公开(公告)号：CN1802752A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200480015846.7

申请日：2004-11-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  北畠真 ,  楠本修 ,  山下贤哉 ,  高桥邦方 ,  宫永良子

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7838

Abstract: 本发明公开了一种半导体元件。在本发明的半导体元件中，设置在碳化硅基板上的n型碳化硅层，具有从(0001)面朝着〔11－20〕方向切割(offcut)的上面。并且，在沟道区域中，将栅电极和源电极设置成以沿切割(offcut)方向流动的电流为主的样子。在本发明中，在形成栅绝缘膜后，再在含V族元素的环境下进行热处理。这样一来，由于在碳化硅层和栅绝缘膜的界面上，界面能级密度降低，因此切割方向A的电子迁移率比与切割方向A垂直的方向的电子迁移率高。

公开(公告)号：CN1788335A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200580000359.8

申请日：2005-01-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥邦方 ,  北畠真 ,  山下贤哉 ,  内田正雄 ,  楠本修 ,  宫永良子

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/046

Abstract: 半导体元件的制造方法，包括：向形成在碳化硅衬底1上的碳化硅薄膜2内注入离子的工序，通过在减压气体环境下加热碳化硅衬底，在碳化硅衬底表面上形成碳层5的工序，以及在与形成碳层5的工序相比压力更高且温度更高的气体环境下对碳化硅衬底进行活化退火的工序。

公开(公告)号：CN1484862A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN02803417.1

申请日：2002-09-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山下贤哉 ,  北畠真 ,  楠本修 ,  高桥邦方 ,  内田正雄 ,  宫永良子

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/7725 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7838

Abstract: 一种半导体装置，具有存储型SiC－MISFET结构，包括在SiC基板上形成的p型SiC层(10)、n型沟道层(20)、栅极绝缘膜(11)、栅极(12)、n型沟道层(13a、13b)。沟道层(20)具有非掺杂层(22)、和在非掺杂层(22)的下端部附近设置的δ掺杂层(21)。由于在沟道层(20)的深部区域中具有高浓度的δ掺杂层(21)，从而可以使沟道层的表面区域中的电场减弱，提高电流驱动能力。

公开(公告)号：CN101233615B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200680027399.6

申请日：2006-07-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北畠真 ,  楠本修 ,  内田正雄 ,  山下贤哉

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L21/822 ,  H01L29/47 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L27/06 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L23/62 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/4868 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/4878 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744

Abstract: 本发明提供一种半导体元件和一种电气设备。本发明的半导体元件(20)包括多个场效应晶体管(90)和肖特基电极(9a)，上述肖特基电极(9a)以沿着形成有上述多个场效应晶体管(90)的区域的外周的方式设置。

公开(公告)号：CN102187463A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200980140702.7

申请日：2009-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山下贤哉

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L21/047 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。各格子单元具有：漂移层(3)，其形成在由n型的宽带隙半导体构成的基板(2)上，并由n型的宽带隙半导体构成；p型的阱(4a)，其设置在漂移层(3)内；第一n型杂质区域(5)，其设置在阱(4a)内；表面沟道层(7b)，其至少在阱的表面上形成，以便将第一n型杂质区域(5)和漂移层(3)连接；第二n型杂质区域(7a)，其在阱内的表面沟道层的下方，且设置在横跨第一n型杂质区域(5)和漂移层(3)的表面区域，并具有与阱(4a)的杂质浓度同等程度以上的杂质浓度；和第三n型杂质区域，其与上述第二n型杂质区域(7a)相邻，并形成在漂移层(3)的表面区域。

公开(公告)号：CN101233616B

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200680027400.5

申请日：2006-07-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北畠真 ,  楠本修 ,  内田正雄 ,  山下贤哉

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/12 ,  H01L21/822 ,  H01L29/47 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L23/52 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/4868 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/4878 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体元件和电气设备，该半导体元件(20)具有场效应晶体管(90)、肖特基电极(9a)和多个接合垫(12S、12G)，上述多个接合垫(12S、12G)中至少一个以位于上述肖特基电极(9a)的上方的方式配置。

公开(公告)号：CN100472736C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200410083545.X

申请日：2004-10-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山下贤哉 ,  北畠真 ,  楠本修 ,  高桥邦方 ,  内田正雄 ,  宫永良子

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/518 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7828

Abstract: 一种碳化硅—氧化物层叠体的制造方法，通过热氧化处理，在SiC基板(10)上形成作为主要由SiO2构成的氧化物层即栅极绝缘膜(7’)之后，在腔室(20)内的惰性气体气氛中进行退火。此后，在设置有真空泵(31)的腔室(30)内设置SiC基板(10)，并在超过1100℃且不足1250℃的高温下，将碳化硅—氧化物层叠体A暴露于被减压的NO气体气氛中，则氮会扩散到栅极绝缘膜(7’)内，从而可获得在下部具有氮浓度高的区域且相对介电常数在3.0以上的、作为含V族元素氧化物层的栅极绝缘膜(7)。也可以降低含V族元素氧化物层—碳化硅层之间的界面区域的界面能级密度。本发明提供一种用于制作低损耗且高可靠性的MISFET等的碳化硅—氧化物层叠体，及其制造方法以及半导体装置。

公开(公告)号：CN1505170A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310117969.9

申请日：2003-11-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥邦方 ,  楠本修 ,  北畠真 ,  内田正雄 ,  山下贤哉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7838

Abstract: 本发明提供一种SiC－MISFET及其制造方法。累积型SiC－MISFET，具备：SiC基板(1)、n型漂移层(2c)、p型阱区域(3)、n型源区域(4)、包含n型杂质成为累积型沟道层的SiC沟道层(5)、p型高浓度传导层(9)、栅绝缘膜(6)、栅电极(13)等。另外，设置向n型漂移层(2c)的上面部部分地注入p型杂质离子而形成的，并包含比阱区域(3)具有更高浓度的同导电型杂质的部分高浓度注入层(7A)。由此，提供常截止的累积型SiC－MISFET，可以流过高电流密度的漏极电流。

公开(公告)号：CN104282669A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410317484.2

申请日：2014-07-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山下贤哉

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/07

CPC classification number: H02M7/003 ,  H01L23/14 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49861 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0216 ,  H05K1/025 ,  H05K1/144 ,  H05K2201/042 ,  H05K2201/10166

Abstract: 本发明的课题在于使得能够实现一种能减轻噪声的影响并且减轻热的影响的半导体装置。本发明的半导体装置具备：半导体模块(18)，其包含高侧的第1晶体管(10b)以及低侧的第2晶体管(10a)；第1控制基板(8)；在第1控制基板上与第1晶体管的第1栅极端子(28b)以及第1源极端子(29b)相连接的驱动元件(6)以及与第2晶体管的第2栅极端子(28a)以及第2源极端子(29a)相连接的驱动元件(6)；第2控制基板(5)，其配置在第1控制基板上；和光耦合器(3)。第1栅极端子、第1源极端子设置于配置有正极端子(25)以及接地端子(26)的一侧，第2栅极端子、第2源极端子设置于配置有输出端子(27)的一侧。

公开(公告)号：CN102576723B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201080047439.X

申请日：2010-10-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 工藤千秋 ,  山下贤哉 ,  庭山雅彦

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/0485 ,  H01L23/485 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置(100)具备：配置于半导体基板(101)的主表面上的第1碳化硅层(120)；配置于第1碳化硅层的第1导电型的第1杂质区域(103)；第2导电型的体区域(104)；在体区域内配置于比第1杂质区域(103)更深的位置、且以比体区域更高的浓度来含有第2导电型的杂质的第2导电型的接触区域(131)；第1导电型的漂移区域(102)；和与第1杂质区域(103)以及接触区域(131)欧姆接触的第1欧姆电极(122)，在第1碳化硅层(120)中设置有贯穿第1杂质区域(103)的接触沟槽(121)，第1欧姆电极(122)配置于接触沟槽(121)内，且在接触沟槽的侧壁下部(121cL)的至少一部分以及底表面(121b)与接触区域(131)接触。