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公开(公告)号：CN101452740B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200810207839.7
申请日：2008-12-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C8/10
Abstract: 一种能同时选中多条位线的列译码器，具体针对传统译码器每次只能在一个存储阵列中选中一个存储单元的弱点，提出一种新型的可以同时选中多条位线的列译码器。它包括可以恒定输出使欲选中地址线选中的有效选中电平的电平转换器。在此列译码器的基础上，可以成功实现同时选中多条位线，对多条位线上的多个存储单元进行写或者激活(Forming)等操作，可以大大提高工作的效率，尤其适应于对电阻存储器的激活操作过程。
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公开(公告)号：CN101329905A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810040938.0
申请日：2008-07-24
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: G11C8/16 , G11C13/0004
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种新型双端口动态随机存储器及其存储操作方法，其特征在于包括数条字线，数条位线，以及数个存储单元，每个存储单元位于两条字线与两条位线的各个交叉区。每个存储单元包括一个相变存储单元、两个选通管、一条写字线，一条读字线、一条写位线、一条读位线，其中第一选通器件与读字线和读位线相连，第二选通器件与写字线和写位线相连。此种相变存储器可以起到节约操作时间，提高读写效率的作用。
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公开(公告)号：CN101359502B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200810040931.9
申请日：2008-07-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案。具体针对相变存储器中存在的、工艺波动下的高可靠性存储与高密度存储之间的矛盾，提出了全新的“以比值为导向”的存储状态定义方法。以此方法为向导，在充分利用相变电阻自身提供的多值编写能力的基础上，继承2T2R结构的固有优点，加上外围灵敏放大器与边界数设定的合理结合，成功的实现了小尺寸下，面临严重的工艺波动时，相变存储器的高可靠性存储与高密度存储，提高了相变存储器在未来小尺寸环境下的竞争力。
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公开(公告)号：CN101359502A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810040931.9
申请日：2008-07-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案。具体针对相变存储器中存在的、工艺波动下的高可靠性存储与高密度存储之间的矛盾，提出了全新的“以比值为导向”的存储状态定义方法。以此方法为向导，在充分利用相变电阻自身提供的多值编写能力的基础上，继承2T2R结构的固有优点，加上外围灵敏放大器与边界数设定的合理结合，成功的实现了小尺寸下，面临严重的工艺波动时，相变存储器的高可靠性存储与高密度存储，提高了相变存储器在未来小尺寸环境下的竞争力。
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公开(公告)号：CN101339805A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810040933.8
申请日：2008-07-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种高读取速度、低操作干扰的相变电阻存储单元结构存储器及其存储操作方法，其特征在于包括：数条字线，数条位线，以及数个存储单元，每个存储单元位于一条字线与两条位线的各个交叉区。每个存储单元包括两个相变存储单元和两个选通器件。两个相变存储单元通过各自的选通管的控制端与不同的位线相连，共用同一根字线。其优点在于可以实现高读取速度的应用，并可防止存储操作时产生对选中单元的误读操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101872645B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN200910050102.3
申请日：2009-04-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属存储器技术领域，涉及一种选通管复用结构的电阻存储器、阵列及其读操作方法。本发明的电阻存储器中包括一条用于读取数据的冗余位线和一个冗余存储电阻，读操作时，流过选中位线的电流与流过冗余位线的电流进行比较，可以读出选中位线上的存储电阻的数据状态；进一步，由这种选通管复用结构的电阻存储器排列组成的电阻存储器阵列，可以避免因漏电流导致的误读取操作，该电阻存储器阵列具有高可靠性的特点。
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公开(公告)号：CN102169723A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010113797.8
申请日：2010-02-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种抗功耗分析攻击的电阻随机存储器、读电路及其读操作方法。本发明提供的电阻随机存储器包括第一存储电阻、用于选通所述第一存储电阻的第一选通管、第二存储电阻、以及用于选通所述第二存储电阻的第二选通管，第一存储电阻处于高阻态且第二存储电阻处于低阻态时，所述电阻随机存储器存储第一数据状态；第一存储电阻处于低阻态且第二存储电阻处于高阻态时，所述电阻随机存储器存储第二数据状态；所述存储电阻为二元或者二元以上的多元金属氧化物，所述第一存储电阻和第二存储电阻分别连接于第一位线、第二位线。该电阻随机存储器可以用于高安全性的抗功耗分析攻击领域的数据存储。
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公开(公告)号：CN101908373A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910052483.9
申请日：2009-06-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于不挥发存储器技术领域，具体为一种带读电压偏置NMOS晶体管的电阻转换存储器。本发明通过在读电路模块和位线之间增加用于偏置存储阵列的预定读操作电压的NMOS晶体管，消除电路在读电路模块中由于工艺波动性等因素带来的读操作电压漂移，稳定读过程中位线上电压，结构相对简单，同时不需要明显增加芯片面积。
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公开(公告)号：CN101872645A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910050102.3
申请日：2009-04-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属存储器技术领域，涉及一种选通管复用结构的电阻存储器、阵列及其读操作方法。本发明的电阻存储器中包括一条用于读取数据的冗余位线和一个冗余存储电阻，读操作时，流过选中位线的电流与流过冗余位线的电流进行比较，可以读出选中位线上的存储电阻的数据状态；进一步，由这种选通管复用结构的电阻存储器排列组成的电阻存储器阵列，可以避免因漏电流导致的误读取操作，该电阻存储器阵列具有高可靠性的特点。
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