公开(公告)号：CN101022132A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200710087967.8

申请日：2007-02-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 入泽寿史 ,  沼田敏典 ,  高木信一 ,  杉山直治

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78687

Abstract: 一种半导体器件，其中包括在多个表面上具有沟道的多栅极MIS晶体管，在绝缘膜(12)上的沿给定方向形成的岛状半导体层(21)的侧表面上的栅极绝缘薄膜(23)上形成栅电极(24)，并且形成源电极/漏电极(27a、27b)使其与半导体层(21)接触。半导体层(21)沿给定方向具有多个侧表面。由相邻的侧表面形成的所有的角均大于90°。垂直于给定方向的截面为垂直和水平对称。

公开(公告)号：CN103311393B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201210558342.6

申请日：2012-12-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  原田佳幸 ,  吉田学史 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L29/205 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/365 ,  H01L29/7783 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体元件和氮化物半导体晶片。根据一个实施例，氮化物半导体元件包括基础层、功能层和堆叠体。在基础层与功能层之间提供堆叠体。堆叠体包括第一堆叠中间层，所述第一堆叠中间层包括第一GaN中间层，Alx1Ga1-x1N(0

公开(公告)号：CN105304783A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510013137.5

申请日：2015-01-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 矶部康裕 ,  杉山直治

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7786

Abstract: 根据本发明的一种实施方式，半导体装置具有第一氮化物半导体层、本征氮化物半导体层、以及具有Al的第二氮化物半导体层。所述本征氮化物半导体层设置于所述第一氮化物半导体层的第一侧。所述第二氮化物半导体层设置于所述本征氮化物半导体层的与所述第一氮化物半导体层相对的一侧。所述第一氮化物半导体层在所述第一氮化物半导体层、所述本征氮化物半导体层以及所述第二氮化物半导体层层叠的方向上具有第一浓度和低于所述第一浓度的第二浓度重复出现的碳分布。

公开(公告)号：CN104253180A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410301753.6

申请日：2014-06-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  吉田学史 ,  名古肇 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体元件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体元件包括：层叠体；以及功能层。所述层叠体包括第一GaN层、第一层和第二GaN层。第一GaN层包括第一凸起。所述第一层设于第一GaN层上并且包含Si和Mg中的至少一种。第二GaN层设于所述第一层上并且包括第二凸起。所述第二凸起的底部的长度小于所述第一凸起的底部的长度。功能层设于所述层叠体上并且包括氮化物半导体。

公开(公告)号：CN103682008A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310331614.3

申请日：2013-08-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉田学史 ,  彦坂年辉 ,  原田佳幸 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L33/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/7786 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体晶片、氮化物半导体器件和制造氮化物半导体晶片的方法。一种氮化物半导体晶片包括硅衬底、层叠的多层单元、含硅单元和上层单元。所述硅衬底具有主表面。所述层叠的多层单元在所述主表面上提供。所述层叠的多层单元包括N个缓冲层。所述缓冲层包括第i缓冲层和在所述第i缓冲层上提供的第(i+1)缓冲层。所述第i缓冲层在平行于所述主表面的第一方向上具有第i晶格长度Wi。所述第(i+1)缓冲层在所述第一方向上具有第(i+1)晶格长度W(i+1)。所有所述缓冲层满足关系(W(i+1)-Wi)/Wi≤0.008。所述含硅单元在所述层叠的多层单元上提供。所述上层单元在所述含硅单元上提供。

公开(公告)号：CN103681794A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310206392.2

申请日：2013-05-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 原田佳幸 ,  彦坂年辉 ,  吉田学史 ,  洪洪 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L29/205 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明涉及半导体晶片、半导体器件和用于制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种半导体晶片包括衬底、AlN缓冲层、基础层、第一高Ga成分层、高Al成分层、低Al成分层、中间单元和第二高Ga成分层。所述第一层在所述基础层上提供。所述高Al成分层在所述第一层上提供。所述低Al成分层在所述高Al成分层上提供。所述中间单元在所述低Al成分层上提供。所述第二层在所述中间单元上提供。所述第一层具有第一拉伸应变以及所述第二层具有大于所述第一拉伸应变的第二拉伸应变。备选地，所述第一层具有第一压缩应变，所述第二层具有小于所述第一压缩应变的第二压缩应变。

公开(公告)号：CN100463192C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200610087750.2

申请日：2006-05-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 入沢寿史 ,  沼田敏典 ,  手塚勉 ,  杉山直治 ,  高木信一

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78687

Abstract: 一种半导体器件包括形成在绝缘层(12)上的半导体层上的n沟道MIS晶体管和p沟道MIS晶体管，其中，n沟道MIS晶体管的沟道由具有双轴拉应变的应变硅层(22)构成，而p沟道MIS晶体管的沟道由沿沟道长度方向具有单轴压应变的应变硅锗层(31)构成。

公开(公告)号：CN101202288A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200710198916.2

申请日：2007-12-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 入泽寿史 ,  高木信一 ,  杉山直治

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78684

Abstract: 半导体器件包括绝缘层(2)，以及被形成于绝缘层(2)上的，具有n沟道的n沟道MIS晶体管和具有p沟道的pMIS晶体管，其中n沟道MIS晶体管的n沟道是由具有沟道长度方向上单轴拉伸应变的Si层(10)形成，p沟道MIS晶体管的p沟道是由具有沟道长度方向上单轴压缩应变的SiGe或Ge层(20)形成，并且n沟道MIS晶体管和p沟道MIS晶体管中每一个的沟道长度方向都为 方向。

公开(公告)号：CN1873990A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610087750.2

申请日：2006-05-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 入沢寿史 ,  沼田敏典 ,  手塚勉 ,  杉山直治 ,  高木信一

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78687

Abstract: 一种半导体器件包括形成在绝缘层(12)上的半导体层上的n沟道MIS晶体管和p沟道MIS晶体管，其中，n沟道MIS晶体管的沟道由具有双轴拉应变的应变硅层(22)构成，而p沟道MIS晶体管的沟道由沿沟道长度方向具有单轴压应变的应变硅锗层(31)构成。

公开(公告)号：CN103682009B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310331650.X

申请日：2013-08-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉田学史 ,  彦坂年辉 ,  原田佳幸 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L33/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体晶片、氮化物半导体器件和制造氮化物半导体晶片的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体晶片包括：硅衬底；缓冲部，其被设置在所述硅衬底上；以及功能层，其被设置在所述缓冲部上且包含氮化物半导体。所述缓冲部包括包含氮化物半导体的第一到第n缓冲层（n是4或更大的整数）。所述第一到第n缓冲层中的第i缓冲层（i是1或更大且小于n的整数）具有在与所述第一缓冲层的主表面平行的第一方向上的晶格长度Wi。在所述第i缓冲层上设置的第（i+1）缓冲层具有在所述第一方向上的晶格长度W(i+1)。在所述第一到第n缓冲层中，所述第i缓冲层和所述第（i+1）缓冲层满足(W(i+1)‑Wi)/Wi≤0.008的关系。