公开(公告)号：CN112530923A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010074582.3

申请日：2020-01-22

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 吉冈启 ,  杉山亨 ,  岩井正明 ,  细川直范 ,  小野村正明 ,  洪洪 ,  矶部康裕

IPC: H01L25/16 ,  H02M7/537

Abstract: 实施方式提供噪声被降低的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1常关断晶体管，具有第1电极、第2电极和第1控制电极；常导通晶体管，具有经由第1布线而与第2电极电连接的第3电极、第4电极和第2控制电极；第2常关断晶体管，具有第5电极、经由第2布线而与第3电极电连接的第6电极和第3控制电极；第1二极管，具有与第2控制电极电连接的第1阳极和与第3电极电连接的第1阴极；以及电容器，具有与第1阳极及第2控制电极连接的第1端部和第2端部。

公开(公告)号：CN106206707A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510296856.2

申请日：2015-06-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 洪洪 ,  矶部康裕 ,  大麻浩平 ,  吉冈启

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/205

Abstract: 根据一个实施方式，半导体装置包括：第1半导体层，设置在基板上；第2半导体层，设置在第1半导体层上，包含n型杂质；第3半导体层，设置在第2半导体层上，电阻比第2半导体层大；第4半导体层，设置在第3半导体层上，包含氮化物半导体；以及第5半导体层，设置在第4半导体层上，包含带隙比第4半导体层大的氮化物半导体。

公开(公告)号：CN103681794A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310206392.2

申请日：2013-05-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 原田佳幸 ,  彦坂年辉 ,  吉田学史 ,  洪洪 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L29/205 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明涉及半导体晶片、半导体器件和用于制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种半导体晶片包括衬底、AlN缓冲层、基础层、第一高Ga成分层、高Al成分层、低Al成分层、中间单元和第二高Ga成分层。所述第一层在所述基础层上提供。所述高Al成分层在所述第一层上提供。所述低Al成分层在所述高Al成分层上提供。所述中间单元在所述低Al成分层上提供。所述第二层在所述中间单元上提供。所述第一层具有第一拉伸应变以及所述第二层具有大于所述第一拉伸应变的第二拉伸应变。备选地，所述第一层具有第一压缩应变，所述第二层具有小于所述第一压缩应变的第二压缩应变。

公开(公告)号：CN117832264A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202310227677.8

申请日：2023-03-10

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 安住壮纪 ,  洪洪

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40

Abstract: 实施方式的半导体装置包括：第一氮化物半导体层(12)，设置在基板(10)上；第二氮化物半导体层(13)，设置在第一氮化物半导体层(12)上，带隙比第一氮化物半导体层(12)大；源极电极(14)及漏极电极(15)，相互分离地设置在第二氮化物半导体层(13)上；栅极电极(16)，设置在第二氮化物半导体层(13)上，配置在源极电极(14)和漏极电极(15)之间；第一场板电极(SFP1)，设置在第二氮化物半导体层(13)上，配置在栅极电极(16)和漏极电极(15)之间，与源极电极(14)电连接；以及第二场板电极(SFP2)，设置在第一场板电极(SFP1)上，构成为朝向栅极电极(16)突出。

公开(公告)号：CN117747655A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202310175536.6

申请日：2023-02-28

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 杉山亨 ,  吉冈启 ,  小林仁 ,  洪洪 ,  矶部康裕 ,  关口秀树 ,  大野哲也 ,  小野村正明

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

Abstract: 实施方式涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具备氮化物半导体元件、第一二极管以及第二二极管，氮化物半导体元件包括导电性的安装基座、形成于安装基座之上的半导体基板、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一主电极、第二主电极、第一栅极电极和第二栅极电极，所述第一二极管包括与所述安装基座电连接的第一阳极电极和与所述第一主电极电连接的第一阴极电极，所述第二二极管包括与所述安装基座电连接的第二阳极电极和与所述第二主电极电连接的第二阴极电极。

公开(公告)号：CN115117166A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202110842431.2

申请日：2021-07-26

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 小林仁 ,  矶部康裕 ,  洪洪

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40

Abstract: 实施方式提供可靠性出色的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体层，具有元件区域和元件分离区域；第一绝缘膜，设置在半导体层上；第一电极，设置在第一绝缘膜上，并沿第一方向延伸；第二电极，设置在半导体层上，在与第一方向交叉的第二方向上排列并沿第一方向延伸；第三电极，设置在半导体层上，在第二方向上排列并沿第一方向延伸；第二绝缘膜，设置在第一绝缘膜与半导体层之间，沿第二方向夹着第三电极；第一场板电极，设置在第一电极上，与第一电极连接；第二场板电极，设置在第一场板电极上，与第二电极连接；以及第三场板电极，设置在第三电极上，与第三电极连接。第二绝缘膜从元件分离区域上延伸至元件区域上的一部分。

公开(公告)号：CN109509785B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN201810052145.4

申请日：2018-01-19

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 西胁达也 ,  一关健太郎 ,  相田喜久夫 ,  大麻浩平 ,  洪洪 ,  松叶博

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的实施方式提供能够提高具有沟槽场板构造的纵型晶体管的耐压的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：具有第1面和第2面的半导体层；第1电极；第2电极；在第1方向上延伸的多个第1沟槽；包围多个第1沟槽的第2沟槽；设置在第1沟槽中的栅极电极及第1场板电极；第1绝缘层，具有设置在第1沟槽中并具有第1膜厚的第1部分、具有比第1膜厚厚的第2膜厚的第2部分、和具有比第2膜厚厚的第3膜厚的第3部分；设置在第2沟槽中的第2场板电极；设置在第2沟槽中的第2绝缘层；设置在半导体层中的第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、以及第2导电型的第3半导体区域。

公开(公告)号：CN114172123A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202110029580.7

申请日：2021-01-11

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 杉山亨 ,  吉冈启 ,  洪洪 ,  矶部康裕 ,  小林仁 ,  大野哲也 ,  细川直范 ,  小野村正明 ,  岩井正明

IPC: H02H7/20 ,  H02H9/02 ,  H02H9/04 ,  H02M7/537

Abstract: 一种能应用于多种使用方案的半导体装置。半导体装置具备：半导体封装，半导体封装具有具备第一电极、第二电极和第一控制电极的n型沟道常断晶体管、具有电连接于第二电极的第三电极、第四电极和第二控制电极的常通晶体管、具有电连接于第二控制电极的第一阳极和电连接于第三电极的第一阴极的第一二极管及具有电连接于第一电极的第二阳极和电连接于第二电极的第二阴极的齐纳二极管；第一端子，设于半导体封装，电连接于第一电极；多个第二端子，电连接于第一电极，排列于第一方向上；第三端子，电连接于第四电极；多个第四端子，电连接于第一控制电极，排列于第一方向上；以及多个第五端子，电连接于第二控制电极，排列于第一方向上。

公开(公告)号：CN112532220A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010057939.7

申请日：2020-01-19

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 吉冈启 ,  杉山亨 ,  岩井正明 ,  细川直范 ,  小野村正明 ,  洪洪 ,  矶部康裕

IPC: H03K17/567 ,  H01L29/78

Abstract: 实施方式提供具有简易构造的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：常关断晶体管，具有第1电极、第2电极、以及第1控制电极；常开启晶体管，具有电连接于第2电极的第3电极、第4电极、以及第2控制电极；第1元件，具有电连接于第1控制电极的第1端部和电连接于第1电极的第2端部，包含第1电容成分；以及第2元件，具有电连接于第1控制电极以及第1端部的第3端部和第4端部，包含第2电容成分，在将常关断晶体管的阈值电压设为Vth，将常关断晶体管的最大栅极额定电压设为Vg＿max，将第4端部的电压设为Vg＿on，将第1电容成分设为Ca、第2电容成分设为Cb时，Vth＜(Cb/(Ca+Cb))Vg＿on＜Vg＿max。

公开(公告)号：CN111697063A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201910609701.8

申请日：2019-07-08

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 洪洪 ,  矶部康裕 ,  吉冈启 ,  杉山亨 ,  岩井正明 ,  细川直范 ,  小野村正明

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/778

Abstract: 实施方式提供一种开关特性优异的半导体装置。实施方式的半导体装置(100)具备第一氮化物半导体层(3)即沟道层，位于第一氮化物半导体层(3)之上且带隙比第一氮化物半导体层(3)大的第二氮化物半导体层(4)即阻挡层；位于第二氮化物半导体层(4)之上且与第一氮化物半导体层(3)电连接的第一电极(5)即源极电极；位于第一氮化物半导体层(3)之上且与第一氮化物半导体层(3)电连接的第二电极(7)即漏极电极；位于第一电极(5)与第二电极(7)之间的栅极电极(6)；位于第二氮化物半导体层上且高度与栅极电极(6)相同的第一场板电极(8)；以及位于第一场板电极(8)与第二电极(7)之间的第二场板电极(9)。