公开(公告)号：CN100505168C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200580024677.8

申请日：2005-08-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安东尼·多梅尼古希 ,  布莱德利·琼斯 ,  克里斯蒂安·拉沃伊 ,  罗伯特·普尔特尔 ,  王允愈 ,  黄洸汉

IPC: H01L21/285

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L29/665

Abstract: 本发明提供了一种用于通过使用含金属的硅合金(56)并结合其中进行两次不同的热循环的第一次退火在硅化期间增强金属的单向扩散的方法。该第一次退火的第一次热循环在能够增强金属例如Co和/或Ni向含Si层(52)中的单向扩散的温度下进行。第一次热循环导致无定形的含金属的硅化物(60)形成。第二次热循环在将无定形的含金属的硅化物转化成结晶的富金属硅化物(64)的温度下进行，该结晶的富金属硅化物与含金属的硅合金层或纯的含金属层相比基本上不能被蚀刻。在第一次退火之后，进行选择性的蚀刻以便从该结构去除任何未反应的含金属合金。进行第二次退火以便将通过第一次退火的两次热循环形成的富金属硅化物相转化成处于其最低电阻相的金属硅化物(68)相。提供其厚度自限制的金属硅化物。

公开(公告)号：CN101069282B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200580041421.8

申请日：2005-12-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 方隼飞 ,  小希里尔·卡布莱尔 ,  切斯特·T.·齐奥波科夫斯基 ,  克里斯蒂安·拉沃伊 ,  克莱门特·H.·万

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823835

Abstract: 一种只要求一个光刻层次的在CMOS器件中形成双重自对准全硅化栅极的方法，其中，所述方法包含：在半导体衬底(252)中形成具有第一阱区域(253)的第一类型的半导体器件(270)，在第一阱区域(253)中形成第一源极/漏极硅化物区域(266)，和形成与第一源极/漏极硅化物区域(266)隔离的第一类型的栅极(263)；在半导体衬底(252)中形成具有第二阱区域(254)的第二类型的半导体器件(280)，在第二阱区域(254)中形成第二源极/漏极硅化物区域(256)，和形成与第二源极/漏极硅化物区域(256)隔离的第二类型的栅极(258)；在第二类型的半导体器件(280)上选择性地形成第一金属层(218)；只在第二类型的栅极(258)上执行第一全硅化(FUSI)栅极形成；在第一和第二类型的半导体器件(270、280)上淀积第二金属层(275)；和只在第一类型的栅极(263)上执行第二FUSI栅极形成。

公开(公告)号：CN1989598A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200580024677.8

申请日：2005-08-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安东尼·多梅尼古希 ,  布莱德利·琼斯 ,  克里斯蒂安·拉沃伊 ,  罗伯特·普尔特尔 ,  王允愈 ,  黄洸汉

IPC: H01L21/285

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L29/665

Abstract: 本发明提供了一种用于通过使用含金属的硅合金(56)并结合其中进行两次不同的热循环的第一次退火在硅化期间增强金属的单向扩散的方法。该第一次退火的第一次热循环在能够增强金属例如Co和/或Ni向含Si层(52)中的单向扩散的温度下进行。第一次热循环导致无定形的含金属的硅化物(60)形成。第二次热循环在将无定形的含金属的硅化物转化成结晶的富金属硅化物(64)的温度下进行，该结晶的富金属硅化物与含金属的硅合金层或纯的含金属层相比基本上不能被蚀刻。在第一次退火之后，进行选择性的蚀刻以便从该结构去除任何未反应的含金属合金。进行第二次退火以便将通过第一次退火的两次热循环形成的富金属硅化物相转化成处于其最低电阻相的金属硅化物(68)相。提供其厚度自限制的金属硅化物。

公开(公告)号：CN101069281A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200580041392.5

申请日：2005-12-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 小希里尔·卡布莱尔 ,  切斯特·T.·齐奥波科夫斯基 ,  约汉·J.·爱丽斯-莫纳甘 ,  方隼飞 ,  克里斯蒂安·拉沃伊 ,  骆志炯 ,  詹姆斯·S.·纳考斯 ,  安·L.·斯廷根 ,  克莱门特·H.·万

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/44

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835

Abstract: 一种制造互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的方法，其中该方法包括如下步骤：在半导体衬底(102)中形成用于容纳第一类型半导体器件(130)的第一阱区(103)；在半导体衬底(102)中形成用于容纳第二类型半导体器件(140)的第二阱区(104)；用掩模(114)屏蔽第一类型半导体器件(130)；在第二类型半导体器件(140)上淀积第一金属层(118)；在第二类型半导体器件(140)上形成第一自对准硅化物；去除掩模(114)；在第一和第二类型半导体器件(130、140)上淀积第二金属层(123)；和在第一类型半导体器件(130)上形成第二自对准硅化物。该方法只需要一个图案层次，并消除了图案重叠，这还简化了在不同器件上形成不同硅化物材料的工艺。

公开(公告)号：CN101069281B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200580041392.5

申请日：2005-12-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 小希里尔·卡布莱尔 ,  切斯特·T.·齐奥波科夫斯基 ,  约汉·J.·爱丽斯-莫纳甘 ,  方隼飞 ,  克里斯蒂安·拉沃伊 ,  骆志炯 ,  詹姆斯·S.·纳考斯 ,  安·L.·斯廷根 ,  克莱门特·H.·万

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/44

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835

Abstract: 一种制造互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的方法，其中该方法包括如下步骤：在半导体衬底(102)中形成用于容纳第一类型半导体器件(130)的第一阱区(103)；在半导体衬底(102)中形成用于容纳第二类型半导体器件(140)的第二阱区(104)；用掩模(114)屏蔽第一类型半导体器件(130)；在第二类型半导体器件(140)上淀积第一金属层(118)；在第二类型半导体器件(140)上形成第一自对准硅化物；去除掩模(114)；在第一和第二类型半导体器件(130、140)上淀积第二金属层(123)；和在第一类型半导体器件(130)上形成第二自对准硅化物。该方法只需要一个图案层次，并消除了图案重叠，这还简化了在不同器件上形成不同硅化物材料的工艺。

公开(公告)号：CN101069282A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200580041421.8

申请日：2005-12-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 方隼飞 ,  小希里尔·卡布莱尔 ,  切斯特·T.·齐奥波科夫斯基 ,  克里斯蒂安·拉沃伊 ,  克莱门特·H.·万

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823835

Abstract: 一种只要求一个光刻层次的在CMOS器件中形成双重自对准全硅化栅极的方法，其中，所述方法包含：在半导体衬底(252)中形成具有第一阱区域(253)的第一类型的半导体器件(270)，在第一阱区域(253)中形成第一源极/漏极硅化物区域(266)，和形成与第一源极/漏极硅化物区域(266)隔离的第一类型的栅极(263)；在半导体衬底(252)中形成具有第二阱区域(254)的第二类型的半导体器件(280)，在第二阱区域(254)中形成第二源极/漏极硅化物区域(256)，和形成与第二源极/漏极硅化物区域(256)隔离的第二类型的栅极(258)；在第二类型的半导体器件(280)上选择性地形成第一金属层(218)；只在第二类型的栅极(258)上执行第一全硅化(FUSI)栅极形成；在第一和第二类型的半导体器件(270、280)上淀积第二金属层(275)；和只在第一类型的栅极(263)上执行第二FUSI栅极形成。