-
公开(公告)号：CN101069281A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200580041392.5
申请日：2005-12-01
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 小希里尔·卡布莱尔 , 切斯特·T.·齐奥波科夫斯基 , 约汉·J.·爱丽斯-莫纳甘 , 方隼飞 , 克里斯蒂安·拉沃伊 , 骆志炯 , 詹姆斯·S.·纳考斯 , 安·L.·斯廷根 , 克莱门特·H.·万
IPC: H01L21/8238 , H01L21/3205 , H01L21/4763 , H01L21/44
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L21/823814 , H01L21/823835
Abstract: 一种制造互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的方法，其中该方法包括如下步骤：在半导体衬底(102)中形成用于容纳第一类型半导体器件(130)的第一阱区(103)；在半导体衬底(102)中形成用于容纳第二类型半导体器件(140)的第二阱区(104)；用掩模(114)屏蔽第一类型半导体器件(130)；在第二类型半导体器件(140)上淀积第一金属层(118)；在第二类型半导体器件(140)上形成第一自对准硅化物；去除掩模(114)；在第一和第二类型半导体器件(130、140)上淀积第二金属层(123)；和在第一类型半导体器件(130)上形成第二自对准硅化物。该方法只需要一个图案层次，并消除了图案重叠，这还简化了在不同器件上形成不同硅化物材料的工艺。
-
公开(公告)号：CN1971882A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610146392.8
申请日：2006-11-09
Applicant: 国际商业机器公司 , 三星电子株式会社 , 特许半导体制造有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/823864 , H01L21/823807
Abstract: 公开了一种用于在包括nFET和pFET的半导体器件中提供双应力记忆技术的方法以及相关结构。本方法的一个实施例包括：在nFET上方形成张应力层且在pFET上方形成压应力层，进行退火以在半导体器件中记忆应力并去除应力层。压应力层可以包括使用高密度等离子体(HDP)淀积方法淀积的高应力氮化硅。退火步骤可以包括使用约400－1200℃的温度。高应力压缩氮化硅和/或退火温度确保在pFET中保持压应力记忆。
-
公开(公告)号：CN101069281B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200580041392.5
申请日：2005-12-01
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 小希里尔·卡布莱尔 , 切斯特·T.·齐奥波科夫斯基 , 约汉·J.·爱丽斯-莫纳甘 , 方隼飞 , 克里斯蒂安·拉沃伊 , 骆志炯 , 詹姆斯·S.·纳考斯 , 安·L.·斯廷根 , 克莱门特·H.·万
IPC: H01L21/8238 , H01L21/3205 , H01L21/4763 , H01L21/44
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L21/823814 , H01L21/823835
Abstract: 一种制造互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的方法，其中该方法包括如下步骤：在半导体衬底(102)中形成用于容纳第一类型半导体器件(130)的第一阱区(103)；在半导体衬底(102)中形成用于容纳第二类型半导体器件(140)的第二阱区(104)；用掩模(114)屏蔽第一类型半导体器件(130)；在第二类型半导体器件(140)上淀积第一金属层(118)；在第二类型半导体器件(140)上形成第一自对准硅化物；去除掩模(114)；在第一和第二类型半导体器件(130、140)上淀积第二金属层(123)；和在第一类型半导体器件(130)上形成第二自对准硅化物。该方法只需要一个图案层次，并消除了图案重叠，这还简化了在不同器件上形成不同硅化物材料的工艺。
-
公开(公告)号：CN101432860B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200780015617.9
申请日：2007-04-10
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 方隼飞 , 伦道夫.F.克纳尔 , 马哈德瓦尔耶.克里施南 , 克里斯琴.拉沃伊 , 雷内.T.莫 , 巴拉萨拉曼兰.普拉纳萨蒂哈兰 , 杰伊.W.斯特拉尼
CPC classification number: H01L21/28518 , C23F1/28 , C23F1/30 , C23F1/44
Abstract: 一种用于在通过暴露的电介质区彼此间隔开的至少两个含硅半导体区上形成自对准金属硅化物接触的方法。这样形成的每个自对准金属硅化物接触至少包括镍硅化物和铂硅化物并具有基本光滑的表面，暴露的电介质区基本没有金属和金属硅化物。镍或镍合金沉积之后接着进行低温退火、镍蚀刻、高温退火和王水蚀刻。
-
公开(公告)号：CN101236990A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810005347.X
申请日：2008-02-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L21/28518 , H01L23/485 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66628 , H01L29/7834 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体结构包括部分地位于半导体衬底内的阶梯状的源和漏区，该阶梯状的源和漏区优选地在位于沟道区域上方的栅电极方向上具有阶梯，该沟道区域与半导体衬底内的阶梯状的源和漏区邻接。阶梯状的源和漏区的阶梯状部分覆盖阶梯状的源和漏区内的延伸区域。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100378953C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510108395.8
申请日：2005-10-13
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： C·小凯波勒 , L·A·克莱文格尔 , T·J·达尔顿 , P·W·德黑文 , C·T·迪兹奥布科沃斯基 , 方隼飞 , T·A·斯普纳 , T-L·L·泰 , K·H·翁 , 杨智超
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76867 , H01L21/76888
Abstract: 一种具有低接触电阻和改善的可靠性的新颖层间接触过孔结构，以及形成该接触过孔的方法。所述方法包括以下步骤：穿过层间介质层蚀刻开口，以露出下面的金属(铜)层表面；以及在所述露出的下面的金属中进行惰性气体(氮)的低能量离子注入；以及在所述过孔结构的侧壁和底部中沉积耐熔衬里，由于进行了惰性气体注入，所述耐熔衬里将具有较低的接触电阻。优选地，所述惰性氮气与所述下面露出的铜金属反应，以形成薄CuN 层。
-
公开(公告)号：CN101086991A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710104830.9
申请日：2007-05-21
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/092 , H01L27/12 , H01L21/8238 , H01L21/84
CPC classification number: H01L29/045 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/823857 , H01L29/1037 , H01L29/78 , H01L29/7853
Abstract: 本发明涉及一种至少包括第一器件区域和第二器件区域的半导体衬底。第一器件区域具有沿着第一组等同晶面之一取向的基本平坦的表面，且第二器件区域包含具有沿着不同的第二组等同晶面取向的多个交错表面的突起半导体结构。可以使用这种半导体衬底形成半导体器件结构。具体而言，可以在第一器件区域形成第一场效应晶体管(FET)，其包括沿着第一器件区域的基本平坦的表面延伸的沟道。可以在第二器件区域形成第二互补FET，而第二互补FET包括沿着第二器件区域处的突起半导体结构的多个交错表面延伸的沟道。
-
公开(公告)号：CN101080811A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200680001430.9
申请日：2006-01-10
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/76
CPC classification number: H01L29/4975 , H01L21/28097 , H01L21/823835 , H01L29/665 , H01L29/7833
Abstract: 一种用于在FET器件中形成金属硅化物栅极的工艺，其中硅化物是自形成的(即，不需要单独的金属/硅反应步骤而形成)，且不需要硅材料的CMP或回蚀。第一层硅材料(3)(多晶硅或非晶硅)形成于栅极电介质(2)上；然后在上述第一层(3)上形成一层金属(4)，并在上述金属层(4)上形成第二层硅(5)。随后，实施高温(大于700℃)处理步骤，如源/漏激活退火；该步骤有效地通过金属与第一层内的硅反应在栅极电介质(2)上形成硅化物层(30)。可以实施第二高温处理步骤(如源/漏硅化)，有效地利用第二层(5)的硅形成第二硅化物层(50)。各层的厚度是这样的：在高温处理中，基本上第一层的全部和至少第二层的一部分被硅化物材料取代。因此，可以产生充分硅化的栅极结构。
-
公开(公告)号：CN101069282A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200580041421.8
申请日：2005-12-01
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 方隼飞 , 小希里尔·卡布莱尔 , 切斯特·T.·齐奥波科夫斯基 , 克里斯蒂安·拉沃伊 , 克莱门特·H.·万
IPC: H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823835
Abstract: 一种只要求一个光刻层次的在CMOS器件中形成双重自对准全硅化栅极的方法，其中，所述方法包含：在半导体衬底(252)中形成具有第一阱区域(253)的第一类型的半导体器件(270)，在第一阱区域(253)中形成第一源极/漏极硅化物区域(266)，和形成与第一源极/漏极硅化物区域(266)隔离的第一类型的栅极(263)；在半导体衬底(252)中形成具有第二阱区域(254)的第二类型的半导体器件(280)，在第二阱区域(254)中形成第二源极/漏极硅化物区域(256)，和形成与第二源极/漏极硅化物区域(256)隔离的第二类型的栅极(258)；在第二类型的半导体器件(280)上选择性地形成第一金属层(218)；只在第二类型的栅极(258)上执行第一全硅化(FUSI)栅极形成；在第一和第二类型的半导体器件(270、280)上淀积第二金属层(275)；和只在第一类型的栅极(263)上执行第二FUSI栅极形成。
-
公开(公告)号：CN1779946A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510108395.8
申请日：2005-10-13
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： C·小凯波勒 , L·A·克莱文格尔 , T·J·达尔顿 , P·W·德黑文 , C·T·迪兹奥布科沃斯基 , 方隼飞 , T·A·斯普纳 , T-L·L·泰 , K·H·翁 , 杨智超
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76867 , H01L21/76888
Abstract: 一种具有低接触电阻和改善的可靠性的新颖层间接触过孔结构，以及形成该接触过孔的方法。所述方法包括以下步骤：穿过层间介质层蚀刻开口，以露出下面的金属(铜)层表面；以及在所述露出的下面的金属中进行惰性气体(氮)的低能量离子注入；以及在所述过孔结构的侧壁和底部中沉积耐熔衬里，由于进行了惰性气体注入，所述耐熔衬里将具有较低的接触电阻。优选地，所述惰性氮气与所述下面露出的铜金属反应，以形成薄CuN层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.021 seconds)
