公开(公告)号：CN104917374A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410453507.2

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 仲敏行 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  大野哲也 ,  內原士 ,  安本恭章 ,  梁濑直子 ,  増子真吾 ,  小野祐

IPC: H02M3/155

CPC classification number: H02M3/33507 ,  H02M2001/0048 ,  H02M2001/007 ,  Y02B70/1491

Abstract: 本发明提供一种具备可以使常导通元件适当地动作的控制电路的电源电路。根据一实施方式，电源电路包括第一电路，该第一电路包含一个以上的第一开关元件以及控制所述第一开关元件的动作的第一控制电路，且输出第一电压。进而，所述电源电路包括第二电路，该第二电路包含包括常导通元件的一个以上的第二开关元件以及控制所述第二开关元件的动作的第二控制电路，且输出从所述第一电压产生的第二电压。进而，所述第二控制电路是基于所述第二电路内的第一节点的电压或电流的值，发送使所述第一电路输出所述第一电压的第一信号。进而，所述第一控制电路是通过根据所述第一信号来控制所述第一开关元件的动作，而使所述第一电压从所述第一电路输出。

公开(公告)号：CN101061634A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200680000322.X

申请日：2006-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 板谷和彦 ,  尾原亮一 ,  佐野贤也 ,  安本恭章 ,  梁濑直子

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/13 ,  H03H9/17 ,  H03H3/02

CPC classification number: H03H9/132 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02118 ,  H03H9/13 ,  H03H9/174 ,  Y10T29/42

Abstract: 一种薄膜压电谐振器，包括：具有腔的基底；在该腔的上面延伸的第一电极；位于该第一电极上的压电膜；以及位于该压电膜上的第二电极。该第二电极的外周部分覆盖在该腔上，且被锥角化，以具有小于等于30度的内角，该内角由其外周的部分以及其底部来限定。

公开(公告)号：CN101022271A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200710005320.6

申请日：2007-02-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 尾原亮一 ,  梁濑直子 ,  佐野贤也 ,  安本恭章 ,  板谷和彦

IPC: H03H9/17 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187

CPC classification number: H03H9/131 ,  H03H9/13 ,  H03H9/173 ,  H03H9/174 ,  H03H9/568 ,  H03H9/605 ,  H03H2003/0428 ,  H03H2003/0471

Abstract: 提供一种薄膜压电谐振器，具有：支撑基板和设置在上述支撑基板上、一部分由上述支撑基板来支撑、另一部分与上述支撑基板相离的层叠体；其特征在于，上述层叠体具有：以铝为主要成分的第1电极，层叠在上述第1电极上、以氮化铝为主要成分的压电膜，层叠在上述压电膜上、以密度大于等于铝密度1.9倍的金属为主要成分的第2电极。

公开(公告)号：CN1652458A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510006851.8

申请日：2005-01-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐野贤也 ,  尾原亮一 ,  梁濑直子 ,  安本恭章 ,  板谷和彦 ,  川久保隆 ,  丰田启 ,  莲沼正彦 ,  长野利彦 ,  阿部和秀 ,  西垣亨彦 ,  柴田浩延

IPC: H03H9/15

CPC classification number: H03H9/02015 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/094 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02094 ,  H03H9/173 ,  H03H9/174 ,  H03H9/175 ,  H03H9/542 ,  H03H9/582 ,  H03H9/605 ,  H03H2003/021 ,  H03H2003/023 ,  H03H2003/025 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49155

Abstract: 一种压电薄膜器件包括设置在衬底上的非晶态金属膜和设置在非晶态金属膜上的压电膜。压电膜的一个晶轴在垂直于非晶态金属的表面的方向上对齐。

公开(公告)号：CN104916692A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410397429.9

申请日：2014-08-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 增子真吾 ,  安本恭章 ,  梁濑直子 ,  汤元美树 ,  三村正人 ,  齐藤泰伸 ,  吉冈启 ,  藤本英俊 ,  内原士 ,  大野哲也 ,  仲敏行 ,  小野祐

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14515 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种能够实现电极的连接部分的电传导性或热传导性的提高的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备半导体芯片，该半导体芯片具有氮化物半导体层、以及设置于上述氮化物半导体层的控制电极、第一主电极和第二主电极。进而，上述装置具备支撑体，该支撑体具有基板、以及设置于上述基板的控制端子、第一主端子和第二主端子。进而，上述半导体芯片的上述控制电极、上述第一主电极以及上述第二主电极与上述支撑体相对置地设置于上述支撑体。进而，上述半导体芯片的上述控制电极、上述第一主电极以及上述第二主电极分别与上述支撑体的上述控制端子、上述第一主端子以及上述第二主端子电连接。

公开(公告)号：CN104465741A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410061074.6

申请日：2014-02-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安本恭章 ,  梁濑直子 ,  阿部和秀 ,  内原士 ,  齐藤泰伸 ,  仲敏行 ,  吉冈启 ,  小野祐 ,  大野哲也 ,  藤本英俊 ,  增子真吾 ,  古川大 ,  八木恭成 ,  汤元美树 ,  饭田敦子

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/872 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/045 ,  H01L29/205 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L29/778 ,  H01L29/41775

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备：GaN系半导体层，表面相对m面或a面具有0度以上5度以下的角度；第一电极，设置于上述表面，具有第一端部；以及第二电极，与第一电极分离地设置于上述表面，具有与第一端部对置的第二端部，连接第一端部的任意点和第二端部的任意点的线段的方向与GaN系半导体层的c轴方向不同。

公开(公告)号：CN104064562A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310322235.8

申请日：2013-07-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  内原士 ,  梁濑直子 ,  仲敏行 ,  大野哲也 ,  小野祐

IPC: H01L25/18 ,  H01L29/78 ,  H03K17/567

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/095 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种具备了稳定的整流特性的实施方式的半导体装置具备导电性基板；肖特基势垒二极管，具有阳极电极、阴极电极，安装为所述导电性基板和所述阳极电极电连接，所述导电性基板和所述阳极电极相对；场效应晶体管，在表面具有源极电极、漏极电极、以及栅极电极，安装为所述场效应晶体管背面与所述导电性基板相对。而且，源极电极与阴极电极电连接，栅极电极与阳极电极电连接。

公开(公告)号：CN104061848A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310394835.5

申请日：2013-09-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安本恭章 ,  梁濑直子 ,  尾原亮一 ,  增子真吾 ,  佐野贤也 ,  垣内赖人 ,  野田隆夫 ,  饭田敦子

IPC: G01B7/16

CPC classification number: G01L1/2293 ,  H01L24/05 ,  H01L27/0738 ,  H01L28/24 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7803 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，在半导体装置中半导体基板具有第1及第2区域。在上述半导体基板的上述第1区域中设有绝缘栅场效应晶体管。设有应变仪部，该应变仪部具有：长条的金属电阻体，设置在上述半导体基板的上述第2区域中的上述半导体基板的上表面的内侧；第1绝缘膜，设置在上述半导体基板与上述金属电阻体之间，延伸至上述半导体基板的上述上表面；以及第2绝缘膜，跨过上述金属电阻体而设置在上述第1绝缘膜上方。上述半导体基板载置于基板。

公开(公告)号：CN100530955C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610065357.3

申请日：2006-03-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 梁濑直子 ,  佐野贤也 ,  安本恭章 ,  尾原亮一 ,  板谷和彦

IPC: H03H9/17 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02 ,  H03H9/54

CPC classification number: H03H3/02 ,  H03H9/02125 ,  H03H9/02157 ,  H03H9/564 ,  H03H9/568 ,  H03H2003/023 ,  H03H2003/025

Abstract: 本发明涉及一种薄膜压电共振器以及滤波器。一种薄膜压电共振器包括衬底以及第一和第二激发部分。所述衬底包括第一和第二腔。所述第一激发部分设置在所述第一腔上，并包括依次层压的第一电极、第一压电材料以及第二电极。在所述第一电极、所述第一压电材料以及所述第二电极间的交叠区域限定所述第一激发部分的周边的轮廓。第一距离定义为从所述第一激发部分的端部到所述第一腔的开口端部的平均距离。所述第二激发部分设置在所述第二腔上，并包括依次层压的第三电极、第二压电材料以及第四电极。第二距离定义为从所述第二激发部分的端部到所述第二腔的开口端部的平均距离，并与所述第一距离不同。