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公开(公告)号：CN105897337A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610476739.9
申请日：2016-06-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H04B10/116
CPC classification number: H04B10/116
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，具体公开一种基于微米LED阵列的可见光通信系统及其建立方法。本发明使用反应离子刻蚀得到p型微米LED台面阵列，台面尺寸小于100μm，然后沉积绝缘钝化层，并在需要做电极的区域对绝缘层开孔，制备p型和n型电极来控制微米LED阵列的每个LED单元；集成微米LED阵列和准直光学透镜，使用正交频分复用（OFDM）调制技术，集成接收端高速光电探测器和聚焦透镜，实现视距和非视距高速通信，满足室内通信距离需求。本发明结合LED制备和可见光通信系统，制备的微米LED阵列具有高光电调制带宽，可并行通信，具有高通信速度，同时具备微显示和照明功能，可以进行视距和非视距通信，具有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN103413832B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310284206.7
申请日：2013-07-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于微电子及平板显示技术领域，具体为一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。该金属氧化物薄膜晶体管包括基底、栅极、栅极绝缘层、源/漏电极、半导体沟道层以及钝化层，在半导体沟道层与钝化层之间有自组装的单分子层；该自组装单分子层可以将底栅金属氧化物薄膜晶体管的沟道背表面改性为疏水，有效防止外界水汽入侵，亦可保护沟道在后期的钝化层沉积过程中不受化学及物理损伤，以增强底栅氧化物薄膜晶体管的可靠性。
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公开(公告)号：CN104964946A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510122299.2
申请日：2015-03-19
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N21/359 , G01N21/3577
Abstract: 本发明属于食品卫生安全检测技术领域，具体为一种基于近红外光谱分析的蔬菜水果农药化肥残留检测装置及检测方法。本发明装置包括光源、单色仪、探测器以及数字信号处理系统；光源用于产生特定波长的辐射光束,辐射光束经过探测器探头照射到蔬菜水果洗涤液表面，由洗涤液返回的漫反射光经探测器探头送至单色仪；单色仪从光源中或从连续光谱中分离出不同波长的单色光；探测器用于检测经单色仪筛选出的特定光信号，并将其转变为电信号，最终以数字信号形式输出；数字信号处理系统对采集到的数字信号进行处理，得到某一表征体征的物质含量。本发明可方便、快捷地检测蔬菜水果中所残留的汞离子、铜离子等重金属离子等各物质。
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公开(公告)号：CN104881520A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510220301.X
申请日：2015-05-04
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种三栅FinFET电势和亚阈值摆幅的提取方法。本发明首先根据沟道电势分布的三维泊松方程，构筑合适的边界条件，建立沟道的电势分布的解析模型；然后根据三栅FinFET的电势分布，根据器件工作在亚阈值区的情况下，沟道表面电势、电场状况，建立亚阈值电流解析模型，并由此得到亚阈值摆幅的解析模型；然后根据获得的电势分布的解析模型和亚阈值摆幅的解析模型，快速、准确、方便地计算得到三栅FinFET电势和亚阈值摆幅。本发明方法物理概念清晰，易于计算，且计算精度高，为新型三栅FinFET器件的关键参数提取提供了一种有效的解决办法。
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公开(公告)号：CN104266996A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410519530.7
申请日：2014-10-07
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N21/359
Abstract: 本发明属于医疗检测技术领域，具体为一种基于近红外光谱分析的无创便携医疗检测装置。本发明装置包括光源、单色仪、探测器以及数字信号处理系统；光源用于产生足够功率的辐射光束,辐射光束经过探测器探头照射到人体皮肤，由人体皮肤返回的漫反射光经由探测器探头送至单色仪；单色仪是用来从具有复杂光谱组成的光源中或从连续光谱中分离出不同波长的单色光的仪器；探测器用于检测经单色仪筛选出的特定光信号，并将光信号转变为电信号，最终以数字信号形式输出；数字信号处理系统对采集到的数字信号进行处理，得出相对应的某一表征体征的物质含量。本发明可用于无创检测人体血糖、血红素等各体征指标，具有无创、便携、功能多样的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103413832A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310284206.7
申请日：2013-07-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于微电子及平板显示技术领域，具体为一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。该金属氧化物薄膜晶体管包括基底、栅极、栅极绝缘层、源/漏电极、半导体沟道层以及钝化层，在半导体沟道层与钝化层之间有自组装的单分子层；该自组装单分子层可以将底栅金属氧化物薄膜晶体管的沟道背表面改性为疏水，有效防止外界水汽入侵，亦可保护沟道在后期的钝化层沉积过程中不受化学及物理损伤，以增强底栅氧化物薄膜晶体管的可靠性。
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公开(公告)号：CN102838082A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210356881.1
申请日：2012-09-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体为一种基于激光干涉光刻在材料表面制作微纳结构的方法。它通过产生激光干涉从而在光刻胶上形成微纳结构，进而通过刻蚀的办法，实现光刻胶上的微纳结构转移到衬底材料表面，形成微纳尺度的光栅、点阵、线阵等结构。采用本发明方法可在各种材料表面大面积制作高质量的纳米结构，简便且成本低，具有极大的应用价值。
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公开(公告)号：CN102030308B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201010521402.8
申请日：2010-10-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体为一种基于铁电材料电畴的极化组装微小颗粒有序阵列的方法。本发明通过选择性的极化铁电薄膜的电畴而形成表面电荷的阵列图形，通过它与有极性的微小颗粒相互作用，实现微小颗粒有选择性的组装沉淀到铁电薄膜表面，从而形成微小颗粒的相应的阵列分布。采用本发明的微小颗粒组装技术，工艺简便，成本低，具有极大的应用价值。
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公开(公告)号：CN102517558A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110349873.X
申请日：2011-11-08
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明属于微纳器件技术领域，具体为一种多孔金属/介质微米管及其制备方法和应用。本发明微米管制备步骤如下：制备多孔阳极氧化铝模板；沉积具有内应力的金属或介质双层薄膜；选择性地腐蚀多孔阳极氧化铝模板，从而形成管壁具有周期排列纳米孔洞结构的微米管。这种特殊结构的多孔金属/介质微米管具有多种重要应用前景。例如，可以卷曲特定材料得到微米尺度的氧化还原超级电容器；可以作为电化学生物分子传感器，将多孔金属/介质微米管浸入溶液中，通过测量其电化学性能变化探测溶液中特定的生物分子。
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公开(公告)号：CN101692151B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910195817.8
申请日：2009-09-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种基于软模板纳米压印技术的硅纳米线的制作方法。其步骤包括：在原始模板上淀积并烘烤二层胶体，并揭下作为软压印模板。在表面为硅层的衬底上旋涂一层光刻胶并前烘，使用前面得到的软模板进行压印，然后使用RIE刻蚀去除硅表面压印胶体的剩余层。利用衬底硅表面上的胶体作为刻蚀阻挡层，进行硅的各项异性刻蚀，最后得到所需的横截面为梯形或者三角形的硅纳米线图形。本发明方法简单，只需要一次压印；对昂贵的原始模板没有损伤，纳米线表面缺陷和陷阱少，而且纳米线的线宽可以调整。
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