公开(公告)号：CN101179058A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710196110.X

申请日：2004-05-13

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 谷田一真 ,  根本义彦 ,  田中直敬

IPC: H01L23/485 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种半导体芯片，包括：具有表面及背面的半导体基板；在该半导体基板的所述表面形成的功能元件；以及与该功能元件电连接，配置在在该功能元件的侧面沿厚度方向贯通所述半导体基板的贯通孔内，并将所述半导体基板的所述表面侧及所述背面侧电连接的贯通电极，所述贯通电极，包括：具有形成至所述贯通孔深度方向的中途、以便塞住所述贯通孔的部分的籽晶层；配置在比所述籽晶层的塞住所述贯通孔的部分更靠近所述表面侧的表面侧电极；以及配置在比所述籽晶层的塞住所述贯通孔的部分更靠近所述背面侧的背面侧电极。

公开(公告)号：CN100437951C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200310116443.9

申请日：2003-11-21

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社瑞萨科技 ,  三洋电机株式会社

Inventor： 谷田一真 ,  根本义彦 ,  梅本光雄

IPC: H01L21/44 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括：在半导体基板上形成由金属构成的、在给定位置上具有开口的阻挡掩模层的工艺；向上述阻挡掩模层的开口内供给金属材料并形成由该金属构成的凸出电极的金属材料供给工艺；在该金属材料供给工艺之后除去上述阻挡掩模层的工艺。

公开(公告)号：CN100383937C

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200410044584.9

申请日：2004-05-13

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 谷田一真 ,  根本义彦 ,  田中直敬

IPC: H01L21/44 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种半导体芯片的制造方法，包括：从具有表面及背面且在表面上形成有功能元件的半导体基板的表面，形成沿该半导体基板的厚度方向延伸的表面侧凹处的工序；向该表面侧凹处内供给金属材料，形成与功能元件电连接的表面侧电极的表面侧电极形成工序；从背面去除半导体基板，将半导体基板薄形化至比表面侧凹处的深度大的所定厚度的薄型化工序；在该薄型化工序之后，通过在半导体基板的背面形成与表面侧凹处连通的背面侧凹处，从而形成包括表面侧凹处和背面侧凹处在内的连续的贯通孔的背面侧凹处形成工序；向背面侧凹处供给金属材料，形成与表面侧电极电连接的、与表面侧电极一起构成贯通半导体基板的贯通电极的背面侧电极形成工序。

公开(公告)号：CN1738002A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510084836.5

申请日：2005-07-18

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  罗姆股份有限公司 ,  日本电气株式会社 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 梅本光雄 ,  冈山芳央 ,  谷田一真 ,  寺尾博 ,  根本义彦

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05548

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其具有贯通电极，能够使工序简化，将制造成本抑制得极低，同时，谋求有效利用率的提高。在半导体衬底(10)的表面形成第一绝缘膜(11)，蚀刻其一部分，形成露出半导体衬底(10)的一部分的开口部(11a)。其次，形成从开口部(11a)内延伸到第一绝缘膜(11)上的焊盘电极(12)。在半导体衬底(10)的背面上形成第二绝缘膜(15)。然后，形成具有比开口部(11a)大的口径的通路孔(16)。形成从通路孔(16)内延伸到第二绝缘膜(15)上的第三绝缘膜(17)，蚀刻通路孔(16)底部的第三绝缘膜(17)，露出焊盘电极(12)。然后，在通路孔(16)内形成贯通电极(19)及配线层(20)。最后，将半导体衬底(10)切断分离成多个半导体芯片(10A)。

公开(公告)号：CN1604293A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410011782.5

申请日：2004-09-29

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社瑞萨科技 ,  三洋电机株式会社

Inventor： 谷田一真 ,  根本义彦 ,  梅本光雄

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种半导体装置的制造方法及半导体装置，该制造方法包括：形成钝化膜的工序，上述钝化膜覆盖形成有电极的半导体基板的形成该电极的一面并形成有使规定的该电极露出的开口；在上述钝化膜的开口附近，形成由金属构成的扩散防止接头的工序；向上述半导体基板的形成上述扩散防止接头的一面供给金属材料而形成由该金属构成的晶种层的工序；形成抗蚀剂膜的工序，上述抗蚀剂膜覆盖上述晶种层并形成有使上述扩散防止接头上方的上述晶种层的规定区域露出的开口；向上述抗蚀剂膜的开口内供给金属材料而形成由该金属构成的突起电极的工序；在形成该突起电极的工序后，去除上述抗蚀剂膜的工序；在形成上述突起电极的工序后，去除上述晶种层的工序。

公开(公告)号：CN100521176C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200710196110.X

申请日：2004-05-13

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 谷田一真 ,  根本义彦 ,  田中直敬

IPC: H01L23/485 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种半导体芯片，包括：具有表面及背面的半导体基板；在该半导体基板的所述表面形成的功能元件；以及与该功能元件电连接，配置在该功能元件的侧面沿厚度方向贯通所述半导体基板的贯通孔内，并将所述半导体基板的所述表面侧及所述背面侧电连接的贯通电极，所述贯通电极，包括：具有形成至所述贯通孔深度方向的中途、以便塞住所述贯通孔的部分的籽晶层；配置在比所述籽晶层的塞住所述贯通孔的部分更靠近所述表面侧的表面侧电极；以及配置在比所述籽晶层的塞住所述贯通孔的部分更靠近所述背面侧的背面侧电极。

公开(公告)号：CN1505138A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310119538.6

申请日：2003-11-28

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  株式会社东芝 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 根本义彦 ,  谷田一真 ,  高桥健司

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明得到易制造的半导体器件。具备：互相相向配置的第1和第2半导体衬底1、2；在第1半导体衬底1的相向面上形成、由第1半导体电路3和第1电极7构成的第1半导体元件5；在第2半导体衬底2的相向面上形成、由第2半导体电路4和第2电极8构成的第2半导体元件6；夹在第1与第2电极7、8之间的布线层9；及贯通第1半导体衬底1，经布线层9与第1和第2电极7、8连接的贯通电极12，第2半导体衬底2在贯通电极12的侧面方向隔开配置，从第1半导体衬底1突出的贯通电极12的侧面和第2半导体元件6的侧面被绝缘材料13覆盖，贯通电极12的一端从第1半导体衬底1背面露出，另一端位于与第2半导体衬底2背面相同的高度，并从绝缘材料13露出。

公开(公告)号：CN1577733A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410008003.6

申请日：2004-03-05

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  株式会社东芝 ,  新光电气工业株式会社

Inventor： 根本义彦 ,  春原昌宏 ,  高桥健司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明可以在半导体晶片与支撑板贴合前后不对运送系统进行改变而将其加以利用，同时得到能放宽对半导体晶片的加工精度以及半导体晶片与支撑板的对位精度的要求，提高半导体元件的制造效率的半导体晶片。本发明的半导体晶片在边缘部形成了通过对背面削除来进行分离的台阶部4部，该台阶部4的深度大于通过对背面进行削除加工而形成的最终加工厚度，并且它的从平坦面1a向径向外侧方向延伸的尺寸比半导体晶片1和同该半导体晶片1有大致相同直径的支撑板的直径尺寸的加工公差的最大值－最小值之差与将半导体晶片1同支撑板贴合时产生的对位误差的最大值的总和值大。