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公开(公告)号：CN114634864A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210182989.7
申请日：2022-02-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种快速基因检测装置与方法。本发明快速基因检测装置包括体衬底、氧化埋层、沟道、金属电极、介质层、纳米金颗粒、绝缘层、受体分子、靶标基因和微反应腔。本发明利用静电感应富集的原理进行靶标基因往传感界面的富集，利用静电感应平衡的原理进行测试液体的再平衡；具体为，先在体衬底上施加偏压以通过静电感应在测试液体中产生向上的电场吸引在生理盐水中荷负电的靶标基因，然后在体衬底上施加偏压以通过静电感应在测试液体中产生向下的电场推斥未杂交的靶标基因。本发明可显著缩短反应时间，实现各种基因分子的快速和高灵敏检测。
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公开(公告)号：CN103915457A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410095466.4
申请日：2014-03-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种硅基CMOS图像传感器及其抑制光生载流子表面陷阱复合的方法。本发明硅基CMOS图像传感器，具有光生载流子的转移效率高、表面复合率低的特性，具体包括：光电二极管（PPD），浮动扩散区（FD），传递晶体管（TX），浅槽隔离区（STI），抗穿通注入区（APT），以及通过两次不同位置、不同能量、不同剂量的离子注入在局部自对准形成的表面陷阱抑制层，同时获得高的光生载流子转移效率和低的表面陷阱复合率。
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公开(公告)号：CN103904132A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410093312.1
申请日：2014-03-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/08 , H01L29/47
CPC classification number: H01L29/66143 , H01L21/28 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种调节硅化钛和硅之间肖特基接触势垒的方法。本发明通过向硅化钛薄膜中引入适量氧原子，形成硅化钛（TiSix，内含氧原子）/硅肖特基接触结构，实现对硅化钛与硅之间肖特基接触势垒的有效调节。相比普通硅化钛/硅肖特基整流二极管的工艺流程，本发明只需要增加一步氧原子的引入工艺，就可获得明显的接触势垒调节，整个工艺步骤简单易行，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102157692B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201110068781.4
申请日：2011-03-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种具有尖峰状底电极、平整顶电极的有机阻变存储器（RRAM）及其制备方法。本发明首先制备尖峰图形的衬底，然后依次淀积底电极、旋涂有机介质层、淀积顶电极，最终形成具备尖峰状底电极的有机RRAM器件。由于具备尖峰状底电极的RRAM能够在介质层形成一定的电场分布，而在尖峰处电场最大，故导电细丝将优先在尖峰处形成，从而可以很好地提高RRAM的重复性和电流开关比。本发明适用于基于细丝导通原理的有机RRAM器件。
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公开(公告)号：CN102520020A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110411223.3
申请日：2011-12-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种寄生效应对电导法表征Ge衬底界面态所产生的干扰的修正方法。本发明在固定偏压、扫描频率时提取各频率下对应的寄生电阻和电容并对测试结果进行修正，具体步骤如下：把MOSCAP偏置在强积累区进行频率扫描测试，得到一系列频率下的寄生电阻和电容参数；再把MOSCAP偏置在耗尽区，以一致的频率扫描设置进行测试；用前者得到的各频率下的寄生参数修正后者对应频率下的测试数据；最后计算电导法对界面态的表征结果。本发明在TiN/HfO2/GeON/p-Ge电容结构上进行了实际验证。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102227014A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110075293.6
申请日：2011-03-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种具有金属纳米晶电极的阻变存储器及其制备方法。金属纳米晶底电极的制备采用超薄金属膜快速热退火处理法、拉LB膜法或者金属纳米颗粒的化学分散法制备获得。底电极制备完成后，依次再淀积阻变介质层、顶电极，最终形成具备金属纳米颗粒底电极的无机RRAM器件。该存储器的典型特征是：金属纳米颗粒处的电场得到增强，施加一定电压后与金属纳米颗粒电极接触处的介质层最容易形成导电通路，可以很大程度上减小导电通路在阻变存储器中形成的随机分布，从而达到阻变特性稳定的目的。
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公开(公告)号：CN102214791A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110150827.7
申请日：2011-06-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种基于PEDOT：PSS材料的有机动态随机存储器及其制备方法。本发明通过在衬底材料上依次淀积底电极Au、介质层PEDOT：PSS以及顶电极Au，形成结构为Au/PEDOT:PSS/Au的存储器器件。由于PEDOT：PSS在不同偏压下会表现出高阻性的还原态和低阻性的氧化态，且具有断电自动恢复到氧化态的特性，故可以将这种结构投入到易失性的有机动态随机存储器的应用当中。
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公开(公告)号：CN102087967A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200910200008.1
申请日：2009-12-04
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/8238
Abstract: 本发明属微电子技术领域，涉及一种有效调制TiNx金属栅功函数的方法。本发明在已形成栅介质的材料上用正胶进行光刻，形成一定面积的图形，再把淀积一定厚度的TiNx做栅极后，在TiNx薄膜上再淀积一定厚度的Al或直接用钛靶和铝靶在含氮气气氛下共溅射的方法获得AlxTiyN1-x-y合金化合物金属栅。所有的薄膜做完后再对材料进行liftoff处理，最终形成具有一定图形面积的Al/TiNx/栅介质层/衬底Si或者AlxTiyN1-x-y/栅介质层/衬底Si结构，然后对材料进行不同时间以及不同温度的快速热退火，在热的作用下，Al/TiNx叠层结构或者AlxTiyN1-x-y化合物薄膜结构将发生一定变化，使栅极的功函数发生相应变化。本发明通过铝的引入从而实现TiNx金属栅功函数的有效调节，使其对应的费米能级能够接近衬底硅的导带边，同时又具有工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN100503880C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710037907.5
申请日：2007-03-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种纳米尺度孪晶铜薄膜的制备方法。其步骤为先制备一种和铜不易发生互溶、扩散、反应的但具有高界面能的衬底，用常规物理气相淀积的方法沉积铜薄膜，在刚淀积的铜薄膜中即可产生纳米尺度孪晶。为增大铜晶粒尺寸并且提高铜孪晶密度还可以进行适当温度的退火处理。本方法仅需要制备一种衬底就可以用常规物理气相淀积的方法制备孪晶铜薄膜，因此具有简单、方便、实用性强的特点。
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公开(公告)号：CN118380447A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410390193.X
申请日：2024-04-01
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司 , 复旦大学
IPC: H01L27/146 , H04N25/77
Abstract: 本发明公开了一种PISD图像传感器，阵列单元组包括由多个PISD器件行列排列形成的像素块。同一行的各PISD器件的栅极都连接到同一行线。同一列的各PISD器件的源极连接到同一列线，各列线和一个负载晶体管串联。负载晶体管的结构和PISD器件的第一MOS晶体管的结构相同。各PISD器件的漏极和各负载晶体管的栅极连接到漏极电压端。各PISD器件的衬底电极连接到衬底电压端。各负载晶体管的漏极作为第一信号输出端。各列线设置有列选单元，列选单元的控制端连接列选择信号端。各行线连接对应的行线信号端。本发明还公开了一种PISD图像传感器的图像信息采集方法。本发明能实现灵敏度高和填充因子大的阵列结构。
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