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公开(公告)号：CN108183058B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201711284031.4
申请日：2017-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 上田雄大
Abstract: 本发明提供一种载置台，其削减妨碍从聚焦环向基座导热的孔以改善聚焦环的温度不均。载置台包括：用于载置被处理体的基座；以包围载置被处理体的区域的方式设置于基座上的聚焦环；形成有贯通孔的连结部件，其被插入在基座上的与聚焦环的下部对应的区域形成的插入孔，将基座与基座的下方的部件连结；和升降销，其被插入连结部件的贯通孔以从插入孔可突出的方式设置在基座，从插入孔突出而使聚焦环上升。
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公开(公告)号：CN108281342A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810004050.5
申请日：2018-01-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 上田雄大
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明能够抑制聚焦环的径向的温度产生不均匀。第一载置台(2)具有载置作为等离子体处理的对象的晶片(W)的载置面(6d)和外周面。第一载置台(2)在载置面(6d)设置有加热器(6c)，在载置面(6d)的背面侧设置有供电端子(31)。第一载置台(2)在外周面设置有将加热器(6c)与供电端子(31)连接的配线(32)且该配线内包在绝缘物中。第二载置台(7)沿第一载置台(2)的外周面设置，用于载置聚焦环(5)。
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公开(公告)号：CN101207061B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710154402.7
申请日：2007-09-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , C23C16/458 , C23C16/44 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/00
Abstract: 本发明提供一种不仅能够防止在流体通路内残留的喷镀残渣，而且能够防止发生喷镀残渣导致的污染、防止发生流体通路的孔堵塞的基板载置台、基板载置台的制造方法、基板处理装置、流体供给机构。基板载置台(5)通过粘合形成为圆板状的第一板状部件(510)和第二板状部件(520)而构成，其整体形成为板状。在第一板状部件(510)中设置有多个气体喷出孔(511)。在第二板状部件(520)中形成用于形成向气体喷出孔(511)供给气体的供给通路的槽(521)，并且槽(521)的底部(521a)形成为曲面状。在第一板状部件(510)的上侧的载置面上设置有静电卡盘(11)。静电卡盘(11)通过在由陶瓷喷镀膜制成的绝缘部件(10)之间配置电极(12)而构成。
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公开(公告)号：CN108281342B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201810004050.5
申请日：2018-01-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 上田雄大
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明能够抑制聚焦环的径向的温度产生不均匀。第一载置台(2)具有载置作为等离子体处理的对象的晶片(W)的载置面(6d)和外周面。第一载置台(2)在载置面(6d)设置有加热器(6c)，在载置面(6d)的背面侧设置有供电端子(31)。第一载置台(2)在在外周面设置有将加热器(6c)与供电端子(31)连接的配线(32)且该配线内包在绝缘物中。第二载置台(7)沿第一载置台(2)的外周面设置，用于载置聚焦环(5)。
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公开(公告)号：CN110010439A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811572930.9
申请日：2018-12-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本公开涉及等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法。目的在于提高等离子体蚀刻装置的生产率。等离子体蚀刻装置具有：能够进行真空排气的处理容器；在所述处理容器内载置基板的下部电极；在所述处理容器内与所述下部电极以并行的方式相向的上部电极；处理气体供给部，其向所述上部电极与所述下部电极之间的处理空间供给处理气体；高频供电部，其向所述上部电极或者所述下部电极施加用于由所述处理气体生成等离子体的高频；聚焦环，其覆盖所述基板的周边部；直流电源，其输出用于施加于所述聚焦环的直流电压；加热部，其加热所述聚焦环；以及温度测定部，其测定所述聚焦环的温度。
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公开(公告)号：CN109872939A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201811434243.0
申请日：2018-11-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 上田雄大
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种支承组件和支承组件的组装方法。以简易的结构抑制异常放电，同时实现向聚焦环的电压施加。在一技术方案中，提供支承组件。支承组件具备静电卡盘、下部电极、至少1个导电构件、以及绝缘构件。下部电极具有：卡盘支承面，其支承静电卡盘；和环支承面，其以包围卡盘支承面的方式形成，用于支承聚焦环。在环支承面上形成有接触电极。至少1个导电构件将接触电极和聚焦环电连接。绝缘构件在包围至少1个导电构件的状态下介于下部电极的环支承面与聚焦环之间。
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公开(公告)号：CN108447760A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810150376.9
申请日：2018-02-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置和维护装置。抑制进行基板的输送的输送系统的污染地更换消耗零件。维护装置(100)相对于等离子体蚀刻装置(10)的第2闸门(95)保持气密性、同时安装于等离子体蚀刻装置(10)的第2闸门(95)，该等离子体蚀刻装置(10)在处理容器(30)设有与用于晶圆(W)的输入输出的第1闸门(84)不同的第2闸门(95)。维护装置(100)经由第2闸门(95)进行处理容器(30)内的消耗零件的拆卸、消耗零件向处理容器(30)内的安装、处理容器(30)内的清扫中的至少一者。
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公开(公告)号：CN111293068B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201911197829.4
申请日：2019-11-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 上田雄大
IPC: H01L21/683 , H01J37/32 , G01N7/00
Abstract: 一个例示性实施方式所涉及的基板支撑器具备基座、静电卡盘及粘合剂。粘合剂设置于基座的上表面与静电卡盘的下表面之间。基座、粘合剂及静电卡盘提供用于向静电卡盘与基板之间供给导热气体的供给路。在基座的上表面划分形成有一个以上的槽。一个以上的槽在基座的上表面内比供给路更远离该上表面的中心。粘合剂以覆盖一个以上的槽的上端开口的方式设置。能够经由供给路或与该供给路不同的流路向一个以上的槽供给气体。基板支撑器还具备压力传感器。压力传感器设置成测定一个以上的槽中的压力。
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公开(公告)号：CN110808202B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201911006282.5
申请日：2018-02-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置和维护装置。抑制进行基板的输送的输送系统的污染地更换消耗零件。维护装置(100)相对于等离子体蚀刻装置(10)的第2闸门(95)保持气密性、同时安装于等离子体蚀刻装置(10)的第2闸门(95)，该等离子体蚀刻装置(10)在处理容器(30)设有与用于晶圆(W)的输入输出的第1闸门(84)不同的第2闸门(95)。维护装置(100)经由第2闸门(95)进行处理容器(30)内的消耗零件的拆卸、消耗零件向处理容器(30)内的安装、处理容器(30)内的清扫中的至少一者。
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公开(公告)号：CN109210032B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201810736213.9
申请日：2018-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: F15B15/14
Abstract: 本发明提供一种气缸。气缸(10)包括缸体(21)、活塞杆(24)、活塞(25)和控制部(11)。活塞杆(24)的一端配置在缸体(21)内，另一端从缸体(21)突出。活塞(25)设置在活塞杆(24)的一端，通过在缸体(21)内的移动而使活塞杆(24)移动。控制部11)对空间(S1)和空间(S2)这两者中的一者的空间内供给被压缩了的气体并从另一者的空间内吸引气体，其中，空间(S1)是比活塞(25)靠活塞杆(24)侧的缸体(21)内的空间，空间(S2)是隔着活塞(25)位于与空间(S1)相反一侧的缸体(21)内的空间。由此能够提高气缸的推力。
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