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公开(公告)号：CN110284120B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201910207469.5
申请日：2019-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种清洗方法和成膜装置。一种在进行成膜处理之后实施的针对成膜装置的清洗方法，在该成膜处理中，向成膜装置的处理容器内供给原料气体以及能够与原料气体发生反应并生成反应生成物的反应气体，来在基板上形成反应生成物的膜，所述清洗方法包括：在成膜处理中进行控制，使得处理容器内沉积的第一膜与原料气体供给部内沉积的第二膜为不同种类的膜，在成膜处理之后实施如下的清洗处理：从原料气体供给部向处理容器内供给第二膜与第一膜的蚀刻选择比大于1的清洗气体，并对原料气体供给部内沉积的第二膜进行蚀刻来将其去除，在清洗处理之后实施如下的表面控制处理：使所述处理容器内沉积的第一膜的表面状态接近清洗处理之前的状态。
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公开(公告)号：CN109950177A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201811563933.6
申请日：2018-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够降低基板处理区域的气体的流动的偏差，并且减少附着于气体喷嘴的内壁的分解物的附着量的立式热处理装置。一个实施方式的立式热处理装置在将多个基板以沿上下方向具有规定间隔的方式大致水平地保持在基板保持器具中的状态下，向所述多个基板供给原料气体来形成膜，所述立式热处理装置具有：处理容器，其包括收容所述基板保持器具的内管和配置在所述内管的外侧的外管；以及气体喷嘴，其以沿着所述内管的内周面上下延伸的方式设置，所述气体喷嘴的顶端从所述内管的内部贯通到外部，其中，在所述气体喷嘴中形成有向所述内管的内部供给所述原料气体的第一气孔以及向所述内管的外部供给所述原料气体的第二气孔。
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公开(公告)号：CN109509698A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811062556.8
申请日：2018-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L27/11563
Abstract: 本发明提供一种在氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面上形成薄且均匀的膜厚的氧化硅膜的、形成氧化硅膜的方法和装置。在氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面形成氧化硅膜的方法具有以下工序：第一工序，设为将具有氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面的被处理体配置在减压下的处理容器内的状态；第二工序，在氧化硅膜和所述氮化硅膜露出的被处理面形成成为牺牲膜的隔离氮化硅膜；以及第三工序，接着向被处理体供给热能和氧自由基以及氢自由基，将隔离氮化硅膜置换为氧化硅膜。
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公开(公告)号：CN112126913B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202010561531.3
申请日：2020-06-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够抑制膜沉积于气体供给管的内部并且能够均匀地供给气体的气体导入构造、热处理装置以及气体供给方法。本公开的一形态的气体导入构造是向纵长的处理容器内供给处理气体的气体导入构造，所述气体导入构造具有处理气体供给管，所述处理气体供给管在所述处理容器内沿着该处理容器的长度方向延伸，并且具有沿着该长度方向形成的多个气体喷出孔，从所述处理气体供给管的一端朝向另一端向所述处理气体供给管导入处理气体，向所述处理气体供给管的比所述一端靠近所述另一端这一侧供给稀释气体。
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公开(公告)号：CN109950177B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201811563933.6
申请日：2018-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够降低基板处理区域的气体的流动的偏差，并且减少附着于气体喷嘴的内壁的分解物的附着量的立式热处理装置。一个实施方式的立式热处理装置在将多个基板以沿上下方向具有规定间隔的方式大致水平地保持在基板保持器具中的状态下，向所述多个基板供给原料气体来形成膜，所述立式热处理装置具有：处理容器，其包括收容所述基板保持器具的内管和配置在所述内管的外侧的外管；以及气体喷嘴，其以沿着所述内管的内周面上下延伸的方式设置，所述气体喷嘴的顶端从所述内管的内部贯通到外部，其中，在所述气体喷嘴中形成有向所述内管的内部供给所述原料气体的第一气孔以及向所述内管的外部供给所述原料气体的第二气孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110284120A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910207469.5
申请日：2019-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种清洗方法和成膜装置。一种在进行成膜处理之后实施的针对成膜装置的清洗方法，在该成膜处理中，向成膜装置的处理容器内供给原料气体以及能够与原料气体发生反应并生成反应生成物的反应气体，来在基板上形成反应生成物的膜，所述清洗方法包括：在成膜处理中进行控制，使得处理容器内沉积的第一膜与原料气体供给部内沉积的第二膜为不同种类的膜，在成膜处理之后实施如下的清洗处理：从原料气体供给部向处理容器内供给第二膜与第一膜的蚀刻选择比大于1的清洗气体，并对原料气体供给部内沉积的第二膜进行蚀刻来将其去除，在清洗处理之后实施如下的表面控制处理：使所述处理容器内沉积的第一膜的表面状态接近清洗处理之前的状态。
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公开(公告)号：CN101552185B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200910129251.9
申请日：2009-04-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/324 , C23C16/00
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 本发明涉及半导体处理用的反应管和热处理装置。隔开间隔以层叠状态收纳多个被处理体并在减压条件下对上述被处理体实施热处理的半导体处理用的反应管通过电绝缘性且耐热性材料一体地形成。该反应管包括：圆筒形的侧壁，其在下端具有用于相对于上述反应管装载及卸载上述被处理体的装载口；和圆形的顶壁，其闭塞上述侧壁的上端并且与上述侧壁的轴方向正交，内表面形成为平面状，上述顶壁在外表面侧的周边区域具有沿着上述侧壁形成的环状槽。
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公开(公告)号：CN102655085A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210048533.8
申请日：2012-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C16/34
CPC classification number: C23C16/45553 , C23C16/34 , C23C16/45542 , H01L21/28562
Abstract: 本发明提供氮化钛膜的形成方法和氮化钛膜的形成装置。在氮化钛膜的形成方法中，首先，利用升温用加热器将收容有半导体晶圆的反应管内加热到200℃～350℃。接着，向反应管内供给含有钛原料的成膜用气体而在半导体晶圆上形成氮化钛膜。该钛原料采用不含有氯原子而含有钛的甲基环戊二烯基三(二甲基氨基)钛。
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公开(公告)号：CN101552185A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910129251.9
申请日：2009-04-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/324 , C23C16/00
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 本发明涉及半导体处理用的反应管和热处理装置。隔开间隔以层叠状态收纳多个被处理体并在减压条件下对上述被处理体实施热处理的半导体处理用的反应管通过电绝缘性且耐热性材料一体地形成。该反应管包括：圆筒形的侧壁，其在下端具有用于相对于上述反应管装载及卸载上述被处理体的装载口；和圆形的顶壁，其闭塞上述侧壁的上端并且与上述侧壁的轴方向正交，内表面形成为平面状，上述顶壁在外表面侧的周边区域具有沿着上述侧壁形成的环状槽。
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公开(公告)号：CN1276480C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN02817271.X
申请日：2002-08-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , JSR株式会社
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/31058 , H01L21/3122
Abstract: 处理有机硅氧烷膜的方法，包含将配设了聚硅氧烷系药液的涂布膜的基板(W)搬入反应容器(1)内的工序。药液含有从甲基、苯基及乙烯基中选取的官能团和硅原子的结合。此外，本方法含有在反应容器(1)内对基板(W)进行热处理而烧结涂布膜的工序。热处理在含有混合了氨和水的催化剂气体的处理气氛内、300～400℃的处理温度下进行。
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