公开(公告)号：CN1276480C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN02817271.X

申请日：2002-08-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  JSR株式会社

Inventor： 菱屋晋吾 ,  佐野哲哉 ,  关口学 ,  三田伦广

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3122

Abstract: 处理有机硅氧烷膜的方法，包含将配设了聚硅氧烷系药液的涂布膜的基板(W)搬入反应容器(1)内的工序。药液含有从甲基、苯基及乙烯基中选取的官能团和硅原子的结合。此外，本方法含有在反应容器(1)内对基板(W)进行热处理而烧结涂布膜的工序。热处理在含有混合了氨和水的催化剂气体的处理气氛内、300～400℃的处理温度下进行。

公开(公告)号：CN1552094A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN02817271.X

申请日：2002-08-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  JSR株式会社

Inventor： 菱屋晋吾 ,  佐野哲哉 ,  关口学 ,  三田伦广

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3122

Abstract: 处理有机硅氧烷膜的方法，包含将配设了聚硅氧烷系药液的涂布膜的基板(W)搬入反应容器(1)内的工序。药液含有从甲基、苯基及乙烯基中选取的官能团和硅原子的结合。此外，本方法含有在反应容器(1)内对基板(W)进行热处理而烧结涂布膜的工序。热处理在含有混合了氨和水的催化剂气体的处理气氛内、300～400℃的处理温度下进行。