公开(公告)号：CN103219375A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310073522.X

申请日：2007-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  上野弘明 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/778 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8124

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。

公开(公告)号：CN102244097A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110162070.3

申请日：2006-12-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上野弘明 ,  柳原学 ,  上田哲三 ,  上本康裕 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/432 ,  H01L29/452 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体装置，此氮化物半导体装置中，在保证常非导通型的同时，且能够提高工作电流。该氮化物半导体装置，包括：在由蓝宝石构成的衬底(101)上顺次形成的，分别由氮化物半导体构成的缓冲层(102)、基层(103)、第一半导体层(104)、第二半导体层(105)和控制层(106)以及接触层(107)。还有，在第二半导体层(105)上的控制层(106)两侧的区域，形成了分别由钛及铝构成的源极电极(108)及漏极电极(109)，另外在接触层(107)上形成了由镍构成的栅极电极(110)。

公开(公告)号：CN102195629A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110043180.8

申请日：2011-02-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥诘真吾 ,  井腰文智 ,  山际优人 ,  上本康裕 ,  柳原学

IPC: H03K17/72 ,  H01L29/778 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H03K17/12 ,  H03K2217/0009

Abstract: 提供一种能够抑制在内部所具有的双向开关元件的散热的交流二线式开关。交流二线式开关(100a)连接于交流电源(101)与负载(102)之间而被使用，包括：双向开关元件(103)，由III氮化物半导体构成，除具有使电流双向流动的构成以外，还使该电流的流动导通或断开，并且与交流电源及负载串联连接，且与交流电源及负载构成闭合电路；全波整流器(104)，对交流电源的电源进行全波整流；电源电路(105)，将全波整流后的电压平滑化后，提供直流电源；第一栅极驱动电路(107)及第二栅极驱动电路(108)，将控制信号输出到双向开关元件；以及控制电路(106)，对第一栅极驱动电路及第二栅极驱动电路进行控制。

公开(公告)号：CN101689821A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880012659.1

申请日：2008-12-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  上本康裕 ,  田中毅 ,  白石松夫 ,  森本笃史 ,  石川晃一

IPC: H02P6/08

CPC classification number: H02M7/53871 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7787 ,  H02P27/08

Abstract: 本发明公开了一种电动机驱动电路。该电动机驱动电路包括三相变频电路(8)。该三相变频电路(8)中包括：驱动三相电动机(3)的各相的上臂的三个上臂侧开关元件(56a-56c)和驱动各相的下臂的三个下臂侧开关元件(56d-56f)。上臂侧开关元件(56a-56c)及下臂侧开关元件(56d-56f)中至少一种开关元件是作为二极管工作的半导体元件。作为二极管工作就是：将以第一欧姆电极S的电位为基准栅电极G的阈值电压以下的电压施加在栅电极G上，使从第一欧姆电极S流向第二欧姆电极D的电流流动，将从第二欧姆电极D流向第一欧姆电极S的电流切断。

公开(公告)号：CN101568951A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200880001272.6

申请日：2008-06-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  井上学

IPC: G09G3/28 ,  G09G3/20 ,  G09G3/288 ,  H04N5/66

CPC classification number: G09G3/294 ,  G09G3/2965

Abstract: 本发明公开了一种等离子体显示面板驱动装置及等离子体显示器。该装置包括生成施加在等离子体显示面板的电极上的驱动脉冲的电极驱动部。电极驱动部具有多个开关，多个开关中的至少一个开关是使用了双栅极半导体元件(10)的开关元件。双栅极半导体元件(10)具有形成在衬底(11)上且由氮化物半导体或碳化硅构成的半导体形成的半导体层叠层体(13)、在半导体层叠层体(13)上相互保持间隔形成的源电极(16)与漏电极(17)、在源电极(16)与漏电极(17)之间从源电极(16)一侧开始依次形成的第一栅电极(18A)与第二栅电极(18B)。

公开(公告)号：CN101022128A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200610142861.9

申请日：2006-10-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 引田正洋 ,  柳原学 ,  上田哲三 ,  上本康裕 ,  田中毅

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462

Abstract: 一种能够获得充足电流密度的常非导通型氮化物半导体装置。在衬底(601)上依次形成氮化铝缓冲层(602)、非掺杂的氮化镓层(603)、非掺杂的氮化镓铝层(604)、第一p型氮化镓铝层(605)、第二p型氮化镓铝层(607)、高浓度p型氮化镓层(608)，且栅极电极(611)和高浓度p型氮化镓层进行欧姆接触。在非掺杂的氮化镓铝层上设有源极电极(609)及漏极电极(610)。在栅极区域形成了由非掺杂的氮化镓铝层和非掺杂的氮化镓层之间的界面上产生的2维电子气和第一p型氮化镓铝层及第二p型氮化镓铝层生成的pn结。还有，第二p型氮化镓铝层将氮化硅膜(606)的一部分覆盖住。

公开(公告)号：CN101009325A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610171710.6

申请日：2006-12-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柳原学 ,  引田正洋 ,  上田哲三 ,  上本康裕 ,  田中毅

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462

Abstract: 提供一种能够实现最大电流的下降以及通态电阻的上升等电特性的恶化小的常关型的晶体管。晶体管包括：第一半导体层(13)，其形成在衬底(11)上；第二半导体层(14)，其形成在第一半导体层(13)上，与第一半导体层(13)相比带隙大；控制层(15)，其形成在第二半导体层(14)上，含有p型的杂质；栅电极(20)，其设置成与控制层(15)的一部分相接；和源电极(18)及漏电极(19)，其设置在控制层(15)的两侧方。在控制层(15)和第二半导体层(14)之间形成有第三半导体层(21)，其是由蚀刻率小于控制层(15)的材料制成的。

公开(公告)号：CN1638146A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410097819.0

申请日：2000-08-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上本康裕 ,  山下胜重 ,  三浦孝

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74

CPC classification number: H01L29/7812 ,  H01L21/76286 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/063 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7436 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/8611

Abstract: 一种SOI型半导体器件，夹置绝缘层地层积半导体衬底和作为有源层的第一半导体层，同时在第一半导体层的表面上，形成第二半导体层和有与该第二半导体层不同导电型的第三半导体层，在所述第一半导体层和所述绝缘层的界面上形成有与第一半导体层不同导电型的第四半导体层。该第四半导体层被这样设定，平均单位面积的杂质量大于3×1012/cm2，以便即使在第二和第三半导体层之间施加反向偏置电压，也不会完全耗尽。

公开(公告)号：CN1180465C

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN01117608.3

申请日：1995-11-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上本康裕 ,  藤井英治 ,  有田浩二 ,  长野能久 ,  嶋田恭博 ,  吾妻正道 ,  井上敦雄 ,  井筒康文

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L28/40 ,  H01L28/56

Abstract: 本发明揭示一种集成电路用电容元件的其制造方法。该方法包括：在基片上形成钛膜的粘接层，在该粘接层表面形成氧化钛和扩散阻挡层，以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。

公开(公告)号：CN101689821B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200880012659.1

申请日：2008-12-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  上本康裕 ,  田中毅 ,  白石松夫 ,  森本笃史 ,  石川晃一

IPC: H02P6/08

CPC classification number: H02M7/53871 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7787 ,  H02P27/08

Abstract: 本发明公开了一种电动机驱动电路。该电动机驱动电路包括三相变频电路(8)。该三相变频电路(8)中包括：驱动三相电动机(3)的各相的上臂的三个上臂侧开关元件(56a-56c)和驱动各相的下臂的三个下臂侧开关元件(56d-56f)。上臂侧开关元件(56a-56c)及下臂侧开关元件(56d-56f)中至少一种开关元件是作为二极管工作的半导体元件。作为二极管工作就是：将以第一欧姆电极S的电位为基准栅电极G的阈值电压以下的电压施加在栅电极G上，使从第一欧姆电极S流向第二欧姆电极D的电流流动，将从第二欧姆电极D流向第一欧姆电极S的电流切断。