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公开(公告)号：CN101859779B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201010175142.3
申请日：2010-05-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C11/22
Abstract: 本发明属于信息存储技术领域，具体涉及一种极化调谐铁电薄膜二极管存储器。所述存储器结构：依次为衬底、电子束蒸发或磁控溅射制备的薄膜底电极、脉冲激光淀积或磁控溅射制备的铁酸铋薄膜，以及顶部电极。本发明使用一种新型铁电半导体材料铁酸铋薄膜，具有高达5.4A/cm2的极性调制二极管电流密度，非常适合于高密度信息的存储应用，存储的信息同时兼具非易失性、抗疲劳性、抗辐射性和阻变存储的非破坏性读取功能，提高了非易失性存储单元的编程/擦除速度(皮秒量级)，具有广阔发展空间和市场潜力。
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公开(公告)号：CN102157686B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201110054432.7
申请日：2011-03-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为基于铁电薄膜的表面阻态随电畴变化的存储器及其制备方法。所述存储器包括电极以及位于所述电极之下的电阻转变存储层，所述电极由金属电极材料制成，所述电阻转变层为铁电薄膜材料。本发明存储器的结构简单，通过铁电薄膜中电畴的极性变化来调制表面电流，利用表面电流在电畴不同极化方向的特异性，使得存储器在较低的操作电压和极高的存储密度下实现高阻态与低阻态之间的转变。
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公开(公告)号：CN101655526B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910195455.2
申请日：2009-09-10
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明属于固态电介质性能测试技术领域，具体为一种快速电压扫描测量铁电薄膜微分电容的方法。本发明方法充分考虑到薄膜内不同微观铁电畴在外加电压作用下对宏观电容值的贡献，采用在预置脉冲后留有足够大小的弛豫时间，使注入电荷对微观电畴的钉扎效应降到最低。通过随后的任意幅度的脉冲电压快速扫描，对电容进行充电，并通过微小量的充电电压变化，使铁电薄膜电容产生相应的放电电流。通过与样品相连的示波器求出放电电荷，从而求出对应的微分电容。本发明解决了商用电桥无法快速电压扫描的问题，为测量铁电薄膜电容高频响应和研究微观缺陷运动对介电响应方面的贡献提供了有效的手段。
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公开(公告)号：CN102142369A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110000957.2
申请日：2011-01-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/334 , H01L21/283 , H01L21/265
Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种改善SiC器件性能的方法。在生长栅介质层之前，先在PEALD反应腔中用氧等离子处理或者用UV灯照射的方法对SiC表面进行钝化处理，可以有效抑制C簇的形成，降低SiC界面态密度，提高SiC器件的性能。采用原子层淀积技术生长高k栅介质，可以精确地控制栅介质层的厚度，得到高保形性高质量的栅介质层，减小栅介质层上所承受的电场强度，提高栅介质层的工作寿命，保证器件工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN101859779A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010175142.3
申请日：2010-05-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C11/22
Abstract: 本发明属于信息存储技术领域，具体涉及一种极化调谐铁电薄膜二极管存储器。所述存储器结构：依次为衬底、电子束蒸发或磁控溅射制备的薄膜底电极、脉冲激光淀积或磁控溅射制备的铁酸铋薄膜，以及顶部电极。本发明使用一种新型铁电半导体材料铁酸铋薄膜，具有高达5.4A/cm2的极性调制二极管电流密度，非常适合于高密度信息的存储应用，存储的信息同时兼具非易失性、抗疲劳性、抗辐射性和阻变存储的非破坏性读取功能，提高了非易失性存储单元的编程/擦除速度(皮秒量级)，具有广阔发展空间和市场潜力。
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公开(公告)号：CN101789490A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010102118.7
申请日：2010-01-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于信息存储技术领域，具体涉及一种铁电氧化物/半导体复合薄膜二极管阻变存储器。该阻变存储器依次包括衬底、底电极、铁电氧化物/半导体复合存储功能层和顶电极，由下述方法制备获得：在单晶钛酸锶或SiO2/Si衬底上生长钌酸锶、镍酸镧等复合物电极或金属作为底层电极，然后通过脉冲激光淀积或射频磁控溅射方法生长铁电氧化物/半导体复合薄膜功能层；再生长出金属顶电极，形成单二极管存储单元结构。二极管的极性随电畴的取向而发生改变。本发明具有存储密度高，信息保持性好，功耗低的优点。
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公开(公告)号：CN101593755A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910053202.1
申请日：2009-06-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/115
Abstract: 本发明属半导体存储器件领域，涉及基于场效应管结构的非破坏性读取的非挥发存储器件。尤其涉及一种基于金属/反铁电薄膜/金属氧化物/半导体场效应管结构的存储器单元，包括：衬底；金属氧化物层，反铁电薄膜，栅电极；所述金属氧化物层置于半衬底表面；反铁电薄膜置于金属氧化物层远离衬底的表面；栅电极置于反铁电薄膜远离金属氧化物层的表面；源、漏，置于半导体表面两端。本发明采用反铁电薄膜代替了传统非挥发存储器的氧化硅、氧化氮层，在拥有快闪存储器优点的同时，大幅提高了编程、檫除速度，改善了保持特性，更好地满足了存储器工业化应用的需要，完全有潜力替代快闪存储器件而得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN101047189A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710039405.6
申请日：2007-04-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/115 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/02 , H01L21/8247 , H01L21/28 , H01L21/336 , G11C11/22
Abstract: 本发明涉及一种铁电电容器和铁电场效应管及其制备方法。该铁电电容器包括：n型或p型半导体衬底，在该衬底上设置的包含铁电层和反铁电层的双层结构，以及在该双层结构设置的上电极，必要时，在衬底和双层铁电结构之间设置一绝缘层。铁电场效管是上述铁电电容器作为存储单元。按常规工艺，依次制备衬底、绝缘层、铁电双层结构和上电极。本发明设计的铁电电容器和铁电场效管可有效提高逻辑保持时间。
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公开(公告)号：CN118053903A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211424129.6
申请日：2022-11-15
Abstract: 本申请提供了一种逻辑器件、逻辑电路和组合电路，通过分布在凸块周围的至少四个电极不仅可以提高逻辑器件的可靠性，而且可以优化逻辑器件的开关速度。同时，通过逻辑器件可以进一步构造逻辑电路，实现逻辑与、逻辑或、逻辑非等功能。逻辑器件可以包括基底和至少四个电极。基底设有凸块，基底和凸块可以分别采用铁电材料。至少四个电极可以分布在凸块周围。至少四个电极中每个电极的第一表面可以分别与凸块接触，且每个电极的第二表面可以分别与基底接触。
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公开(公告)号：CN109791785B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201880003413.1
申请日：2018-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，本发明提供的铁电存储集成电路，包括：铁电存储器阵列，其具有在铁电单晶层上形成的存储单元阵列；其中，所述铁电存储器阵列的每个铁电存储器单元主要由存储单元阵列中的一个存储单元形成、或者主要由存储单元阵列中的一个存储单元以及该存储单元电连接的形成于所述硅基读写电路的硅基上的一个晶体管形成。
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