公开(公告)号：CN100492663C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200510052442.1

申请日：2005-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水达雄 ,  山口豪 ,  西川幸江

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517

Abstract: 半导体器件，具备：以Si为主要成分的半导体衬底；在上述半导体衬底上形成的有源元件，上述有源元件包含在上述半导体衬底上形成的绝缘性金属硅化物薄膜，上述半导体衬底的Si的悬挂键以由上述绝缘性金属硅化物薄膜进行了终端。

公开(公告)号：CN1677691A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510052442.1

申请日：2005-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水达雄 ,  山口豪 ,  西川幸江

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517

Abstract: 半导体器件，具备：以Si为主要成分的半导体衬底；在上述半导体衬底上形成的有源元件，上述有源元件包含在上述半导体衬底上形成的绝缘性金属硅化物薄膜，上述半导体衬底的Si的悬挂键以由上述绝缘性金属硅化物薄膜进行了终端。

公开(公告)号：CN101971337A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980108661.3

申请日：2009-03-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 荒木猛司 ,  塚本隆之 ,  山口豪

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

Abstract: 本公开提供了一种用于在具有高记录密度的非易失性信息记录/再现系统中使用的信息记录器件，所述器件包括在切换期间具有较少相分离等的电阻材料。本公开还提供了一种包括所述器件的信息记录/再现系统。本公开提供了一种信息记录器件，包括：电极对；以及在所述电极之间的记录层，所述记录层通过其电阻变化记录信息，所述记录层包括(a)M3Oz和(b)AxM3-xOz中的至少一种作为主要成分，在(a)和(b)中，z为代表从z＝4.5的氧缺乏的值，而在(b)中，x满足0.00＜x≤0.03。本公开还提供了包括所述器件的信息记录/再现系统。