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公开(公告)号：CN101546807A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910127673.2
申请日：2009-03-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/222
Abstract: 本发明涉及一种磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件(10)包括：底层(12)，具有取向在(001)面的立方或四方晶体结构；第一磁性层(13)，设于底层(12)上，具有垂直的磁各向异性，并且具有取向在(001)面的fct结构；非磁性层(14)，设于第一磁性层(13)上；以及第二磁性层(15)，设于该非磁性层(14)上，并且具有垂直的磁各向异性。底层(12)的面内晶格常数a1和第一磁性层(13)的面内晶格常数a2满足下式，其中b是第一磁性层(13)的Burgers矢量的幅度，v是第一磁性层(13)的弹性模量，hc是第一磁性层(13)的厚度：|×a1/2－a2|/a2＜b×{ln(hc/b)+1}/{2π×hc×(1+v)}。
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公开(公告)号：CN100476991C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN02148057.5
申请日：2002-10-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/02
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , H01L21/76895 , H01L43/08
Abstract: 半导体集成电路器件包括：单元晶体管、位线、单元内局部布线、和磁阻元件。上述单元内局部布线设置于上述位线的上方，并与上述单元晶体管的源/漏区的一方连接。上述磁阻元件设置于上述位线的上方，并与上述位线和上述单元内局部布线连接。
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公开(公告)号：CN101308901A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810109276.8
申请日：2008-03-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , H01L27/228 , Y10S977/935
Abstract: 本发明涉及磁致电阻效应元件和使用它的磁致电阻随机存取存储器。磁致电阻效应元件包括：第一磁性层(3)，第二磁性层(2)和第一隔离层(4)。第一磁性层(3)具有不变的磁化方向。第二磁性层(2)具有可变的磁化方向，并且包含从Fe、Co和Ni中选择的至少一种元素，从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt和Au中选择的至少一种元素和从V、Cr和Mn中选择的至少一种元素。隔离层(4)在第一磁性层(3)和第二磁性层(2)之间形成，并且由非磁性材料构成。流经第一磁性层(3)、隔离层(4)和第二磁性层(2)的双向电流使得第二磁性层(2)的磁化方向可变。
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公开(公告)号：CN100350498C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN03155426.1
申请日：2003-09-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/15 , G11C11/16 , Y10T428/24917
Abstract: 提供一种磁电阻效应元件和磁存储器，具有热稳定的磁性结构、同时能降低写入信息时所必要的切换磁场。该磁电阻效应元件包括：磁化方向被固定的第一基准层；以及磁化方向随着外部磁场的变化而变化的存储层，该存储层有易磁化轴方向比难磁化轴方向长的本体部、和沿该本体部的中央部的难磁化轴方向设置的突出部。
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公开(公告)号：CN1489152A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN03155426.1
申请日：2003-09-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/15 , G11C11/16 , Y10T428/24917
Abstract: 提供一种磁电阻效应元件和磁存储器，具有热稳定的磁性结构、同时能降低写入信息时所必要的切换磁场。该磁电阻效应元件包括：磁化方向被固定的第一基准层；以及磁化方向随着外部磁场的变化而变化的存储层，该存储层有易磁化轴方向比难磁化轴方向长的本体部、和沿该本体部的中央部的难磁化轴方向设置的突出部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102176510B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201110103692.9
申请日：2008-03-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , H01L27/228 , Y10S977/935
Abstract: 本发明涉及磁电阻效应元件和使用它的磁电阻随机存取存储器。磁电阻效应元件包括：第一磁性层(3)，第二磁性层(2)和第一隔离层(4)。第一磁性层(3)具有不变的磁化方向。第二磁性层(2)具有可变的磁化方向，并且包含从Fe、Co和Ni中选择的至少一种元素，从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt和Au中选择的至少一种元素和从V、Cr和Mn中选择的至少一种元素。隔离层(4)在第一磁性层(3)和第二磁性层(2)之间形成，并且由非磁性材料构成。流经第一磁性层(3)、隔离层(4)和第二磁性层(2)的双向电流使得第二磁性层(2)的磁化方向可变。
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公开(公告)号：CN101399312B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200810215231.9
申请日：2008-09-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y25/00 , G11C11/161 , H01F10/123 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种磁电阻元件以及磁性存储器。磁电阻元件(10)包含：基底层(23)，其由具有NaCl构造、并且取向于(001)面的氮化物构成；第一磁性层(14)，其被设置在上述基底层(23)上，且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性，并且由具有L10构造、并且取向于(001)面的铁磁性合金构成；非磁性层(16)，其被设置在上述第一磁性层(14)上；以及第二磁性层(17)，其被设置在上述非磁性层(16)上，并且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性。
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公开(公告)号：CN100362591C
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN03108386.2
申请日：2003-03-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/15 , Y10T29/49021
Abstract: 一种写入布线开关电流小、离散小的磁存储装置，包括步骤：形成磁阻效应元件；形成第1绝缘膜使其覆盖上述磁阻效应元件；形成被覆膜使其覆盖上述第1绝缘膜；使上述磁阻效应元件的上面露出；在上述磁阻效应元件上形成上部写入布线；采用除去上述被覆膜的一部分或全部的方式使上述磁阻效应元件侧部的上述第1被覆膜露出；以及形成磁轭构造部件使其覆盖上述上部写入布线的至少侧部，同时与露出的上述第1绝缘膜接连。
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公开(公告)号：CN103069564A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201180039960.3
申请日：2011-09-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , H01F10/123 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明的磁阻效应元件具备:第1铁磁性层(12)，磁化相对于膜面大致垂直且可变；第2铁磁性层(16)，磁化相对于膜面大致垂直且不变；第1非磁性层(14)，设于第1铁磁性层与第2铁磁性层之间；第3铁磁性层(20)，设于相对于第2铁磁性层的与第1非磁性层的相反侧，具有与膜面大致平行的磁化，通过注入被自旋极化后的电子来产生旋转磁场；以及第2非磁性层(18)，设于第2铁磁性层与第3铁磁性层之间，使第1电流沿着从第3铁磁性层经由第2铁磁性层朝向第1铁磁性层的方向以及从第1铁磁性层经由第2铁磁性层朝向第3铁磁性层的方向中的一个方向流过，由此，通过由第3铁磁性层产生的旋转磁场，第1铁磁性层的磁化能够反转，并使具有与第1电流不同的电流密度的第2电流向一个方向流过，借助于通过第2铁磁性层被自旋极化后的电子，第1铁磁性层的磁化能够向与流过第1电流的情况不同的方向反转。
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公开(公告)号：CN101546807B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910127673.2
申请日：2009-03-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/222
Abstract: 一种磁阻元件(10)包括：底层(12)，具有取向在(001)面的立方或四方晶体结构；第一磁性层(13)，设于底层(12)上，具有垂直的磁各向异性，并且具有取向在(001)面的fct结构；非磁性层(14)，设于第一磁性层(13)上；以及第二磁性层(15)，设于该非磁性层(14)上，并且具有垂直的磁各向异性。底层(12)的面内晶格常数a1和第一磁性层(13)的面内晶格常数a2满足下式，其中b是第一磁性层(13)的Burgers矢量的幅度，ν是第一磁性层(13)的弹性模量，hc是第一磁性层(13)的厚度：
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