上。所述第一绝缘部设置在第三半导体区上，并与所述第一电极并列。该第二绝缘部设置在所述第一电极与所述第一部分之间以及所述第一电极和所述第一绝缘部之间。
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公开(公告)号：CN100565931C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200710086346.8
申请日：2007-03-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/788 , H01L29/51 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/42324 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/513 , H01L29/7885
Abstract: 本发明涉及一种非易失性半导体存储器件中的存储单元，其包括隧穿绝缘膜、由包含Si的导电材料制成的浮动栅电极、由稀土氧化物、稀土氮化物或稀土氧氮化物制成的电极间绝缘膜、控制栅电极、以及在浮动栅电极和电极间绝缘膜之间形成的金属硅化膜。
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公开(公告)号：CN101471385A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810190694.4
申请日：2008-12-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/792 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L27/115
CPC classification number: H01L29/792 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/513 , H01L29/517
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器，可以实现高速写入以及高速擦除。具备：半导体基板(1)；以及存储单元，该存储单元具有：在半导体基板中间隔开地形成的源区(2a)以及漏区(2b)；形成在成为源区与漏区之间的沟道区(3)的半导体基板上的隧道绝缘膜(6)；形成在隧道绝缘膜上的电荷积累膜(7)；形成在电荷积累膜上的电荷阻挡膜(8)；以及形成在电荷阻挡膜上的控制电极(10)，控制电极包括添加了从包括V、Cr、Mn、以及Tc的第一组中选择的至少一种元素并且添加了从包括F、H以及Ta的第二组中选择的至少一种元素的Hf氧化膜或Zr氧化膜。
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公开(公告)号：CN100492663C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200510052442.1
申请日：2005-02-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/513 , H01L21/02123 , H01L21/02142 , H01L21/022 , H01L21/28194 , H01L21/31604 , H01L21/31641 , H01L21/31645 , H01L21/31691 , H01L29/4966 , H01L29/51 , H01L29/517
Abstract: 半导体器件，具备：以Si为主要成分的半导体衬底；在上述半导体衬底上形成的有源元件，上述有源元件包含在上述半导体衬底上形成的绝缘性金属硅化物薄膜，上述半导体衬底的Si的悬挂键以由上述绝缘性金属硅化物薄膜进行了终端。
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公开(公告)号：CN119521712A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202410175641.4
申请日：2024-02-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第1电极、第2电极、第3电极、第1半导体部件、第2半导体部件、第1化合物部件以及第1绝缘部件。第1半导体部件包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x1＜1)。第2半导体部件包含Alx2Ga1‑x2N(0＜x2≤1、x1＜x2)。第1化合物部件包含Alz1Ga1‑z1N(0＜z1≤1、x2＜z1)。第1化合物部件的第3区域包含晶体。第1绝缘部件的第1绝缘部分的至少一部分以及第1绝缘部件的第2绝缘部分的至少一部分为非晶质。
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公开(公告)号：CN118198110A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311069409.4
申请日：2023-08-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供可得到稳定特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、半导体构件及第1绝缘构件。第1绝缘构件的第2绝缘区域包括与第1半导体区域的第3部分区域对置的第1面。第1绝缘构件的第3绝缘区域包括与第3部分区域对置的第2面。第1面包括第1电极侧的第1端。第2面包括第2电极侧的第2端。第2端的第2位置与第1端的第1位置不同。
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公开(公告)号：CN108321198B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201710766840.2
申请日：2017-08-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及半导体装置、电源电路、计算机和半导体装置的制造方法，提供能够抑制电流崩塌的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一氮化物半导体层，包含Ga；第二氮化物半导体层，设置于第一氮化物半导体层上，带隙比第一氮化物半导体层大，包含Ga；第一电极及第二电极，设置于第一氮化物半导体层上且与第一氮化物半导体层电连接；栅电极，设置于第一电极与第二电极之间；导电层，设置于第二氮化物半导体层上，与第二电极之间的第一距离小于第二电极与栅电极之间的第二距离，与第一电极或者栅电极电连接；第一氧化铝层，设置于栅电极与第二电极之间，设置于第二氮化物半导体层与导电层之间；氧化硅层；以及第二氧化铝层。
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