公开(公告)号：CN1207770C

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN01123650.7

申请日：2001-08-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田浩二 ,  上本康裕

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76264 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76286

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，在形成在第一绝缘膜104上的基板表面部分103中形成通到第一绝缘膜104的元件隔离用沟106以后，利用气相沉积法在元件隔离用沟106上沉积第二绝缘膜107。结果，彻底抑制了在SOI基板上形成沟槽型元件隔离结构时，由于作用在沟槽角等上的应力而引起的、出现在在元件形成区域的那一部分半导体层上的结晶缺陷。

公开(公告)号：CN1107345C

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN97121332.1

申请日：1994-08-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田浩二 ,  藤井英治 ,  嶋田恭博 ,  上本康裕 ,  那须徹 ,  松田明浩 ,  长野能久 ,  井上敦雄 ,  松浦武敏 ,  大槻逹男

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/324 ,  H01L21/30 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/40 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/75 ,  Y10S438/958

Abstract: 本发明提供一种在形成有集成电路的半导体基板上通过层间绝缘膜形成电容元件的半导体器件制造方法。本发明的半导体器件制造方法，在形成电极配线后还包括：形成覆盖所述电极配线的第二层间绝缘膜(59)的工序；除去位于所述电容元件上部的第二层间绝缘膜(59)的工序；热处理所述电容元件的工序；以及形成覆盖所述电极配线的保护膜(55)的工序。通过上述步骤，即便所增加的第二层间绝缘膜(59)中含氢等，也能够防止氢对电容元件造成不良影响。

公开(公告)号：CN102292814B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201080005463.7

申请日：2010-02-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤井觉 ,  有田浩二 ,  三谷觉 ,  三河巧

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L45/146 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273

Abstract: 本发明的非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(105)；和电阻变化层(104)，其位于第一电极(103)与第二电极(105)之间，电阻值根据施加在两个电极(103、105)之间的电信号可逆地变化，该电阻变化层(104)由含有第一钽氧化物的第一钽氧化物层(107)和含有含氧率与第一钽氧化物不同的第二钽氧化物的第二钽氧化物层(108)层叠构成，并且当将第一钽氧化物表示为TaOx时满足0＜x＜2.5，当将第二钽氧化物表示为TaOy时满足x＜y≤2.5，第二电极(105)与第二钽氧化物层(108)接触，并且第二电极(105)由铂和钽构成。

公开(公告)号：CN102428587A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201180002096.X

申请日：2011-03-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 早川幸夫 ,  有田浩二 ,  三河巧 ,  二宫健生

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L27/2409 ,  H01L45/146

Abstract: 一种电流控制元件，在被施加极性不同的电脉冲时也能够防止写入干扰的产生，而且能够在电阻变化元件流过大电流。该电流控制元件具有第1电极(32)、第2电极(31)、电流控制层(33)，电流控制层(33)由SiNx(0＜x≤0.85)构成，并且含有氢或者氟，而且在设氢或者氟的浓度为D(＝D0×1022atoms/cm3)、设电流控制层(33)的膜厚为d(nm)、设能够在第1电极(32)和第2电极(31)之间施加的电压的最大值为V0(V)时，D和x和d和V0满足(ln(10000(Cexp(αd)exp(βx))-1)/γ)2≤V0、(ln(1000(Cexp(αd)exp(βx))-1)/γ)2-(ln(10000(Cexp(αd)exp(βx))-1)/γ)2/2≥0，其中，C＝k1×D0k2、α、β、γ、k1和k2是常数。

公开(公告)号：CN101946321A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200980104930.9

申请日：2009-02-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三河巧 ,  川岛良男 ,  有田浩二 ,  二宫健生

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

Abstract: 一种非易失性半导体存储装置(100)，包括：形成有晶体管(101)的基板(102)；在所述基板上覆盖所述晶体管形成的第一层间绝缘层(103)；在所述第一层间绝缘层上形成、与所述晶体管的漏极电极(101a)或源极电极(101b)电连接的第一接触插头(104)或第二接触插头(105)；覆盖所述第一接触插头的至少一部分形成的电阻变化层(106)；在所述电阻变化层上形成的第一配线(107)；和覆盖所述第二接触插头的至少一部分形成的第二配线(108)，所述电阻变化层的端面和所述第一配线的端面在同一面内。

公开(公告)号：CN101816070A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200980100361.0

申请日：2009-05-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田浩二 ,  三河巧 ,  饭岛光辉 ,  冈田崇志

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明一种电流抑制元件、存储元件及它们的制造方法。该存储元件(3)包括：电阻变化元件(1)，其呈矩阵状地配置在存储装置上，其电阻值由于极性为正或负的电脉冲的施加而变化，并且该电阻变化元件(1)维持该变化后的电阻值；和电流抑制元件(2)，其在电脉冲被施加至电阻变化元件(1)时，抑制流动的电流，电流抑制元件(2)包括第一电极、第二电极、以及配置在第一电极和第二电极之间的电流抑制层。电流抑制层由SiNx构成，第一电极和第二电极中的至少一方由α-钨构成。

公开(公告)号：CN1189942C

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN01103798.9

申请日：2001-02-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  有田浩二 ,  内山洁

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L29/516 ,  G11C11/22 ,  G11C11/223 ,  H01L29/78391

Abstract: 一种半导体存储器件，当从能产生向上的极化或向下的残留极化的强电介质薄膜中读出对应极化状态的数据时，要在控制栅极上施加偏压，同时把有向下的残留极化的状态设为数据“1”，把从有向上的残留极化的状态到残留极化几乎不存在的状态设为数据“0”。通过把残留极化几乎不存在的状态设为数据“0”，使数据为“0”时的读出电流值近似为一固定值，所以能提高读出精度。并通过预先让一侧数据感应出轨迹来进一步提高读出精度。

公开(公告)号：CN1184666C

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN99808073.X

申请日：1999-06-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林慎一郎 ,  有田浩二

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L28/75 ,  C23C14/08 ,  H01L21/2855 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60

Abstract: 一种用在电子存储器(600，700，800)中的铁电薄膜电容器具有光滑的电极(412，422)，随着铁电电容器使用年限的增加，能有相对较强的极化强度、较小的疲劳以及较少的印记。通过DC反应溅射制成光滑的电极表面。

公开(公告)号：CN1180465C

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN01117608.3

申请日：1995-11-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上本康裕 ,  藤井英治 ,  有田浩二 ,  长野能久 ,  嶋田恭博 ,  吾妻正道 ,  井上敦雄 ,  井筒康文

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L28/40 ,  H01L28/56

Abstract: 本发明揭示一种集成电路用电容元件的其制造方法。该方法包括：在基片上形成钛膜的粘接层，在该粘接层表面形成氧化钛和扩散阻挡层，以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。

公开(公告)号：CN1113399C

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN97114973.9

申请日：1997-05-14

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  株式会社高纯度化学研究所 ,  西梅特里克司有限公司

Inventor： 宝地户雄幸 ,  门仓秀公 ,  松本政道 ,  有田浩二 ,  吾妻正道 ,  大槻达男

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C23C16/40 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1279 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56

Abstract: 以Bi的有机化合物和金属聚烷氧基化合物的混合物为原料，用CVD等分子沉积法或旋转涂布-烧结法在基板表面形成Bi层状结构的强电介质薄膜的方法。在收容槽1a和1b中分别封入Sr[Ta(OC2H5)6]2和Bi(OC(CH3)2C2H5)3。第1供给系统(1a，16a)保持在150℃，第2供给系统(1b、16b)保持在80℃，通过将载气N2流入第1和第2供给系统，将上述二原料的蒸汽导入成膜室5内。同时，向其导入氧气，在已加热的Si基片8上使上述二蒸汽热分解。