公开(公告)号：CN101145598A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710045405.7

申请日：2007-08-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吕杭炳 ,  尹明 ,  唐立

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种改善CuxO电阻存储器疲劳特性的方法。采用等离子体的物理轰击作用，去除表面CuO层，或增加其导电性，从而降低第一次写操作电流、电压，保护表层CuO下面的具有电阻转换特性的CuxO存储介质免受大电流破坏，提高器件的疲劳特性。

公开(公告)号：CN1744295A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200510028246.0

申请日：2005-07-28

Applicant: 复旦大学 ,  硅存储技术公司

Inventor： 吕杭炳 ,  林殷茵 ,  汤庭鳌 ,  陈邦明

IPC: H01L21/70 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种能够减小写操作电流的纳米相变存储器单元的制备方法。它以自组织或控制工艺流程形成多孔介质，并以此为基础构建纳米相变存储器单元，达到热限制、电限制，同时减小电极接触面积的目的。利用本发明制备的相变存储器，写操作电流小，热量利用率高，功耗小，响应速度快，可提高器件性能。

公开(公告)号：CN101740717B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN200910145691.3

申请日：2009-05-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吕杭炳 ,  王明 ,  周鹏

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明属于金属氧化物不挥发存储器技术领域，涉及一种CuxO基电阻型存储器及其制备方法，该CuxO基电阻型存储器包括上电极、铜下电极、以及设置在上电极和铜下电极之间的CuxO基存储介质，所述CuxO基存储介质是通过对覆盖在铜下电极上的CuSi化合物缓冲层氧化处理形成，其中，1＜x≤2。该发明提供的电阻型存储器能避免存储介质之下产生空洞，从而保证器件的良率以及可靠性，同时具有相对低功耗的特点。

公开(公告)号：CN101894907B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN200910051873.4

申请日：2009-05-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吕杭炳 ,  周鹏 ,  王明

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种CuxO基电阻型存储器制备方法，属于集成电路制造技术领域。通过在CuSi化合物缓冲层上氧化形成CuxO基存储介质后，再对CuxO基存储介质进行硅化处理，能够在CuxO基存储介质中的掺入的更多Si元素，实现Si元素在CuxO基存储介质中整体分布相对更均匀，特别是在CuxO基存储介质上表层也形成了Si元素掺杂，从而提高该电阻型存储器的Ron和数据保持特性。采用该方法制备的CuxO电阻型存储器具有低功耗、长数据保持特性的优点。

公开(公告)号：CN101882462A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200910050945.3

申请日：2009-05-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  王明 ,  吕杭炳 ,  周鹏

IPC: G11C7/20 ,  G11C11/56 ,  G11C17/00

Abstract: 本发明属于不挥发存储器技术领域，具体涉及一种电阻随机存储器的置位操作方法。本发明通过脉冲幅度以步进式增长的多个脉冲对电阻随机存储器进行一次置位操作，使每个电阻随机存储器、或者每个电阻随机存储器的每次置位操作在最合适的置位操作电压上进行，避免了置位操作中“过编程”的现象，从而提高电阻随机存储器置位后的Ron值，有利于降低后续复位操作的功耗。

公开(公告)号：CN100373582C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200510028246.0

申请日：2005-07-28

Applicant: 复旦大学 ,  硅存储技术公司

Inventor： 吕杭炳 ,  林殷茵 ,  汤庭鳌 ,  陈邦明

IPC: H01L21/70 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种能够减小写操作电流的纳米相变存储器单元的制备方法。它以自组织或控制工艺流程形成多孔介质，并以此为基础构建纳米相变存储器单元，达到热限制、电限制，同时减小电极接触面积的目的。利用本发明制备的相变存储器，写操作电流小，热量利用率高，功耗小，响应速度快，可提高器件性能。

公开(公告)号：CN101101960A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710043707.0

申请日：2007-07-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  尹明 ,  唐立 ,  吕杭炳

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种可降低复位操作电流的电阻存储器。该电阻存储器在金属氧化物电阻存储薄膜和电极之间，或者两层存储介质之间插入一介质薄膜，该介质薄膜的电阻率在10欧·cm以上，通过所插入介质薄膜产生的热量对电阻存储薄膜加热，从而降低复位操作电流。

公开(公告)号：CN101826595B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN200910046977.6

申请日：2009-03-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  周鹏 ,  吕杭炳

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，涉及金属氧化物不挥发存储器技术，具体涉及一种WOx基电阻型存储器及其制备方法，该WOx基电阻型存储器包括上电极、钨下电极、以及设置在上电极和钨下电极之间的WOx基存储介质，所述WOx基存储介质是通过对覆盖在钨下电极上的WSi化合物层氧化处理形成，其中，1＜x≤3。该发明提供的电阻型存储器能提高工艺可控性和器件可靠性，同时具有相对低功耗、数据保持特性好的特点。

公开(公告)号：CN101110393B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200710043460.2

申请日：2007-07-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  唐立 ,  吕杭炳 ,  尹明 ,  傅秀峰

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种CuxO电阻存储器制备与铜互连工艺集成的方法。其步骤为：以CuxO存储介质上方形成的铜化合物介质层作为掩膜，或者以CuxO存储介质本身作为掩膜，刻蚀去除不需要形成存储介质的铜上的盖帽层。CuxO存储介质上方形成的铜化合物介质层是一种能够与盖帽层进行选择性刻蚀介质层，它可以为CuO、CuxN或CuON。这里，1

公开(公告)号：CN101159284B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200710045938.5

申请日：2007-09-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吕杭炳 ,  唐立 ,  尹明 ,  宋雅丽 ,  陈邦明

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体提供了一种以自对准形成上电极的WOx电阻存储器及制造方法。所述的存储器包括：下电极为铝互连工艺中层间钨栓塞，在钨栓塞上方形成的牺牲介质层和在牺牲介质层中形成的孔洞，位于孔洞中的钨栓塞氧化形成的WOx存储介质，以自对准方式形成金属上电极于所述的WOx存储介质之上和所述的牺牲介质层孔洞之中。在制作所述的电阻存储器时，以自对准形成的金属上电极层，无需为制作上电极图形增加掩膜和光刻步骤，减少工艺复杂度，可提高存储性能的可靠性和降低工艺成本。