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公开(公告)号：CN102217073A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200980115276.1
申请日：2009-08-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/20 , H01L29/2003
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备：由宽带隙半导体构成的基板(2)以及漂移层(3a)；p型阱(4a)以及第1n型杂质区域(5)，设置在漂移层内；源极电极(5)，与第1n型杂质区域(5)电连接；第2n型杂质区域(30)，设置在阱(4a)与相邻的单元部件U的阱(4a)之间；栅极绝缘膜(7b)，分别设置在第2n型杂质区域、阱(4a)、以及第1n型杂质区域的至少一部分之上；栅极电极(8)，其设置在栅极绝缘膜上；第3n型杂质区域(31)，形成在漂移层中、与第2n型杂质区域相邻并且包含单元部件顶点的位置，杂质浓度比漂移层高并且比第2n型杂质区域低。
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公开(公告)号：CN100353498C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN03801527.7
申请日：2003-07-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/0485 , H01L21/8213 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L29/1029 , H01L29/105 , H01L29/1608 , H01L29/365 , H01L29/41766 , H01L29/66068 , H01L29/7725 , H01L29/7828 , H01L29/7838 , H01L29/812 , H01L29/872 , Y10S438/931
Abstract: 蓄积型MISFET具备：在上述SiC衬底(101)上以外延方式生长的高电阻SiC层(102)；阱区(103)；具有在阱区(103)的表面区域上形成的多重δ掺杂层的n型蓄积沟道层(104)；接触区(105)；栅绝缘膜(108)；以及栅电极(110)。蓄积沟道层(104)为交替地层叠了非掺杂层(104b)和能进行由量子效应引起的朝向非掺杂层(104b)的载流子的渗透的δ掺杂层(104a)的结构。此外，设置了侵入到蓄积沟道层(104)和接触区(105)内以便与接触区(105)直接接触的源电极(111)。由此，不需要由离子注入形成的源区，减少了制造成本。
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公开(公告)号：CN1914786A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200580003618.2
申请日：2005-08-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02M1/08 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/095
CPC classification number: H02M7/538 , H01L21/8213 , H01L21/8252 , H01L24/73 , H01L27/0605 , H01L27/0727 , H01L2224/0603 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H02M7/003 , H03K17/063 , H03K17/6871 , Y02B70/1483 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的半导体装置(29)包括：两个电平移动开关(28A、28B)，具有第一电极、第二电极、控制电极和信号输出电极，同时具有第一半导体区域，该第一半导体区域构成为：介于所述第一电极与所述信号输出电极之间、根据向所述控制电极的输入信号导通或者非导通的晶体管元件部(28a、28b)；介于所述信号输出电极与所述第二电极之间的电阻元件部(Ra、Rb)，所述第一半导体区域由宽禁带半导体构成；和二极管(23)，具有阴极侧电极、阳极侧电极和第二半导体区域，所述第二半导体区域由宽禁带半导体构成。
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公开(公告)号：CN1599961A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN02823980.6
申请日：2002-11-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/316 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28185 , H01L21/049 , H01L21/28202 , H01L29/1608 , H01L29/41766 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/7838
Abstract: 通过在800℃以上1400℃以下的温度下、在1.4×102Pa以下的氧气气氛下，对SiC基板(1)上部进行氧化，形成厚度在20nm以下的热氧化膜，即第一绝缘膜(2)。进行退火之后，通过CVD法，在其上形成厚度为5nm程度的氮化膜，即作为第一覆盖层(3)。接着，通过CVD法，在其上形成厚度为130nm程度的沉积氧化膜，即第二绝缘膜(4)。在其上，再形成厚度为10nm程度的氮化膜，即第二覆盖层(5)。通过形成由以上的第一绝缘膜(2)至第二覆盖层(5)构成的栅绝缘膜(6)，可以获得低损耗且高可靠性的半导体装置。
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公开(公告)号：CN1592950A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN03801527.7
申请日：2003-07-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/0485 , H01L21/8213 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L29/1029 , H01L29/105 , H01L29/1608 , H01L29/365 , H01L29/41766 , H01L29/66068 , H01L29/7725 , H01L29/7828 , H01L29/7838 , H01L29/812 , H01L29/872 , Y10S438/931
Abstract: 蓄积型MISFET具备：在上述SiC衬底(101)上以外延方式生长的高电阻SiC层(102)；阱区(103)；具有在阱区(103)的表面区域上形成的多重δ掺杂层的n型蓄积沟道层(104)；接触区(105)；栅绝缘膜(108)；以及栅电极(110)。蓄积沟道层(104)为交替地层叠了非掺杂层(104b)和能进行由量子效应引起的朝向非掺杂层(104b)的载流子的渗透的δ掺杂层(104a)的结构。此外，设置了侵入到蓄积沟道层(104)和接触区(105)内以便与接触区(105)直接接触的源电极(111)。由此，不需要由离子注入形成的源区，减少了制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1572025A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN03801341.X
申请日：2003-06-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/62 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L29/0653 , H01L29/1608 , H01L29/7806 , H01L29/7828 , H01L29/7838 , H01L2224/0603 , H01L2224/371 , H01L2224/40137 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2224/49113 , H01L2224/84205 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/2076 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种半导体器件(半导体模块)及其制造方法。半导体模块具备在SiC衬底上、能够个别地工作的区段1(半导体元件)。区段1具备：设置在SiC衬底主面侧上源电极焊接区2及栅电极焊接区3和设置在SiC衬底的背面侧上的漏电极焊接区。具备用于使相邻接的区段1彼此之间电隔离的沟槽、肖特基二极管等元件隔离区。仅仅将经检查确认是合格品的区段1的电极焊接区2、3连接在电极端子41、43上。
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公开(公告)号：CN1173411C
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN01803862.X
申请日：2001-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L29/1608 , H01L29/365 , H01L29/66068 , H01L29/7391 , H01L29/7828
Abstract: 一种DMOS器件(或者IGBT)，它包括：SiC衬底(2)、形成在外延层内的n-SiC层(3)(漂移区)、栅极绝缘膜(6)和栅电极(7a)、将栅电极(7a)包围起来的源电极7b、形成在SiC衬底2下面的漏电极(7c)、p-SiC层(4)、以及从源电极(7b)端部下方到栅电极(7a)端部下方的n+SiC层(5)。外延层的表面部分中除形成有n+SiC层(5)的区域里，叠层形成了含高浓度氮的n型掺杂层(10a)和非掺杂层(10b)。利用量子效果，降低了导通电阻，提高了截止时的耐压。
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公开(公告)号：CN103003946A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201080032059.9
申请日：2010-10-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 山下贤哉
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12
CPC classification number: H01L29/7828 , H01L21/0465 , H01L21/047 , H01L29/0696 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/66068
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其中该半导体装置包括多个单位单元，各单位单元具备：基板；形成在基板上的漂移层；设于漂移层内的主体区域；设于主体区域内的第1个第一导电型杂质区域；与主体区域相邻接且形成在漂移层的表面区域的第2个第一导电型杂质区域；在第2个第一导电型杂质区域和相邻接的单位单元的第2个第一导电型杂质区域之间，按照与第2个第一导电型杂质区域相接的方式形成在漂移层的表面区域的第3个第一导电型杂质区域；至少在第1个第一导电型杂质区域与第2个第一导电型杂质区域之间，按照与漂移层的表面相接的方式形成的栅极绝缘膜；形成在栅极绝缘膜上的栅电极；和第1以及第2欧姆电极。
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公开(公告)号：CN100481497C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200410062185.5
申请日：2004-07-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/7828 , H01L21/046 , H01L21/0475 , H01L21/0485 , H01L21/30625 , H01L29/1029 , H01L29/105 , H01L29/1608 , H01L29/365 , H01L29/41766 , H01L29/66068 , H01L29/7838 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种采用碳化硅衬底，沟道层表面被平滑化、载流子的迁移率高的半导体装置以及其制造方法。双重注入型MISFET包括：在SiC衬底(1)上设置的高电阻SiC层(2)；p阱区(3)；p+接触区(4)；源区(6)；横跨源区(6)、p阱区(3)以及高电阻SiC层(2)形成的沟道层(5x)；栅绝缘膜(7)；栅极(10)；源极(8)；漏极(9)。高电阻SiC层(2)和p阱区(3)以及源区(6)的表面在堆积碳膜的状态下，通过杂质的活化退火或MCP成为平滑的状态，其后外延生长的沟道层(5x)的表面被进一步平滑化。
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公开(公告)号：CN101233615A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200680027399.6
申请日：2006-07-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L29/12 , H01L21/822 , H01L29/47 , H01L21/8234 , H01L29/78 , H01L27/06 , H01L29/872 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7806 , H01L23/62 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0629 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/47 , H01L29/66068 , H01L29/7811 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/0568 , H01L2224/0603 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48655 , H01L2224/48666 , H01L2224/4868 , H01L2224/48724 , H01L2224/48755 , H01L2224/48766 , H01L2224/4878 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/4911 , H01L2224/49175 , H01L2224/85399 , H01L2224/85424 , H01L2224/85444 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/48744
Abstract: 本发明提供一种半导体元件和一种电气设备。本发明的半导体元件(20)包括多个场效应晶体管(90)和肖特基电极(9a)，上述肖特基电极(9a)以沿着形成有上述多个场效应晶体管(90)的区域的外周的方式设置。
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