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公开(公告)号：CN114086136B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202111327639.7
申请日：2021-11-10
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种FeCoCr磁码盘薄膜材料，属于磁性材料技术领域，包括基底，在所述基底上采用磁控溅射法交替沉积的FeCoCr/Si周期性多层膜，以及采用磁控溅射法沉积于所述周期性多层膜上的顶层保护层，用于防止所述周期性多层膜被氧化。本发明还提供了一种FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法。本发明的FeCoCr磁码盘薄膜材料，设计成FeCoCr/Si周期性多层膜结构，通过优化磁性层FeCoCr和非磁性层Si的厚度以及周期数，可以对周期性多层膜的矫顽力等磁性能有很好的调控作用，可使FeCoCr薄膜的矫顽力稳定保持600Oe以上，满足磁编码器码盘材料对矫顽力的实际应用需求。并且，本发明的FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法，简单、控制方便、效率高且成本低。
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公开(公告)号：CN114279481B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202111417615.0
申请日：2021-11-25
Applicant: 季华实验室
IPC: G01D18/00
Abstract: 本发明涉及编码器测试技术领域，公开了一种编码器转速波动性测试系统及方法。该系统包括：伺服驱动器、伺服电机、待测编码器、差分转单端模块、数据采集卡、测试装置；所述待测编码器安装在所述伺服电机上；所述待测编码器与所述差分转单端模块信号连接；所述数据采集卡分别与所述差分转单端模块、所述测试装置信号连接；所述测试装置用于基于所述待测编码器产生的脉冲信号，对所述待测编码器进行转速波动性测试。本发明提供的编码器转速波动性测试系统，结构简单、操作方便，显著降低了编码器转速波动性测试的成本。
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公开(公告)号：CN113241253B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202110538469.0
申请日：2021-05-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供的铁磁/氧化物多层膜的制备方法，对Ta和Co40Fe40B20的表面进行清洗，在基片上依次沉积所述Ta2O5、Ta、Co40Fe40B20、MgO及Ta，从而形成Ta2O5/Ta/Co40Fe40B20/MgO/Ta的薄膜体系，在真空环境下，对所述薄膜体系进行热处理，重复上述步骤得到所述铁磁/氧化物多层膜，本申请提供的铁磁/氧化物多层膜的制备方法，通过在多层膜最底层插入同质氧化物来达到减弱原子扩散的目的，可以有效调控多层膜界面氧迁移程度的变化，获得适度且有益的Fe‑O轨道杂化状态，从而优化CoFeB/MgO界面处Fe 3d和O 2p轨道耦合作用，导致了很好的垂直磁各向异性热稳定性，上述制备工艺简单、控制方便、效率高、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN115233089A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210529639.3
申请日：2022-05-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请公开了一种柔轮用特殊钢及其制备工艺，所述柔轮用特殊钢采用中碳高强度特殊钢制成，所述中碳高强度特殊钢的化学成分按质量百分含量包括：C：0.38％‑0.40％、Si：0.15％‑0.25％、Mn：1.0％‑1.20％、Cr：0.8％‑2.20％、Ni：0.5％‑0.8％、Mo：0.20％‑0.25％、B：0.0005％‑0.0010％、Sn：0.01‑0.02％、P≤0.012％、S≤0.005％、Cu：0.30％‑0.40％，余量为Fe及不可避免的杂质。本申请解决了现有技术柔轮材料的耐候性较差的技术问题。
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公开(公告)号：CN114002252A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111652469.X
申请日：2021-12-31
Applicant: 季华实验室
IPC: G01N23/2273
Abstract: 本发明公开了多层薄膜材料的垂直磁各向异性检测方法，涉及材料分析领域，包括以下步骤：从磁性金属元素中选取目标元素；获取多层薄膜材料具备垂直磁各向异性时的氧化度预测范围；获取COB；获取CB；根据公式I计算多层薄膜材料的氧化度ε的实测值；判定多层薄膜材料的实测值是否在氧化度预测范围内；若多层薄膜材料的实测值在氧化度预测范围内，则多层薄膜材料具备垂直磁各向异性，反之，则不具备。本发明提供的多层薄膜材料的垂直磁各向异性检测方法，通过半定量数据对垂直磁各向异性进行表征，测试方法简单、直接且快捷；后续可以通过半定量的氧化度ε的实测值作为垂直磁各向异性的定量指标，有助于进一步研究。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113241253A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110538469.0
申请日：2021-05-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供的铁磁/氧化物多层膜的制备方法，对Ta和Co40Fe40B20的表面进行清洗，在基片上依次沉积所述Ta2O5、Ta、Co40Fe40B20、MgO及Ta，从而形成Ta2O5/Ta/Co40Fe40B20/MgO/Ta的薄膜体系，在真空环境下，对所述薄膜体系进行热处理，重复上述步骤得到所述铁磁/氧化物多层膜，本申请提供的铁磁/氧化物多层膜的制备方法，通过在多层膜最底层插入同质氧化物来达到减弱原子扩散的目的，可以有效调控多层膜界面氧迁移程度的变化，获得适度且有益的Fe‑O轨道杂化状态，从而优化CoFeB/MgO界面处Fe 3d和O 2p轨道耦合作用，导致了很好的垂直磁各向异性热稳定性，上述制备工艺简单、控制方便、效率高、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN118888255A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411394036.2
申请日：2024-10-08
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种CoFeB基磁性多层膜及其制备方法。本发明通过引入TiC层，TiC层可以有效地抑制Ta的扩散，使得Ta/CoFeB界面更加的平整，有利于获得垂直磁各向异性；TiC层可以有效在多层膜中引入C原子，引入C原子可以有效调控Fe和O之间的轨道杂化作用，进而可以有效通过C、O双离子的双层作用协同驱动多层膜的磁各向异性由面内向面外转化，即使得磁性多层膜获得垂直磁各向异性；本发明通过C、O双离子调控作用，增加材料调控的自由度，提高性能调控的幅度，从多角度出发，大大提高对薄膜垂直磁各向异性的调控，并且进一步提升了CoFeB基磁性多层膜的热稳定性。
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公开(公告)号：CN118448281A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410630971.8
申请日：2024-05-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及芯片封装技术领域，具体提供了及一种多面管脚芯片封装方法及封装结构，该方法包括以下步骤：将多面管脚芯片的底面朝下贴附在芯片容置凹槽内的第一导电层上；在多面管脚芯片与芯片容置凹槽之间形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成分别与多面管脚芯片的两个侧面上的管脚电性连接的两个第二导电层，并在两个第二导电层之间形成第二绝缘层；在芯片容置凹槽的至少一侧形成贯通芯片容置层的第一导电柱，并在芯片容置层顶面形成电连接结构；去除载板和部分第一导电层，并在第一导电层上形成塑封层在载板上依次形成第一导电层和芯片容置层；该方法能够有效地降低多面管脚芯片的封装成本和提高多面管脚芯片封装结构的可靠性。
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公开(公告)号：CN115157135B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202210641215.6
申请日：2022-06-08
Applicant: 季华实验室
IPC: B25B11/00
Abstract: 本发明涉及工业工程技术领域，公开了一种快速装夹装置。快速装夹装置包括底座、安装结构、转动结构、第一复位弹性件和多个夹紧件，安装结构设置于底座上，安装结构对应设有多个径向滑槽；转动结构转动设置于安装结构上，位于安装结构和底座之间，转动结构对应多个径向滑槽设有多个偏心滑槽，偏心滑槽与径向滑槽在同一投影面上呈预设夹角设置；第一复位弹性件的一端设置于安装结构上，另一端设置于转动结构上；各夹紧件分别穿过径向滑槽并对应滑动设置于偏心滑槽上；在装夹工件时，转动转动结构带动夹紧件做径向远离圆心运动，松开转动结构，第一复位弹性件复位，带动夹紧件做径向靠近圆心运动快速将工件夹紧。装夹时间短、效率和通用性高。
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公开(公告)号：CN117881268A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311737758.9
申请日：2023-12-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明实施例涉及磁感应器技术领域，公开了一种磁阻元件以及各向异性磁电阻薄膜传感器，该磁阻元件包括第一平衡组以及第二平衡组，第一平衡组具有N个平行设置的第一磁阻条，第二平衡组具有N个平行设置的第二磁阻条，所述第一磁阻条之间均间隔两个所述第二磁阻条设置，且相邻的任意两个磁阻条之间的距离相等，相邻的所述第一磁阻条与所述第二磁阻条以并联或串联方式进行电连接，以减小所述第一平衡组和所述第二平衡组之间的电阻误差。从而解决现有技术中各向异性磁电阻薄膜传感器的制作工艺导致的电阻误差。
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