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公开(公告)号：CN102859690B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201180010408.1
申请日：2011-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1226 , G11C13/0002 , G11C2213/77 , H01L27/2436 , H01L27/249 , H01L45/08 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 工艺较简单、能够制造具有稳定的存储性能的非易失性存储装置的制造方法包括：在基板（11）上交替地层叠含有过渡金属的多个导电层（13）和由绝缘材料构成的多个层间绝缘膜（17）而形成层叠构造体的工序；形成将上述层叠构造体贯通且使导电层（13）的一部分露出的接触孔的工序；将导电层（13）的露出在上述接触孔中的部分氧化、形成电阻值基于施加的电信号可逆地变化的电阻变化层（14）的工序；以及在上述接触孔中埋入导电材料、在上述接触孔中形成与电阻变化层（14）连接的柱状电极（12）的工序。
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公开(公告)号：CN101816070A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200980100361.0
申请日：2009-05-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/24 , H01L45/00
Abstract: 本发明一种电流抑制元件、存储元件及它们的制造方法。该存储元件(3)包括：电阻变化元件(1)，其呈矩阵状地配置在存储装置上，其电阻值由于极性为正或负的电脉冲的施加而变化，并且该电阻变化元件(1)维持该变化后的电阻值；和电流抑制元件(2)，其在电脉冲被施加至电阻变化元件(1)时，抑制流动的电流，电流抑制元件(2)包括第一电极、第二电极、以及配置在第一电极和第二电极之间的电流抑制层。电流抑制层由SiNx构成，第一电极和第二电极中的至少一方由α-钨构成。
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公开(公告)号：CN102473457A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201180002514.5
申请日：2011-06-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/003 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/76 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及的非易失性存储装置的驱动方法，包括：从多个存储单元(11)中检测过低电阻单元的步骤(S101)；将负载电阻(121)的电阻值变更为比第一电阻值低的第二电阻值的步骤(S103)；以及，通过向由过低电阻单元和具有第二电阻值的负载电阻(121)构成的串联电路施加电压脉冲，从而将过低电阻单元中包括的电阻变化元件(105)成为电阻值比所述第一低电阻状态高的第二高电阻状态的步骤(S104)。
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公开(公告)号：CN102077348B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201080001974.1
申请日：2010-04-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0002 , G11C2213/72 , H01L27/24
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和具备该非易失性存储元件的半导体存储装置。该非易失性存储装置即使在某个非易失性存储元件产生不良的情况下，也能够有效防止对于与不良的非易失性存储元件同一行或同一列的其他非易失性存储元件无法进行写入、读出。该非易失性存储元件，包括：具有非线性的电流-电压特性的电流控制元件(112)；基于施加的电压脉冲在低电阻状态和电阻值比低电阻状态高的高电阻状态之间可逆地转换的电阻变化元件(105)；和熔断器(103)。电流控制元件(112)、电阻变化元件(105)和熔断器(103)串联连接。熔断器(103)在电流控制元件(112)实质上成为短路状态时断开。
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公开(公告)号：CN101755338B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200880025026.4
申请日：2008-07-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/24 , H01L45/00
Abstract: 本发明提供电流限制元件、使用它的存储器装置及其制造方法。电流限制元件(10)被形成为，被第一电极层(12)和第二电极层(13)夹着的势垒层(11)的厚度方向的中央部(14)的势垒高度ΦA，比势垒层(11)与第一电极层(12)和第二电极层(13)的电极界面(17)附近的势垒高度ΦB大。此外，势垒层(11)例如由势垒层(11a)、(11b)、(11c)的3层结构构成，势垒层(11a)、(11b)、(11c)，例如由SiNx2、SiNx1、SiNx1(其中，X1＜X2)的SiN层形成。因此，势垒高度的形状呈阶段状地变化，在中央部(14)变高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102859690A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180010408.1
申请日：2011-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1226 , G11C13/0002 , G11C2213/77 , H01L27/2436 , H01L27/249 , H01L45/08 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 工艺较简单、能够制造具有稳定的存储性能的非易失性存储装置的制造方法包括：在基板（11）上交替地层叠含有过渡金属的多个导电层（13）和由绝缘材料构成的多个层间绝缘膜（17）而形成层叠构造体的工序；形成将上述层叠构造体贯通且使导电层（13）的一部分露出的接触孔的工序；将导电层（13）的露出在上述接触孔中的部分氧化、形成电阻值基于施加的电信号可逆地变化的电阻变化层（14）的工序；以及在上述接触孔中埋入导电材料、在上述接触孔中形成与电阻变化层（14）连接的柱状电极（12）的工序。
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公开(公告)号：CN102473707A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201180002654.2
申请日：2011-06-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/2409 , G11C13/0007 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/249 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1633
Abstract: 包括：以与衬底平行，由第一导电层(13)、半导体层(17)和第二导电层(18)构成的层叠体(21)与层间绝缘膜(16)交替层叠的层叠结构；被配置为在层叠方向上贯通所述层叠结构的多个柱状电极(12)；以及，根据被施加到柱状电极(12)与第一导电层(13)之间的电信号而发生电阻值的可逆变化的电阻变化层(14)，电阻变化层(14)是第一导电层(13)的一部分被氧化而形成的。通过一个氧化工艺，在形成电阻变化层(14)的同时，形成用于使半导体层(17)、第二导电层(18)分别与柱状电极(12)电分离的绝缘膜。
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公开(公告)号：CN102077348A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201080001974.1
申请日：2010-04-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0002 , G11C2213/72 , H01L27/24
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和具备该非易失性存储元件的半导体存储装置。该非易失性存储装置即使在某个非易失性存储元件产生不良的情况下，也能够有效防止对于与不良的非易失性存储元件同一行或同一列的其他非易失性存储元件无法进行写入、读出。该非易失性存储元件，包括：具有非线性的电流-电压特性的电流控制元件(112)；基于施加的电压脉冲在低电阻状态和电阻值比低电阻状态高的高电阻状态之间可逆地转换的电阻变化元件(105)；和熔断器(103)。电流控制元件(112)、电阻变化元件(105)和熔断器(103)串联连接。熔断器(103)在电流控制元件(112)实质上成为短路状态时断开。
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公开(公告)号：CN102473457B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201180002514.5
申请日：2011-06-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/003 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/76 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及的非易失性存储装置的驱动方法，包括：从多个存储单元(11)中检测过低电阻单元的步骤(S101)；将负载电阻(121)的电阻值变更为比第一电阻值低的第二电阻值的步骤(S103)；以及，通过向由过低电阻单元和具有第二电阻值的负载电阻(121)构成的串联电路施加电压脉冲，从而将过低电阻单元中包括的电阻变化元件(105)成为电阻值比所述第一低电阻状态高的第二高电阻状态的步骤(S104)。
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公开(公告)号：CN102301425B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201180000965.5
申请日：2011-02-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/0097 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L45/08 , H01L45/146
Abstract: 提供能够稳定地工作的电阻变化元件的驱动方法以及实施其方法的非易失性存储装置。具有：写入过程，通过提供第一极性的电压脉冲，从而使由含氧率不同的两个金属氧化物层层叠而构成的电阻变化层成为低电阻化；以及消去过程，通过提供与第一极性不同的第二极性的电压脉冲，从而成为高电阻化，在第一次至第N次的写入过程中的电压脉冲的电压值为Vw1、第(N+1)次以后的写入过程中的电压脉冲的电压值为Vw2、第一次至第M次的消去过程中的电压脉冲的脉冲宽度为te1、第(M+1)次以后的消去过程中的电压脉冲的脉冲宽度为te2的情况下，满足|Vw1|＞|Vw2|且te1＞te2，在第M次的消去过程之后，接着执行第(N+1)次的所述写入过程。
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