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公开(公告)号：CN109950177B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201811563933.6
申请日：2018-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够降低基板处理区域的气体的流动的偏差，并且减少附着于气体喷嘴的内壁的分解物的附着量的立式热处理装置。一个实施方式的立式热处理装置在将多个基板以沿上下方向具有规定间隔的方式大致水平地保持在基板保持器具中的状态下，向所述多个基板供给原料气体来形成膜，所述立式热处理装置具有：处理容器，其包括收容所述基板保持器具的内管和配置在所述内管的外侧的外管；以及气体喷嘴，其以沿着所述内管的内周面上下延伸的方式设置，所述气体喷嘴的顶端从所述内管的内部贯通到外部，其中，在所述气体喷嘴中形成有向所述内管的内部供给所述原料气体的第一气孔以及向所述内管的外部供给所述原料气体的第二气孔。
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公开(公告)号：CN116960021A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310407798.0
申请日：2023-04-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，能够抑制处理容器内的气体的流动不均。本公开的一个方式的基板处理装置具备：内筒，其内部形成有用于收容基板的第一区域；外筒，其隔着第二区域地设置于所述内筒的外侧，所述外筒的侧壁的端部具有排气端口；喷嘴，其向所述第一区域喷出气体；以及气体流调整部，其在从所述第一区域到所述排气端口的所述气体的流路内包括从所述气体的流通方向的上游侧朝向下游侧设置的多个狭缝。
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公开(公告)号：CN112626498A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202010982683.0
申请日：2020-09-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/455 , H01L21/687
Abstract: 本发明涉及成膜装置和成膜方法。提供一种能够以较高的精度调整膜厚的面内分布的技术。本公开的一方式的成膜装置包括：处理室；旋转台，其设于所述处理室内，具有能够在上表面沿着周向载置基板的基板载置区域；原料气体供给部，其设于所述旋转台的上方，沿着所述旋转台的半径方向延伸；多个辅助气体供给部，其相对于所述原料气体供给部设于所述旋转台的旋转方向上的下游侧处的所述旋转台的上方，沿着所述旋转台的所述半径方向具有规定间隔地设置；以及气体排气部，其相对于所述辅助气体供给部设于所述旋转台的旋转方向上的下游侧处的所述旋转台的上方，沿着所述旋转台的所述半径方向延伸。
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公开(公告)号：CN109950177A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201811563933.6
申请日：2018-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够降低基板处理区域的气体的流动的偏差，并且减少附着于气体喷嘴的内壁的分解物的附着量的立式热处理装置。一个实施方式的立式热处理装置在将多个基板以沿上下方向具有规定间隔的方式大致水平地保持在基板保持器具中的状态下，向所述多个基板供给原料气体来形成膜，所述立式热处理装置具有：处理容器，其包括收容所述基板保持器具的内管和配置在所述内管的外侧的外管；以及气体喷嘴，其以沿着所述内管的内周面上下延伸的方式设置，所述气体喷嘴的顶端从所述内管的内部贯通到外部，其中，在所述气体喷嘴中形成有向所述内管的内部供给所述原料气体的第一气孔以及向所述内管的外部供给所述原料气体的第二气孔。
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公开(公告)号：CN306663249S
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202030742738.1
申请日：2020-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 1.本外观设计产品的名称：半导体制造装置用反应管。
2.本外观设计产品的用途：本产品是在半导体制造成膜过程中，安装在成膜装置内，使产品晶圆与气体进行反应的管。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。
5.设计2左视图与设计2右视图对称，省略设计2左视图;设计4左视图与设计4右视图对称，省略设计4左视图。
6.指定设计1为基本设计。
7.各设计的使用状态A‑A剖视参考图中D为本物品。
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