公开(公告)号：CN113818008A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202110652056.5

申请日：2021-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 坂下训康 ,  小川悟

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明涉及气体喷嘴、基板处理装置以及基板处理方法。本发明提供一种能够抑制气体喷嘴顶端的气体滞留的技术。本公开的一个方式的气体喷嘴是沿着大致圆筒形状的处理容器的内壁内侧在铅垂方向上延伸的气体喷嘴，所述气体喷嘴具有：多个第1气体孔，其沿着长度方向空出间隔地设置；以及第2气体孔，其设于顶端，在从长度方向俯视观察时取向为与设有所述多个第1气体孔的一侧相反的一侧，开口面积比所述多个第1气体孔的各自的开口面积大。

公开(公告)号：CN113818008B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202110652056.5

申请日：2021-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 坂下训康 ,  小川悟

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明涉及气体喷嘴、基板处理装置以及基板处理方法。本发明提供一种能够抑制气体喷嘴顶端的气体滞留的技术。本公开的一个方式的气体喷嘴是沿着大致圆筒形状的处理容器的内壁内侧在铅垂方向上延伸的气体喷嘴，所述气体喷嘴具有：多个第1气体孔，其沿着长度方向空出间隔地设置；以及第2气体孔，其设于顶端，在从长度方向俯视观察时取向为与设有所述多个第1气体孔的一侧相反的一侧，开口面积比所述多个第1气体孔的各自的开口面积大。

公开(公告)号：CN112126913B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202010561531.3

申请日：2020-06-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菱屋晋吾 ,  孙成德 ,  北村昌幸 ,  小川悟

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够抑制膜沉积于气体供给管的内部并且能够均匀地供给气体的气体导入构造、热处理装置以及气体供给方法。本公开的一形态的气体导入构造是向纵长的处理容器内供给处理气体的气体导入构造，所述气体导入构造具有处理气体供给管，所述处理气体供给管在所述处理容器内沿着该处理容器的长度方向延伸，并且具有沿着该长度方向形成的多个气体喷出孔，从所述处理气体供给管的一端朝向另一端向所述处理气体供给管导入处理气体，向所述处理气体供给管的比所述一端靠近所述另一端这一侧供给稀释气体。

公开(公告)号：CN109950177B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201811563933.6

申请日：2018-12-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木镰英司 ,  岛裕巳 ,  高京硕 ,  菱屋晋吾 ,  铃木启介 ,  城俊彦 ,  板桥贤 ,  小川悟

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种能够降低基板处理区域的气体的流动的偏差，并且减少附着于气体喷嘴的内壁的分解物的附着量的立式热处理装置。一个实施方式的立式热处理装置在将多个基板以沿上下方向具有规定间隔的方式大致水平地保持在基板保持器具中的状态下，向所述多个基板供给原料气体来形成膜，所述立式热处理装置具有：处理容器，其包括收容所述基板保持器具的内管和配置在所述内管的外侧的外管；以及气体喷嘴，其以沿着所述内管的内周面上下延伸的方式设置，所述气体喷嘴的顶端从所述内管的内部贯通到外部，其中，在所述气体喷嘴中形成有向所述内管的内部供给所述原料气体的第一气孔以及向所述内管的外部供给所述原料气体的第二气孔。

公开(公告)号：CN112126913A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN202010561531.3

申请日：2020-06-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菱屋晋吾 ,  孙成德 ,  北村昌幸 ,  小川悟

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够抑制膜沉积于气体供给管的内部并且能够均匀地供给气体的气体导入构造、热处理装置以及气体供给方法。本公开的一形态的气体导入构造是向纵长的处理容器内供给处理气体的气体导入构造，所述气体导入构造具有处理气体供给管，所述处理气体供给管在所述处理容器内沿着该处理容器的长度方向延伸，并且具有沿着该长度方向形成的多个气体喷出孔，从所述处理气体供给管的一端朝向另一端向所述处理气体供给管导入处理气体，向所述处理气体供给管的比所述一端靠近所述另一端这一侧供给稀释气体。

公开(公告)号：CN109950177A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201811563933.6

申请日：2018-12-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木镰英司 ,  岛裕巳 ,  高京硕 ,  菱屋晋吾 ,  铃木启介 ,  城俊彦 ,  板桥贤 ,  小川悟

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种能够降低基板处理区域的气体的流动的偏差，并且减少附着于气体喷嘴的内壁的分解物的附着量的立式热处理装置。一个实施方式的立式热处理装置在将多个基板以沿上下方向具有规定间隔的方式大致水平地保持在基板保持器具中的状态下，向所述多个基板供给原料气体来形成膜，所述立式热处理装置具有：处理容器，其包括收容所述基板保持器具的内管和配置在所述内管的外侧的外管；以及气体喷嘴，其以沿着所述内管的内周面上下延伸的方式设置，所述气体喷嘴的顶端从所述内管的内部贯通到外部，其中，在所述气体喷嘴中形成有向所述内管的内部供给所述原料气体的第一气孔以及向所述内管的外部供给所述原料气体的第二气孔。