公开(公告)号：CN1082718C

公开(公告)日：2002-04-10

申请号：CN96107136.2

申请日：1996-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  上本康裕 ,  井上敦雄 ,  松浦武敏 ,  吾妻正道

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L29/92

Abstract: 本发明揭示一种内装以大介电常数电介质或强电介质为电容绝缘膜的电容元件的半导体器件及其制造方法中，包括将电容绝缘膜(6)的烧结工序的烧结温度保持在650℃，利用以5℃/分或10℃/分为到达烧结温度的升温率进行烧结，形成结晶粒(7)的平均粒径为12.8nm、粒径离散的标准偏差几乎为2.2nm的结晶大小的厚度约185nm的Ba0.7Sr0.3TiO3组成的电容绝缘膜(6)。提供了可靠性好的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN1107345C

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN97121332.1

申请日：1994-08-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田浩二 ,  藤井英治 ,  嶋田恭博 ,  上本康裕 ,  那须徹 ,  松田明浩 ,  长野能久 ,  井上敦雄 ,  松浦武敏 ,  大槻逹男

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/324 ,  H01L21/30 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/40 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/75 ,  Y10S438/958

Abstract: 本发明提供一种在形成有集成电路的半导体基板上通过层间绝缘膜形成电容元件的半导体器件制造方法。本发明的半导体器件制造方法，在形成电极配线后还包括：形成覆盖所述电极配线的第二层间绝缘膜(59)的工序；除去位于所述电容元件上部的第二层间绝缘膜(59)的工序；热处理所述电容元件的工序；以及形成覆盖所述电极配线的保护膜(55)的工序。通过上述步骤，即便所增加的第二层间绝缘膜(59)中含氢等，也能够防止氢对电容元件造成不良影响。

公开(公告)号：CN1203446C

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN00121638.4

申请日：2000-06-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 浅田浩明 ,  中根让治 ,  角辰己 ,  松浦武敏 ,  井上敦雄

IPC: G06K19/077

CPC classification number: G06K19/0701 ,  G06K19/0723 ,  H02M2001/0022 ,  H02M2001/0025

Abstract: 一种半导体集成电路，其驱动电源来自调制有数据的载波，该半导体集成电路的特征在于即使在所得到的电源电压已变为过电压时也能够正确地鉴别解调数据，并能够有效地利用载波提供的电源。该半导体集成电路包括：作为电源电路111的一个两电压整流器电路；控制用于解调数据的具有较高电压(VDDH)的电源不超过一定的电压值的一个稳压器电路112；一个电阻141；和一个电容器142。采用这种结构，作为参考电压输入到稳压器电路1121的电压随由幅度的变化引起的电压VDDH的变化而变化。

公开(公告)号：CN1079190C

公开(公告)日：2002-02-20

申请号：CN98102751.2

申请日：1998-07-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松浦武敏 ,  藤井英治 ,  森和弘

IPC: A01K5/02

CPC classification number: H04B1/0343 ,  A01K5/02 ,  A01K5/0275

Abstract: 一种自动给饵系统包括一附连在宠物身体上的一非接触标签；和一用于自动向宠物供饵的自动喂饵装置。该自动给饵装置通过电子波访问该非接触标签并自该非接触标签的信息存储装置获得信息。通过该系统，该自动给饵系统在最佳的条件下向宠物供饵。由于在确认宠物存在后将饵食提供给饵食盘，防止了饵食变腐。