公开(公告)号：CN102834547A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201180007492.1

申请日：2011-01-28

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 安谷屋智幸 ,  冈部哲 ,  后藤敏之 ,  丸山岳人 ,  小林和树 ,  田中惠一 ,  中村涉 ,  纪藤贤一 ,  田中哲宪

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/067 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻方法。一种用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的蚀刻方法，该蚀刻液含有：(A)过氧化氢、(B)硝酸、(C)氟离子供给源、(D)唑类、(E)季铵氢氧化物和(F)过氧化氢稳定剂，且pH为1.5~2.5。

公开(公告)号：CN1155055C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN99802117.2

申请日：1999-11-11

Applicant: 夏普株式会社 ,  三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 野原正宽 ,  桥本僚 ,  桶谷大亥 ,  阿部久起 ,  丸山岳人 ,  青山哲男

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/306 ,  C11D7/18 ,  G03F7/42

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C03C23/0075 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/24 ,  G02F1/13439 ,  G03F7/423 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明公开了一种包含0.1-60%重量氧化剂和0.0001-5%重量螯合剂的清洗剂。在生产半导体集成电路的过程中，用作蚀刻光掩模的光刻胶图案层、以及通过干蚀刻形成的光刻胶残余物容易用该清洗剂去除。在生产用于液晶显示板的基材的过程中，通过干蚀刻形成的来自导电薄膜的残余物也容易去除。在使用该清洗剂的清洗方法中，薄膜电路装置中的布线材料或绝缘材料、或用于生产半导体集成电路和液晶显示板的基材的其它材料不受腐蚀。

公开(公告)号：CN100516985C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200510074184.7

申请日：2005-02-25

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 冈部哲 ,  丸山岳人 ,  小仓雅史 ,  片冈义晴

IPC: G02F1/133 ,  C23F1/20 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1343

CPC classification number: C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/13439

Abstract: 本发明的蚀刻组合物通过在单次蚀刻操作中单独对其进行使用能够同时蚀刻包括最上面的由IZO等制成的无定形透明电极膜、中间的由铝等制成的反射电极膜以及最下面的由钼等制成的防电化腐蚀膜的三层叠合膜，或者包括上面的无定形透明电极膜和下面的反射电极膜的两层叠合膜，以提供具有良好正锥形或阶梯形状的边缘的、经蚀刻的叠合膜。蚀刻组合物包括含有30至40wt%的磷酸、15至35wt%的硝酸、有机酸和阳离子产生成分的水溶液。

公开(公告)号：CN1716009A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510074184.7

申请日：2005-02-25

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 冈部哲 ,  丸山岳人 ,  小仓雅史 ,  片冈义晴

IPC: G02F1/133 ,  C23F1/20 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1343

CPC classification number: C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/13439

Abstract: 本发明的蚀刻组合物通过在单次蚀刻操作中单独对其进行使用能够同时蚀刻包括最上面的由IZO等制成的无定形透明电极膜、中间的由铝等制成的反射电极膜以及最下面的由钼等制成的防电化腐蚀膜的三层叠合膜，或者包括上面的无定形透明电极膜和下面的反射电极膜的两层叠合膜，以提供具有良好正锥形或阶梯形状的边缘的、经蚀刻的叠合膜。蚀刻组合物包括含有30至40wt％的磷酸、15至35wt％的硝酸、有机酸和阳离子产生成分的水溶液。

公开(公告)号：CN102834547B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201180007492.1

申请日：2011-01-28

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 安谷屋智幸 ,  冈部哲 ,  后藤敏之 ,  丸山岳人 ,  小林和树 ,  田中惠一 ,  中村涉 ,  纪藤贤一 ,  田中哲宪

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/067 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻方法。一种用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的蚀刻方法，该蚀刻液含有：(A)过氧化氢、(B)硝酸、(C)氟离子供给源、(D)唑类、(E)季铵氢氧化物和(F)过氧化氢稳定剂，且pH为1.5~2.5。

公开(公告)号：CN1288589A

公开(公告)日：2001-03-21

申请号：CN99802117.2

申请日：1999-11-11

Applicant: 夏普株式会社 ,  三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 野原正宽 ,  桥本僚 ,  桶谷大亥 ,  阿部久起 ,  丸山岳人 ,  青山哲男

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  G03F7/42

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C03C23/0075 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/24 ,  G02F1/13439 ,  G03F7/423 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明公开了一种包含0.1—60%重量氧化剂和0.0001—5%重量螯合剂的清洗剂。在生产半导体集成电路的过程中,用作蚀刻光掩模的光刻胶图案层、以及通过干蚀刻形成的光刻胶残余物容易用该清洗剂去除。在生产用于液晶显示板的基材的过程中,通过干蚀刻形成的来自导电薄膜的残余物也容易去除。在使用该清洗剂的清洗方法中,薄膜电路装置中的布线材料或绝缘材料、或用于生产半导体集成电路和液晶显示板的基材的其它材料不受腐蚀。

公开(公告)号：CN103717787B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280037180.X

申请日：2012-07-25

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 冈部哲 ,  安谷屋智幸 ,  丸山岳人

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: C09K13/06 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/465 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻液，以及使用该蚀刻液选择性地蚀刻具备氧化物半导体层和铜/钼系多层薄膜的半导体装置中的铜/钼系多层薄膜的方法，所述蚀刻液能够从具备氧化物半导体层和铜/钼系多层薄膜的半导体装置选择性蚀刻铜/钼系多层薄膜，其特征在于，其包含（A）过氧化氢、（B）不含氟原子的无机酸、（C）有机酸、（D）碳数2～10且具有氨基以及选自氨基和羟基中的至少一种基团的胺化合物、（E）唑类、以及（F）过氧化氢稳定剂，该蚀刻液的pH为2.5～5。

公开(公告)号：CN103717787A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280037180.X

申请日：2012-07-25

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 冈部哲 ,  安谷屋智幸 ,  丸山岳人

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: C09K13/06 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/465 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻液，以及使用该蚀刻液选择性地蚀刻具备氧化物半导体层和铜/钼系多层薄膜的半导体装置中的铜/钼系多层薄膜的方法，所述蚀刻液能够从具备氧化物半导体层和铜/钼系多层薄膜的半导体装置选择性蚀刻铜/钼系多层薄膜，其特征在于，其包含（A）过氧化氢、（B）不含氟原子的无机酸、（C）有机酸、（D）碳数2～10且具有氨基以及选自氨基和羟基中的至少一种基团的胺化合物、（E）唑类、以及（F）过氧化氢稳定剂，该蚀刻液的pH为2.5～5。

公开(公告)号：CN102762770A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180009674.2

申请日：2011-02-15

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 冈部哲 ,  成田和代 ,  松原将英 ,  安谷屋智幸 ,  丸山岳人

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/30 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液以及使用了其的包含铜层及钼层的多层薄膜的蚀刻方法。一种包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液以及使用了其的蚀刻方法，所述蚀刻液的pH为2.5~5，包含（A）过氧化氢、（B）不含氟原子的无机酸、（C）有机酸、（D）碳原子数2~10且具有合计基团数为二以上的氨基和羟基的胺类化合物、（E）唑类以及（F）过氧化氢稳定剂。

公开(公告)号：CN1397090A

公开(公告)日：2003-02-12

申请号：CN01804293.7

申请日：2001-11-21

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 南场哲 ,  丸山岳人 ,  阿部久起 ,  青山哲男

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L21/32134 ,  Y02E10/50

Abstract: 公开了一种用于透明导电薄膜的湿法蚀刻剂组合物，是包含草酸和聚氧乙烯烷基醚硫酸盐和/或聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸盐的水溶液。使用上述的蚀刻剂组合物能够在温和的条件下蚀刻无定形ITO，而且一点也不产生蚀刻残渣。