公开(公告)号：CN102834547A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201180007492.1

申请日：2011-01-28

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 安谷屋智幸 ,  冈部哲 ,  后藤敏之 ,  丸山岳人 ,  小林和树 ,  田中惠一 ,  中村涉 ,  纪藤贤一 ,  田中哲宪

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/067 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻方法。一种用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的蚀刻方法，该蚀刻液含有：(A)过氧化氢、(B)硝酸、(C)氟离子供给源、(D)唑类、(E)季铵氢氧化物和(F)过氧化氢稳定剂，且pH为1.5~2.5。

公开(公告)号：CN102834547B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201180007492.1

申请日：2011-01-28

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 安谷屋智幸 ,  冈部哲 ,  后藤敏之 ,  丸山岳人 ,  小林和树 ,  田中惠一 ,  中村涉 ,  纪藤贤一 ,  田中哲宪

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/067 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻方法。一种用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的蚀刻方法，该蚀刻液含有：(A)过氧化氢、(B)硝酸、(C)氟离子供给源、(D)唑类、(E)季铵氢氧化物和(F)过氧化氢稳定剂，且pH为1.5~2.5。

公开(公告)号：CN117015849A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202280022680.X

申请日：2022-03-18

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 尾家俊行 ,  安谷屋智幸

IPC: H01L21/308

Abstract: 提供以高生产效率制造高性能的存储元件用半导体基板的方法。一种存储元件用半导体基板的制造方法，其包括：工序(1)，其使具有含钛膜、金属钨膜、和氧化钨膜的半导体基板与前处理剂接触，去除前述氧化钨膜的至少一部分，所述含钛膜包含钛和钛合金中的至少一者；工序(2)，其使工序(1)后的半导体基板与蚀刻剂接触，去除前述含钛膜的至少一部分，前述前处理剂包含选自由酸、氨、和铵盐组成的组中的至少1者的氧化钨腐蚀剂。

公开(公告)号：CN102762770B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201180009674.2

申请日：2011-02-15

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 冈部哲 ,  成田和代 ,  松原将英 ,  安谷屋智幸 ,  丸山岳人

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/30 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液以及使用了其的包含铜层及钼层的多层薄膜的蚀刻方法。一种包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液以及使用了其的蚀刻方法，所述蚀刻液的pH为2.5~5，包含（A）过氧化氢、（B）不含氟原子的无机酸、（C）有机酸、（D）碳原子数2~10且具有合计基团数为二以上的氨基和羟基的胺类化合物、（E）唑类以及（F）过氧化氢稳定剂。

公开(公告)号：CN102762770A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180009674.2

申请日：2011-02-15

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 冈部哲 ,  成田和代 ,  松原将英 ,  安谷屋智幸 ,  丸山岳人

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/30 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液以及使用了其的包含铜层及钼层的多层薄膜的蚀刻方法。一种包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液以及使用了其的蚀刻方法，所述蚀刻液的pH为2.5~5，包含（A）过氧化氢、（B）不含氟原子的无机酸、（C）有机酸、（D）碳原子数2~10且具有合计基团数为二以上的氨基和羟基的胺类化合物、（E）唑类以及（F）过氧化氢稳定剂。

公开(公告)号：CN116806366A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202280013747.3

申请日：2022-02-04

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 尾家俊行 ,  安谷屋智幸

IPC: H01L21/304

Abstract: 提供一种具有Ti/W蚀刻选择性，且氧化钨的去除速度大的半导体基板清洗用组合物。一种半导体基板清洗用组合物，其包含(A)氧化剂、(B)氟化合物、(C)金属钨防腐剂和(D)氧化钨蚀刻加速剂，相对于前述半导体基板清洗用组合物的总质量，前述(A)氧化剂的添加率为0.0001～10质量％，相对于前述半导体基板清洗用组合物的总质量，前述(B)氟化合物的添加率为0.005～10质量％，相对于前述半导体基板清洗用组合物的总质量，前述(C)金属钨防腐剂的添加率为0.0001～5质量％。

公开(公告)号：CN103717787B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280037180.X

申请日：2012-07-25

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 冈部哲 ,  安谷屋智幸 ,  丸山岳人

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: C09K13/06 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/465 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻液，以及使用该蚀刻液选择性地蚀刻具备氧化物半导体层和铜/钼系多层薄膜的半导体装置中的铜/钼系多层薄膜的方法，所述蚀刻液能够从具备氧化物半导体层和铜/钼系多层薄膜的半导体装置选择性蚀刻铜/钼系多层薄膜，其特征在于，其包含（A）过氧化氢、（B）不含氟原子的无机酸、（C）有机酸、（D）碳数2～10且具有氨基以及选自氨基和羟基中的至少一种基团的胺化合物、（E）唑类、以及（F）过氧化氢稳定剂，该蚀刻液的pH为2.5～5。

公开(公告)号：CN103717787A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280037180.X

申请日：2012-07-25

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 冈部哲 ,  安谷屋智幸 ,  丸山岳人

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: C09K13/06 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/465 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻液，以及使用该蚀刻液选择性地蚀刻具备氧化物半导体层和铜/钼系多层薄膜的半导体装置中的铜/钼系多层薄膜的方法，所述蚀刻液能够从具备氧化物半导体层和铜/钼系多层薄膜的半导体装置选择性蚀刻铜/钼系多层薄膜，其特征在于，其包含（A）过氧化氢、（B）不含氟原子的无机酸、（C）有机酸、（D）碳数2～10且具有氨基以及选自氨基和羟基中的至少一种基团的胺化合物、（E）唑类、以及（F）过氧化氢稳定剂，该蚀刻液的pH为2.5～5。

公开(公告)号：CN117581338A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202280045082.4

申请日：2022-06-29

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 尾家俊行 ,  安谷屋智幸 ,  杨智量 ,  王舶纮

IPC: H01L21/308

Abstract: 提供一种存储元件用半导体基板的蚀刻组合物，其能够提供具有改善的性能的存储元件用半导体基板。一种存储元件用半导体基板的蚀刻组合物，其包含(A)氧化剂、(B)氟化合物、和(C)金属钨防腐剂，前述(C)金属钨防腐剂包含选自由下述式(1)所示的铵盐和具有碳数14～30的烷基的杂芳基盐组成的组中的至少一种。#imgabs0#

公开(公告)号：CN116547411A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180081678.5

申请日：2021-12-06

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 冈部哲 ,  尾家俊行 ,  安谷屋智幸 ,  本望圭纮 ,  陈重伊 ,  王舶纮

IPC: C23F1/28

Abstract: 本发明涉及，在半导体基板的制造工艺中，用于对金属布线实施凹部蚀刻的凹部蚀刻液及使用它的凹部蚀刻方法。本发明的凹部蚀刻液用于对含钴金属层的表面实施凹部蚀刻，所述含钴金属层埋入在半导体基板上形成的通孔或沟槽内，所述凹部蚀刻液包含：(A)有机酸；(B)含氮杂环式化合物及(C)有机溶剂中的任一者或二者；和(D)水。另外，本发明的凹部蚀刻方法包括：凹部蚀刻工序，其使前述凹部蚀刻液与含钴金属层的表面接触，从而对前述含钴金属层的表面实施凹部蚀刻，所述含钴金属层埋入在半导体基板上形成的通孔或沟槽内。