公开(公告)号：CN101326634A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200580052239.2

申请日：2005-12-08

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 王文生

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/66 ,  H01L23/52 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05178 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 提供一种具有增加了探针接触强度的焊盘的半导体器件。半导体器件具有：半导体衬底；半导体元件，其形成在半导体衬底上；绝缘膜，其覆盖半导体元件，并且形成在半导体衬底的上方；多层布线结构，其形成在绝缘膜中；焊盘电极结构，其与多层布线结构连接，并形成在绝缘膜上，而且具有导电紧贴膜、导电焊盘电极以及导电性氢阻挡膜，其中，该导电焊盘电极形成在导电紧贴膜的上方，该导电性氢阻挡膜形成在导电焊盘电极的上方。

公开(公告)号：CN101189721A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200580049945.1

申请日：2005-06-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 王文生

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L24/05 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57 ,  H01L28/75 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体衬底(10)的上方形成铁电电容器(42)后，形成直接覆盖铁电电容器(42)的阻挡膜(46)。然后，形成与铁电电容器(42)连接的布线(56a等)。进一步，在布线(42)的上方形成阻挡膜(58)。而且，在形成阻挡膜(46)时形成层叠体，上述层叠体至少具有两种组分不同并且可防止氢或水扩散的防扩散膜(46a以及46b)。

公开(公告)号：CN1918704A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200480041890.5

申请日：2004-05-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 王文生

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57 ,  H01L28/60

Abstract: 在半导体基板(1)的上方形成有具备了下部电极(9a)、铁电膜(10a)和上部电极(11a)的铁电电容器，铁电膜(10a)由添加了0.1摩尔％至5摩尔％的La作为受主元素、添加了0.1摩尔％至5摩尔％的Nb作为施主元素的CSPZT构成。