公开(公告)号：CN1364313A

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：CN01800486.5

申请日：2001-02-07

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 内山洁 ,  有田浩二 ,  纳拉杨·索拉亚鹏 ,  卡罗斯·A·帕兹德阿罗

IPC: H01L27/11 ,  C30B29/68

CPC classification number: H01L21/28291 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/68

Abstract: 一种用于形成层状超晶格材料的液态母体被涂覆(324)在集成电路衬底(122,224,508)。利用递变率为每秒50℃的快速递变退火(“RRA”)技术(328),在650℃之维持温度下对该母体涂层在氧气中进行时间为30分钟之维持时间的退火。

公开(公告)号：CN1189942C

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN01103798.9

申请日：2001-02-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  有田浩二 ,  内山洁

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L29/516 ,  G11C11/22 ,  G11C11/223 ,  H01L29/78391

Abstract: 一种半导体存储器件，当从能产生向上的极化或向下的残留极化的强电介质薄膜中读出对应极化状态的数据时，要在控制栅极上施加偏压，同时把有向下的残留极化的状态设为数据“1”，把从有向上的残留极化的状态到残留极化几乎不存在的状态设为数据“0”。通过把残留极化几乎不存在的状态设为数据“0”，使数据为“0”时的读出电流值近似为一固定值，所以能提高读出精度。并通过预先让一侧数据感应出轨迹来进一步提高读出精度。

公开(公告)号：CN1347156A

公开(公告)日：2002-05-01

申请号：CN01123695.7

申请日：2001-09-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内山洁 ,  嶋田恭博 ,  有田浩二 ,  大槻达男

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L29/516 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种半导体存储器,半导体衬底11上依次重叠有下部绝缘层14、浮置栅极15、铁电层16、上部绝缘层17以及栅电极18。上部绝缘层17比铁电层16对漏电流的绝缘性高。在FeFET型存储器中,能够抑制从铁电层流向栅电极的漏电流,而大幅度地改善保持特性。