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公开(公告)号：CN119372601A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411553044.7
申请日：2024-11-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于磁性材料及传感技术领域领域，具体公开了一种磁码盘材料、角位移磁传感器、数控机床高速电主轴及制备方法，该磁码盘材料包括金属衬底、Ta缓冲层、FeCoCr夹合TaN低维磁性薄膜和Ta保护层，还公开了一种利用此磁码盘材料制成的角位移磁传感器，该角位移磁传感器AB相充磁磁极512个，间距0.4mm；Z相充磁磁极1个，宽度0.4mm，且Z相不扩散。本发明所公开的磁码盘材料具有更加优异的磁畴尺寸，具有优秀的矫顽力和剩磁性能，进而在应用于角位移磁传感器时可以提供更优异的磁极密度，使得信号密度更高，通过磁传感器AB相与Z相的匹配结构，进而使得角位移磁传感器具有更加优异的精密度，从而在应用于数控机床高速电主轴时可以提升数控机床的精密性。
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公开(公告)号：CN117309009A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311247697.8
申请日：2023-09-25
Applicant: 季华实验室
IPC: G01D5/244
Abstract: 本发明实施例涉及编码器精度补偿的技术领域，公开了一种编码器精度补偿电路以及编码器精度补偿装置，该编码器精度补偿电路包括信号处理电路、角度偏差测量电路以及可编程逻辑阵列，信号处理电路获取编码器发出的多路正余弦信号，并将多路正余弦信号转换为对应的角度数字信号。角度偏差测量电路对角度数字信号的角度偏差进行测量以得到角度偏差数据，可编程逻辑阵列根据角度偏差数据对角度数字信号进行角度补偿，并将补偿后的角度数字信号输出至伺服驱动器，以提高伺服电机接收的角度数字信号的精度。从而能在使得在此过程中编码器的精度趋近于编码器本身的重复精度。
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公开(公告)号：CN115394761A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210916550.2
申请日：2022-08-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供一种磁传感器芯片及其制备方法以及磁编码器，其中，磁传感器芯片包括基板、设置在基板上的磁阻元件组和与磁阻元件组连接的电极。磁阻元件组设置为八组，八组磁阻元件组沿同一圆心均布；每组磁阻元件组包括两个磁阻元件，每个磁阻元件包括四个与磁阻元件组同心并呈扇形均布的磁阻条；每组磁阻元件组中一个磁阻元件的磁阻条与另一个磁阻元件中对应位置的磁阻条的圆心角为15°；一组磁阻元件组中的磁阻条与其相邻的另一组磁阻元件组中对应位置的磁阻条的圆心角为30°。通过磁阻元件组和构成磁阻元件的磁阻条的布置方式，能够有效消除芯片输出信号中的三次谐波，使得输出信号更接近完整的正弦波与余弦波，从而提高旋转角度的检测分辨率。
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公开(公告)号：CN114086136A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111327639.7
申请日：2021-11-10
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种FeCoCr磁码盘薄膜材料，属于磁性材料技术领域，包括基底，在所述基底上采用磁控溅射法交替沉积的FeCoCr/Si周期性多层膜，以及采用磁控溅射法沉积于所述周期性多层膜上的顶层保护层，用于防止所述周期性多层膜被氧化。本发明还提供了一种FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法。本发明的FeCoCr磁码盘薄膜材料，设计成FeCoCr/Si周期性多层膜结构，通过优化磁性层FeCoCr和非磁性层Si的厚度以及周期数，可以对周期性多层膜的矫顽力等磁性能有很好的调控作用，可使FeCoCr薄膜的矫顽力稳定保持600Oe以上，满足磁编码器码盘材料对矫顽力的实际应用需求。并且，本发明的FeCoCr磁码盘薄膜材料的制备方法，简单、控制方便、效率高且成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119900002A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510392021.0
申请日：2025-03-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于金属磁性薄膜材料技术领域，具体公开了一种磁码盘材料及制备方法、磁编码器，该磁码盘材料中包括有双Au催化磁力层和Ta层，其中双Au催化FeCrCoMoTi磁力层包括有第一Au层、FeCrCoMoTi层和第二Au层；FeCrCoMoTi磁码盘材料还经过645℃‑655℃真空退火。本申请还提供了上述磁码盘材料的具体制备方法，以及包括上述磁码盘材料的磁编码器。本申请所提供的包括双Au催化FeCrCoMoTi磁力层的磁码盘材料，制备工艺简单，相较传统的FeCrCoMoTi薄膜，其矫顽力有明显增幅，且同时制备过程简单高效，成本较低。
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公开(公告)号：CN118534383A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410631120.5
申请日：2024-05-21
Applicant: 季华实验室
IPC: G01R33/00 , H02K11/215 , G01R33/09
Abstract: 本发明涉及磁传感器技术领域，公开了一种磁阻元件、磁传感器及其制备方法以及电机，该磁阻元件通过在每一磁阻结构设计两种延伸方向不同的第一磁阻条以及第二磁阻条，使之呈目标夹角设置，任一磁阻结构的第一磁阻条与当前磁阻结构的第二磁阻条呈第一相位差设置，任一磁阻结构的第一磁阻条与另一磁阻结构的第二磁阻条呈第二相位差设置；第一相位差与第二相位差具有倍数关系，以消除高次谐波，从而使得磁阻元件输出的高次谐波信号的有效值为零，从而实现消除高次谐波的目的。
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公开(公告)号：CN117604360A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311700564.1
申请日：2023-12-11
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及磁性材料技术领域。本发明提供了一种FeCoCr磁码盘材料及其制备方法和应用。本发明通过在FeCoCr薄膜层表面引入MgO层，通过控制MgO层中氧元素在FeCoCr薄膜层界面的迁移，可以对FeCrCo薄膜层的矫顽力和剩磁进行有效地调控，晶粒的大幅细化和FeCrCo界面处较高α相的形成；本发明在FeCoCr薄膜层表面引入MgO层后，FeCoCr磁码盘材料的矫顽力由348Oe提升至397～439Oe，剩磁由3507Oe提升至6534～8721Oe，剩磁比由0.71提升至0.76～0.77，提升了磁码盘材料的矫顽力，并且获得了很高的剩磁，磁码盘材料达到了磁编码器码盘的实际应用需求。
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公开(公告)号：CN117393357A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311290713.1
申请日：2023-10-07
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及磁性材料技术领域。本发明提供了一种磁码盘薄膜及其制备方法、磁编码器。本发明的磁码盘薄膜，包括位于衬底表面的[SrFe12O19膜/Co膜]n多周期铁氧体薄膜，代替常规铁氧体块体，在纳米尺度范围内，薄膜的磁畴非常均匀，在进行信号的写入时可以写入更高的密度；相比传统的SrFe12O19膜，本发明的磁码盘薄膜，引入Co膜作为周期性的插层，可以大幅提升薄膜的剩磁(剩磁由引入Co膜层前的约2500Oe，提升为引入Co膜插层后的约3700Oe；饱和磁化强度由引入Co膜层前的约3000Oe，提升为引入Co膜插层后的约5200Oe)，有利于后续写入NS磁信号后，磁码盘表磁强度的提升。
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公开(公告)号：CN114755945A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210258819.2
申请日：2022-03-16
Applicant: 季华实验室
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明涉及编码器技术领域，公开了一种磁编码器倍频处理系统及倍频处理方法。该系统包括：磁传感器芯片、运算放大电路、STM32单片机、稳压模块、FPGA芯片；运算放大电路分别与磁传感器芯片、STM32单片机信号连接；稳压模块分别与STM32单片机、FPGA芯片信号连接；FPGA芯片用于接收稳压模块输出的脉冲信号，并记录相邻两个脉冲信号的时间间隔记作当前的时钟周期；对时钟周期进行倍频处理，得到倍频周期；基于倍频周期进行脉冲输出，得到倍频后的脉冲信号。本发明倍频处理系统结构简单，各部件相互独立，方便维护和复用，使用FPGA芯片对脉冲进行倍频处理，显著提高了输出脉冲的频率，满足高精度细分产品的使用需求。
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