公开(公告)号：CN102041487A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010509463.2

申请日：2010-10-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木康晴 ,  野中龙 ,  长山将之

IPC: C23C16/52 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种能够使基板的温度快速上升、并且能够减少热能的损失的基板载置台的温度控制系统。基座的制冷剂循环系统包括制冷剂供给装置、高温介质储存罐和第一阀组，该基座内置有加热器单元和热介质流路、且载置被实施等离子蚀刻处理的晶圆，上述制冷剂供给装置与热介质流路相连接而将温度比较低的制冷剂供给到热介质流路中，上述高温介质储存罐配置在热介质流路与制冷剂供给装置之间且用于储存温度比较高的高温介质，上述第一阀组配置在制冷剂供给装置与热介质流路之间、以及高温介质储存罐与热介质流路之间，在使基座的温度上升时，利用该第一阀组停止自制冷剂供给装置向热介质流路供给制冷剂、且自高温介质储存罐向热介质流路供给高温介质。

公开(公告)号：CN101207062B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200710181964.0

申请日：2007-10-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长山将之 ,  上田雄大 ,  小林义之 ,  大桥薰

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/00 ,  C23C16/458 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01L21/68757

Abstract: 本发明提供一种基板载置台的制造方法，能够防止在流体通道内残留喷镀残渣，而且，能够防止发生喷镀残渣所导致的污染，以及能够防止发生流体通道的孔堵塞。该基板载置台的制造方法，在作为气体喷出孔(511)的内侧面和槽(512)的内侧面等的气体供给通道的部分形成能够除去的膜(540)。接着，供给压缩空气等的气体，一边从各气体喷出孔(511)喷出压缩空气等的气体，一边在载置面上依次叠层陶瓷喷镀膜(10)、金属喷镀膜(电极)(12)、陶瓷喷镀膜(10)，从而形成3层的静电卡盘(11)。接着，向槽(512)内导入流体，例如导入丙酮等有机溶剂、压缩空气、水等，进行膜(540)的除去和清洗，除去在陶瓷喷镀工序中附着的块状喷镀陶瓷(530)。

公开(公告)号：CN101173345A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710167281.X

申请日：2007-10-31

Applicant: 福吉米株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 伊部博之 ,  青木功 ,  北村顺也 ,  水野宏昭 ,  小林义之 ,  长山将之

IPC: C23C4/10 ,  C23C4/12 ,  B32B5/00

CPC classification number: C23C4/10 ,  C23C4/11 ,  C23C4/12 ,  Y10T428/2982

Abstract: 热喷涂粉末包含原子量从60到70的任意稀土元素的氧化物组成的粒化烧结颗粒。组成粒化烧结颗粒的原始颗粒的平均颗粒尺寸是2到10μm。粒化烧结颗粒的抗压强度是7到50MPa。抗等离子体构件包括衬底和设置在衬底表面上的热喷涂涂层。热喷涂涂层通过热喷涂形成，最好通过等离子体热喷涂所述热喷涂粉末。

公开(公告)号：CN101165855A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710181968.9

申请日：2007-10-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杉山秀树 ,  冈山信幸 ,  长山将之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32559 ,  H01J2237/2007 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68757

Abstract: 一种能减少等离子处理装置的运行成本并提高装置的运行速度的基板平台。下部电极作为基板平台而设置在该装置的腔室内，静电卡盘被结合在下部电极中。在静电卡盘的侧壁上形成作为喷敷层，膜厚度在从1000至2000μm的范围内，元素周期表第IIIB族元素的氧化膜，如氧化钇膜。

公开(公告)号：CN1327493C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200410095596.4

申请日：2001-05-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 先崎滋 ,  佐佐木利树 ,  青砥雅 ,  长山将之 ,  三桥康至

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32458

Abstract: 本发明提供一种处理装置部件的装配机构，具备可以使构成处理室的顶板部的上部电极组件和电极组件升降的升降机构，其特征在于：上部电极单元由上部组件和下部组件可分离、合体地构成，下部组件具有圆柱状电极组件和可嵌合于圆柱状电极组件的周围的环状构件，在圆柱状电极组件的外周面或环状构件的内周面的任一方上形成多个突起，而在任意另外一方上形成与突起相对应的多条槽，槽是由为了应使圆柱状电极组件和环状构件进行嵌合将突起导向嵌合方向而向嵌合方向延伸的第1槽、和为了应使一旦嵌合的圆柱状电极组件和环状组件相对旋转对突起进行导向而向旋转方向延伸的第2槽构成，而且，第2槽随着加深向嵌合方向倾斜。

公开(公告)号：CN1314826C

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN02810599.0

申请日：2002-05-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长山将之 ,  中山博之 ,  三桥康至

IPC: C23C4/02 ,  C23C26/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32477 ,  C23C4/02

Abstract: 在利用等离子体蚀刻处理对被处理物进行微细加工的等离子体处理容器内配置的等离子体处理容器内部件，作为前处理，利用使用等离子体放电的阳极氧化处理在该处理容器内部件的基材(101)的表面形成氧化处理层(111)后，在该氧化处理层(111)之上，形成热喷涂层(121)。

公开(公告)号：CN1630041A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410095596.4

申请日：2001-05-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 先崎滋 ,  佐佐木利树 ,  青砥雅 ,  长山将之 ,  三桥康至

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32458

Abstract: 本发明提供一种处理装置部件的装配机构，具备可以使构成处理室的顶板部的上部电极组件和电极组件升降的升降机构，其特征在于：上部电极单元由上部组件和下部组件可分离、合体地构成，下部组件具有圆柱状电极组件和可嵌合于圆柱状电极组件的周围的环状构件，在圆柱状电极组件的外周面或环状构件的内周面的任一方上形成多个突起，而在任意另外一方上形成与突起相对应的多条槽，槽是由为了应使圆柱状电极组件和环状构件进行嵌合将突起导向嵌合方向而向嵌合方向延伸的第1槽、和为了应使一旦嵌合的圆柱状电极组件和环状组件相对旋转对突起进行导向而向旋转方向延伸的第2槽构成，而且，第2槽随着加深向嵌合方向倾斜。

公开(公告)号：CN1557018A

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN02818626.5

申请日：2002-09-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杉山智一 ,  三枝秀仁 ,  冈山信幸 ,  饭室俊一 ,  今福光祐 ,  长山将之 ,  三桥康至 ,  中山博之 ,  黄亚辉

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C03C15/02 ,  C03B29/025 ,  C03C19/00 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明提供一种抑制了使用初期的微粒产生和其后的碎屑产生的等离子体处理装置用石英部件的加工方法、等离子体处理装置用石英部件和安装有该石英部件的等离子体处理装置。利用例如粒度为320～400#的磨料进行表面加工，除去在进行金刚石研磨以后在用作屏蔽环和聚焦环等的等离子体处理装置用石英部件151上产生的许多裂纹155。然后，再用小粒径的磨料进行表面加工，在维持能够附着并保持堆积物的凹凸的同时，去除破碎层163。

公开(公告)号：CN1507652A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN02809527.8

申请日：2002-04-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长山将之 ,  三桥康至 ,  中山博之

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4404

Abstract: 形成包覆膜的包覆剂(51)由环化橡胶－双叠氮化物等主要成分和感光剂组成的抗蚀剂构成，通过将从处理室(22)内取出的处理室内部件(50)浸渍在丙酮等剥离液中，可在剥离附着的包覆膜的同时，从处理室内部件(50)上分离堆积在处理室内部件(50)上形成的包覆剂(51)的包覆膜上的堆积物(52)。

公开(公告)号：CN116598180A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310067277.5

申请日：2023-02-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杉山秀树 ,  猪狩浩 ,  长山将之

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种防止异常放电的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基片支承部，其设置于上述等离子体处理腔室内，用于保持基片；和与上述基片支承部相对的喷淋头，上述喷淋头具有喷淋板，上述喷淋板形成有释放气体的气体流路，并包括：具有凹部的基材；和插入并被接合于上述凹部的埋入部件，上述气体流路包括：形成于上述基材并与上述凹部连通的第一流路；形成于上述埋入部件的第二流路；以及连通路，其形成于上述基材和上述埋入部件中的至少一者，将上述第一流路与上述第二流路连通。