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    互补双极型反相器
    13.
    发明授权
    互补双极型反相器 有权 转让

    公开(公告)号：CN103563066B

    公开(公告)日：2016-03-16

    申请号：CN201280026281.7

    申请日：2012-04-15

    Applicant: 国际商业机器公司

    Inventor： 蔡劲 ,  R·H·登纳德 ,  W·E·哈恩斯科 ,  T·H·宁

    IPC: H01L21/70

    CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/84 ,  H01L27/082

    Abstract: 示例实施例是一种互补晶体管反相器电路。所述电路包括：绝缘体上半导体（SOI）衬底、被制造在所述SOI衬底上的横向PNP双极型晶体管和被制造在所述SOI衬底上的横向NPN双极型晶体管。横向PNP双极型晶体管包括PNP基极、PNP发射极和PNP集电极。横向NPN双极型晶体管包括NPN基极、NPN发射极和NPN集电极。PNP基极、PNP发射极、PNP集电极、NPN基极、NPN发射极和NPN集电极毗邻SOI衬底的掩埋绝缘体。

    半导体结构以及形成半导体结构的方法
    15.
    发明授权
    半导体结构以及形成半导体结构的方法 有权

    公开(公告)号：CN105990391B

    公开(公告)日：2019-07-26

    申请号：CN201610159010.9

    申请日：2016-03-18

    Applicant: 国际商业机器公司

    Inventor： 蔡劲 ,  E·里欧班端 ,  李宁 ,  宁德雄 ,  J-O·普卢查特 ,  D·K·萨达纳

    IPC: H01L27/15 ,  H01L33/44 ,  H01L21/77

    Abstract: 在形成延伸通过顶部半导体层以及隐埋绝缘体层并且延伸到绝缘体上半导体(SOI)衬底的处理衬底中的第一沟槽之后，在第一沟槽内形成电介质波导材料堆叠，该电介质波导材料堆叠包括下电介质包覆层、核心层以及上电介质包覆层。接下来，在顶部半导体层的剩余部分中形成至少一个横向双极结型晶体管(BJT)，其可以是PNP BJT、NPN BJT或者一对互补的PNP BJT和NPN BJT。在形成延伸通过电介质波导材料堆叠的第二沟槽以重新暴露第一沟槽的底部表面的一部分之后，在第二沟槽中形成激光二极管。

    半导体结构及其形成方法
    16.
    发明授权
    半导体结构及其形成方法 失效

    公开(公告)号：CN104733517B

    公开(公告)日：2018-02-02

    申请号：CN201410686031.7

    申请日：2014-11-25

    Applicant: 国际商业机器公司

    Inventor： 蔡劲 ,  陈国仕 ,  宁德雄 ,  姚正邦

    IPC: H01L29/735 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/1008 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66265 ,  H01L29/7317

    Abstract: 本申请涉及半导体结构及其形成方法。提供包括本征基极半导体材料部的横向SOI双极型晶体管结构，其中本征基极的所有表面不形成与集电极半导体材料部或发射极半导体材料部的界面，所述横向SOI双极型晶体管结构包含非本征基极半导体材料部。每个非本征基极半导体材料部与本征基极半导体材料部具有相同的导电类型，但是每个非本征基极半导体材料部具有高于本征基极半导体材料部的掺杂剂浓度。本申请的横向SOI双极型晶体管的本征基极半导体材料部不具有任何与周围绝缘体材料层的界面。因此，周围绝缘体材料层中的任何潜在的电荷累积都会被非本征基极半导体材料部屏蔽。

    半导体结构及其形成方法
    18.
    发明公开
    半导体结构及其形成方法 失效

    公开(公告)号：CN104733517A

    公开(公告)日：2015-06-24

    申请号：CN201410686031.7

    申请日：2014-11-25

    Applicant: 国际商业机器公司

    Inventor： 蔡劲 ,  陈国仕 ,  宁德雄 ,  姚正邦

    IPC: H01L29/735 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/1008 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66265 ,  H01L29/7317

    Abstract: 本申请涉及半导体结构及其形成方法。提供包括本征基极半导体材料部的横向SOI双极型晶体管结构，其中本征基极的所有表面不形成与集电极半导体材料部或发射极半导体材料部的界面，所述横向SOI双极型晶体管结构包含非本征基极半导体材料部。每个非本征基极半导体材料部与本征基极半导体材料部具有相同的导电类型，但是每个非本征基极半导体材料部具有高于本征基极半导体材料部的掺杂剂浓度。本申请的横向SOI双极型晶体管的本征基极半导体材料部不具有任何与周围绝缘体材料层的界面。因此，周围绝缘体材料层中的任何潜在的电荷累积都会被非本征基极半导体材料部屏蔽。

    半导体器件以及制造半导体器件的方法
    19.
    发明授权
    半导体器件以及制造半导体器件的方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN101908561B

    公开(公告)日：2013-03-13

    申请号：CN201010192411.7

    申请日：2010-05-27

    Applicant: 国际商业机器公司

    Inventor： S·J·克斯特 ,  A·马宗达 ,  蔡劲

    IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78621

    Abstract: 本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。公开了一种半导体器件，其包括绝缘体上半导体衬底，所述绝缘体上半导体衬底包括掩埋的绝缘体层和上覆的半导体层。源极扩展区和漏极扩展区被形成在所述半导体层中。深漏极区和深源极区被形成在所述半导体层中。漏极金属-半导体合金接触位于所述深漏极区的上部上且端接所述漏极扩展区。源极金属-半导体合金接触端接所述源极扩展区。所述深源极区位于所述源极合金接触的第一部分之下且与其接触。所述深源极区不位于所述源极合金接触的第二部分之下且不与其接触，从而所述源极合金接触的所述第二部分是直接接触所述半导体层的内部体接触。

    具有多数载流子累积层作为子集电极的双极晶体管
    20.
    发明公开
    具有多数载流子累积层作为子集电极的双极晶体管 失效 转让

    公开(公告)号：CN1512595A

    公开(公告)日：2004-07-14

    申请号：CN200310123110.9

    申请日：2003-12-17

    Applicant: 国际商业机器公司

    Inventor： 蔡劲 ,  宁德雄 ,  欧阳齐庆

    IPC: H01L29/73

    CPC classification number: H01L29/66265 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/7317

    Abstract: 本发明公开了一种具有多数载流子累积层作为子集电极的双极晶体管。电子电路中包括的双极晶体管包括一个导电的背面电极、在该导电的背面电极上的绝缘层，以及在该绝缘层上的n型或者p型材料的半导体层。该半导体层包括用作集电极的掺杂区，以及与该掺杂区交界，用作所述绝缘层和集电极接点电极之间的透过区的重掺杂区。通过向背面电极施加偏压，在集电极的掺杂区中邻近绝缘层产生多数载流子累积层。

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