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公开(公告)号：CN103348484A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201280007738.X
申请日：2012-01-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/417
Abstract: 漏极电极（17）包括：以覆盖半导体层（14）的上表面的一部分的方式层叠的下层漏极电极（17a）和上层漏极电极（17b），半导体层（14）、下层漏极电极（17a）和上层漏极电极（17b）构成为台阶状，在构成为上述台阶状的部分，下层漏极电极（17a）的周边与上层漏极电极（17b）的周边的距离大于0.4μm且小于1.5μm。
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公开(公告)号：CN102473369A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080032650.4
申请日：2010-05-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1343 , G02F1/1345 , G09F9/00 , H01L51/50 , H05B33/04 , H05B33/06 , H05B33/10 , H05B33/26
CPC classification number: H01L27/3276 , G02F1/1345 , G02F1/136286 , H01L27/3258
Abstract: 提供能防止覆盖有机绝缘膜的端面的透明导电膜的缺陷引起的金属电极的腐蚀的配线基板。有源矩阵基板(20)在玻璃基板(21)上设有：扫描配线(22)、栅极绝缘膜(24)、层间绝缘膜(29)、透明电极(33)。在扫描配线(22)中设有在扫描配线(22)上直接层叠有透明电极(33)的端子部(55)。透明电极(33)覆盖层间绝缘膜(29)的端面(29a)和栅极绝缘膜(24)的端面(24a)，延伸配置到端子部(55)。与端子部(55)相对的层间绝缘膜(29)的端面(29a)比与端子部(55)相对的栅极绝缘膜(24)的端面(24a)远离端子部。
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公开(公告)号：CN102308330A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200980156141.X
申请日：2009-12-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1345 , H05K1/09 , H05K1/11
CPC classification number: H05K1/115 , G02F1/1345 , G02F1/13458 , H05K2201/0326 , H05K2201/09509
Abstract: 由透明导电薄膜(10)在多个部位连接第1配线(2)和第2配线(6)来构成连接端子。连接端子部分成为利用第1配线(2)和第2配线(6)的并联连接，且第1配线(2)和第2配线(6)在多个部位连接，因此，大幅度降低断线的风险。由此，防止显示装置等的连接端子部分的腐蚀造成的断线。
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公开(公告)号：CN110011054B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201811361698.4
申请日：2018-11-15
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 提供在能够抑制扫描天线的天线性能的下降的同时，使扫描天线的成本降低的TFT基板、具备TFT基板的扫描天线、及TFT基板的制造方法。TFT基板(101)具有电介质基板(1)、和在电介质基板(1)上排列的多个天线单元区域(U)。多个天线单元区域(U)的各个天线单元区域具有TFT(10)、和电连接到TFT(10)的漏极电极(7D)的贴片电极(15)。贴片电极(15)包含：第一电极层(15a)，其由与TFT(10)的栅极电极(3G)相同的导电膜形成；和第二电极层(15b)，其由与TFT(10)的源极电极(7S)相同的导电膜形成。
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公开(公告)号：CN110192306B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201880006489.X
申请日：2018-01-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01Q3/34 , G02F1/13 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , H01L29/786 , H01Q3/44 , H01Q13/22 , H01Q21/06 , G02F1/1368
Abstract: 扫描天线(1000)具有：TFT基板(101)，其具有支撑于第1电介质基板(1)的多个TFT、以及多个贴片电极(15)；缝隙基板(201C)，其具有支撑于第2电介质基板(51)的缝隙电极(55)；液晶层，其设置在TFT基板与缝隙基板之间；以及反射导电板(65)，其以隔着电介质层与上述第2电介质基板相对的方式配置。缝隙电极(55)具有与多个贴片电极(15)对应地配置的多个缝隙(57)，贴片电极(15)连接到对应的TFT的漏极，缝隙电极(55)具有Cu层(55MC、55MD)、以及下侧金属层(55LC、55LD)和/或上侧金属层(55UD)，下侧金属层和/或上侧金属层使Cu层具有的拉伸应力减小约一半以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110011054A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811361698.4
申请日：2018-11-15
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 提供在能够抑制扫描天线的天线性能的下降的同时，使扫描天线的成本降低的TFT基板、具备TFT基板的扫描天线、及TFT基板的制造方法。TFT基板(101)具有电介质基板(1)、和在电介质基板(1)上排列的多个天线单元区域(U)。多个天线单元区域(U)的各个天线单元区域具有TFT(10)、和电连接到TFT(10)的漏极电极(7D)的贴片电极(15)。贴片电极(15)包含：第一电极层(15a)，其由与TFT(10)的栅极电极(3G)相同的导电膜形成；和第二电极层(15b)，其由与TFT(10)的源极电极(7S)相同的导电膜形成。
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公开(公告)号：CN103348484B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201280007738.X
申请日：2012-01-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/417
Abstract: 漏极电极（17）包括：以覆盖半导体层（14）的上表面的一部分的方式层叠的下层漏极电极（17a）和上层漏极电极（17b），半导体层（14）、下层漏极电极（17a）和上层漏极电极（17b）构成为台阶状，在构成为上述台阶状的部分，下层漏极电极（17a）的周边与上层漏极电极（17b）的周边的距离大于0.4μm且小于1.5μm。
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公开(公告)号：CN104620389A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201380047510.8
申请日：2013-09-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F1/1368 , G02F2201/50 , H01L21/02609 , H01L21/441 , H01L23/53223 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置(101)包括：基板(1)；以氧化物半导体层(6)为有源层的薄膜晶体管(10)；覆盖薄膜晶体管的保护层(11)；配置在保护层(11)与基板(1)之间的金属层(9d、9t)；形成在保护层(11)上的透明导电层(13、13t)；和用于将金属层(9d、9t)与透明导电层(13、13t)电连接的连接部(20、30)，连接部(20、30)具有与氧化物半导体层(6)由相同的氧化物膜形成、且电阻比氧化物半导体层(6)低的氧化物连接层(6a、6t)，金属层(9d、9t)经氧化物连接层(6a、6t)与透明导电层(13、13t)电连接。
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公开(公告)号：CN102834547A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201180007492.1
申请日：2011-01-28
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 , 夏普株式会社
IPC: C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H05K3/067 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻方法。一种用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的蚀刻方法，该蚀刻液含有：(A)过氧化氢、(B)硝酸、(C)氟离子供给源、(D)唑类、(E)季铵氢氧化物和(F)过氧化氢稳定剂，且pH为1.5~2.5。
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公开(公告)号：CN101484847A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200780025490.9
申请日：2007-02-26
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 纪藤贤一
IPC: G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136259 , G02F2001/136272 , H01L27/1255
Abstract: 本发明提供即使发生辅助电容配线的支线部与像素电极短路的不良状况也能够容易地进行修正的阵列基板、阵列基板的修正方法和液晶显示装置。该阵列基板包括与在扫描配线和信号配线的交叉部附近设置的开关元件连接的像素电极、和在该像素电极的下层配置的辅助电容配线，其中，辅助电容配线具有与扫描配线大致平行地延伸的干线部和从该干线部延伸设置的支线部，并且在像素电极上设置有横跨辅助电容配线的支线部的开口部。
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