公开(公告)号：CN102703027A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210135608.6

申请日：2010-02-12

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 小野裕 ,  筱田隆 ,  冈田悠平

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00

CPC classification number: H01L21/3212 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76898

Abstract: 铜研磨用研磨剂，其含有(A)二元以上的无机酸、(B)氨基酸、(C)保护膜形成剂、(D)磨粒、(E)氧化剂和(F)水，(A)成分的含量为0.08摩尔/千克以上，(B)成分的含量为0.20摩尔/千克以上，(C)成分的含量为0.02摩尔/千克以上，满足下述(i)和(ii)的至少一者。(i)(A)成分的含量与(C)成分的含量的比率为2.00以上。(ii)还含有(G)选自有机酸及其酸酐中的至少一种。

公开(公告)号：CN102352187A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110208059.6

申请日：2008-07-04

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 田中孝明 ,  深泽正人 ,  野部茂 ,  樱田刚史 ,  筱田隆

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/321 ,  B24B37/00

CPC classification number: H01L21/7684 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76819

Abstract: 本发明提供一种金属膜用研磨液及研磨方法。该金属膜用研磨液包含磨粒、由甲基丙烯酸系聚合物构成的水溶性聚合物和水，其能够维持对层间绝缘膜的良好的研磨速度，同时抑制侵蚀和裂缝的发生，使得被研磨面的平坦性高。

公开(公告)号：CN102007577A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200980113203.9

申请日：2009-04-16

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 筱田隆 ,  田中孝明 ,  金丸真美子 ,  天野仓仁

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供一种分散稳定性良好、层间绝缘膜的研磨速度为高速的CMP用研磨液以及研磨方法。本发明涉及一种CMP用研磨液以及研磨方法，该CMP用研磨液包含介质和分散在前述介质中的胶态二氧化硅粒子，假设所述研磨液在被调合成能在CMP研磨工序中使用的状态时，优选所述CMP用研磨液包含2.0～8.0质量％的所述胶态二氧化硅粒子，所述胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。(1)从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径(R1)为35～55nm；(2)与在前述(1)中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为(S0)，通过BET法测定的前述胶态二氧化硅粒子的比表面积为(S1)，用(S0)去除(S1)所得到的值为1.20以下；(3)在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的前述胶态二氧化硅粒子的二次粒径(Rs)与在前述(1)中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。

公开(公告)号：CN101432854B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200780014892.9

申请日：2007-04-24

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 筱田隆 ,  野部茂 ,  田中孝明

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC classification number: H01L21/7684 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供一种CMP用研磨液，其特征在于，其是在第1化学机械研磨工序后，在第2化学机械研磨工序中使用的CMP用研磨液，所述工序研磨的基板包含：表面包括凹部和凸部的层间绝缘膜、沿表面覆盖所述层间绝缘膜的阻挡层、填充所述凹部而覆盖阻挡层的导电性物质层，其中，第1化学机械研磨工序为：研磨基板的导电性物质层，使所述凸部的阻挡层露出，第2化学机械研磨工序为：研磨露出的阻挡层，使得所述凸部的层间绝缘膜露出；其中，研磨量(A)与研磨量(B)的差(B)-(A)为以下，所述研磨量(A)是形成于所述基板的层间绝缘膜部具有1000μm以上宽度的场部的层间绝缘膜的研磨量；所述研磨量(B)是形成于所述基板的宽90μm的配线金属部与宽10μm的层间绝缘膜交互排列的条纹状图形部的层间绝缘膜的研磨量。

公开(公告)号：CN102876236A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210361951.2

申请日：2010-12-10

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 筱田隆 ,  榎本和宏 ,  阿久津利明

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/3105

CPC classification number: C09K3/1472 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明提供一种CMP研磨液、基板研磨方法和电子部件。所述CMP研磨液为将第1液和第2液混合使用的CMP研磨液，第1液含有包含氧化铈粒子的铈系研磨粒、分散剂和水，第2液含有聚丙烯酸化合物、表面活性剂、磷酸化合物和水，第1液的pH为7.0以上，第2液的pH为6.5以上，以磷酸化合物的含量达到规定范围的方式混合第1液和第2液。

公开(公告)号：CN102690605A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210135053.5

申请日：2010-02-12

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 小野裕 ,  筱田隆 ,  冈田悠平

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/3212 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76898

Abstract: 铜研磨用研磨剂，其含有(A)二元以上的无机酸、(B)氨基酸、(C)保护膜形成剂、(D)磨粒、(E)氧化剂和(F)水，(A)成分的含量为0.08摩尔/千克以上，(B)成分的含量为0.20摩尔/千克以上，(C)成分的含量为0.02摩尔/千克以上，满足下述(i)和(ii)的至少一者。(i)(A)成分的含量与(C)成分的含量的比率为2.00以上。(ii)还含有(G)选自有机酸及其酸酐中的至少一种。

公开(公告)号：CN102007577B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200980113203.9

申请日：2009-04-16

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 筱田隆 ,  田中孝明 ,  金丸真美子 ,  天野仓仁

IPC: C09G1/02 ,  B24B37/04 ,  C09K3/14 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供一种分散稳定性良好、层间绝缘膜的研磨速度为高速的CMP用研磨液以及研磨方法。本发明涉及一种CMP用研磨液以及研磨方法，该CMP用研磨液包含介质和分散在前述介质中的胶态二氧化硅粒子，假设所述研磨液在被调合成能在CMP研磨工序中使用的状态时，优选所述CMP用研磨液包含2.0～8.0质量％的所述胶态二氧化硅粒子，所述胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。(1)从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径(R1)为35～55nm；(2)与在前述(1)中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为(S0)，通过BET法测定的前述胶态二氧化硅粒子的比表面积为(S1)，用(S0)去除(S1)所得到的值为1.20以下；(3)在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的前述胶态二氧化硅粒子的二次粒径(Rs)与在前述(1)中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。

公开(公告)号：CN102449747A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080022988.1

申请日：2010-08-16

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 金丸真美子 ,  岛田友和 ,  筱田隆

IPC: H01L21/32 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472

Abstract: 本发明涉及一种CMP研磨液，所述研磨液含有介质和分散在所述介质中作为磨粒的二氧化硅粒子，其中，(A1)所述二氧化硅粒子的硅烷醇基密度为5.0个/nm2以下，(B1)从利用扫描型电子显微镜观察所述二氧化硅粒子的图像中选择任意的20个粒子时的二轴平均一次粒径为25～55nm，(C1)所述二氧化硅粒子的缔合度为1.1以上。由此，可提供阻挡膜的研磨速度高、并且磨粒的分散稳定性良好、能够高速研磨层间绝缘膜的CMP研磨液，以及提供微细化、薄膜化、尺寸精度、电特性优异、可靠性高且低成本的半导体基板等的制造中的研磨方法。

公开(公告)号：CN102318042A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201080007580.7

申请日：2010-02-12

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 小野裕 ,  筱田隆 ,  冈田悠平

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/3212 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76898

Abstract: 铜研磨用研磨剂，其含有(A)二元以上的无机酸、(B)氨基酸、(C)保护膜形成剂、(D)磨粒、(E)氧化剂和(F)水，(A)成分的含量为0.08摩尔/千克以上，(B)成分的含量为0.20摩尔/千克以上，(C)成分的含量为0.02摩尔/千克以上，满足下述(i)和(ii)的至少一者。(i)(A)成分的含量与(C)成分的含量的比率为2.00以上。(ii)还含有(G)选自有机酸及其酸酐中的至少一种。

公开(公告)号：CN101283441B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200680037661.5

申请日：2006-10-10

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 筱田隆 ,  野部茂 ,  樱田刚史 ,  大森义和 ,  木村忠广

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C23F3/04 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76865

Abstract: 本发明提供CMP研磨液，该CMP研磨液通过抑制阻挡导体与铜等导电性物质的界面部附近的电子移动，抑制导电性物质配线腐蚀，即，抑制阻挡导体与导电性物质的异种金属接触腐蚀。本发明涉及的CMP研磨液为，至少研磨导体层以及与上述导体层接触的导电性物质层，在电位计的正极与上述导电性物质连接、负极与上述导体连接的该研磨液中的导电性物质和导体在50±5℃时的电位差绝对值为0.25V以下。优选其中包含杂环化合物，所述杂环化合物含有羟基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亚磺酰基中的任1种，且含有氮和硫原子中的至少1种。