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公开(公告)号：CN113890543B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202111175302.9
申请日：2021-10-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了基于多层感知神经网络的多进制LDPC码的译码方法，属于通信技术领域，具体包括接收符号数据信息、FHT‑BP译码算法、多层感知神经网络译码、判决条件、比特翻转及输出判定的比特流；其中，接收符号数据信息是由接收端直接从信道得到的数据，之后对信息进行FHT‑BP译码算法，译码得到的比特数据经过神经网络处理之后得到最可能出错的比特位置，将最可能出错的数据翻转过来继续下一步的算法译码，满足译码条件则判决输出比特从而进行误码判定。本发明对四进制下的LDPC码译码进行研究，提出多层感知器(MLP)神经网络级联比特翻转的方法进行译码，能够较大的提升译码性能，非常适合高精度传输的应用场景。
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公开(公告)号：CN114566566A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210185150.9
申请日：2022-02-28
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/0304
Abstract: 一种氮化铝日盲光电探测器及其制备方法，属于半导体光电探测技术领域。本发明以c面蓝宝石为衬底，采用反应射频磁控溅射技术在衬底上生长氮化铝薄膜，然后以“面对面”的退火方式改善氮化铝薄膜的结晶质量，再通过磁控溅射或电子束蒸发的方式在氮化铝薄膜上制备金属叉指电极，最终得到氮化铝日盲光电探测器。本发明制得的氮化铝探测器对波长小于210nm的日盲波段光有着较高的响应，其在50V偏压下的光电流高达291nA，响应度为0.51A/W。本发明工艺流程简单，成本低廉，适合批量生产，制备的氮化铝探测器可应用于日盲光电探测领域。
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公开(公告)号：CN112981348A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110186779.0
申请日：2021-02-18
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种Mg原位掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法，属于半导体掺杂技术领域。采用射频磁控溅射技术，首先在衬底上进行第一层hBN薄层的溅射生长，然后再接着进行第一层Mg杂质源的溅射生长，每个溅射周期得到的膜厚为20～60nm，最后再溅射一层hBN薄层，避免Mg与外界环境直接接触。每个溅射周期的膜厚可由hBN靶的溅射时间、溅射功率、工作气压和靶距进行调节；Mg的掺杂浓度可由Mg靶的溅射时间、溅射功率、工作气压和靶距进行调节；然后按照所需要的膜厚和掺杂浓度多次重复上述溅射周期，从而获得空穴浓度很高的P型hBN薄膜。本发明不需要高温环境，可以与Si的集成工艺兼容，配合掩膜板可以较精确的实现区域可控掺杂。
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公开(公告)号：CN111243942A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010060273.0
申请日：2020-01-19
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 一种利用过渡金属或合金作为缓冲层提高六方氮化硼结晶质量的方法，属于半导体材料外延生长技术领域。本发明是在生长六方氮化硼外延薄膜前，以磁控溅射、电子束蒸发、脉冲激光沉积或热蒸发薄膜制备技术预先在硅、蓝宝石或其他晶格失配较大衬底上沉积过渡金属或合金作为缓冲层，再将带有缓冲层的衬底上采用化学气相沉积、磁控溅射或脉冲激光沉积技术外延生长六方氮化硼薄膜；缓冲层在外延生长六方氮化硼薄膜前做退火处理以进一步提高缓冲层的质量，从而达到进一步提高hBN薄膜结晶质量的目的。缓冲层材料为Cu、Cr、Mo、Ni、W、Mn、Co等过渡金属或其组合形成的过渡金属合金材料。
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公开(公告)号：CN111106202A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN202010030275.5
申请日：2020-01-13
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/18 , C23C14/06 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C14/58
Abstract: 一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法，属于半导体光电探测器领域。首先采用磁控溅射或蒸镀技术在衬底上生长一层过渡金属电极，并利用湿法或干法刻蚀技术制备出叉指电极结构，然后采用反应射频磁控溅射方法在制备好叉指电极结构的衬底上生长Mg3N2薄膜，最后在Mg3N2薄膜上原位溅射生长一层BN或AlN薄膜作为Mg3N2保护层，从而得到基于Mg3N2薄膜的光电探测器件。本发明拓展了Mg3N2在光电功能材料与器件领域中的应用。BN或AlN薄膜不仅有效抑制了Mg3N2薄膜的水解，提高了Mg3N2薄膜的稳定性，而且在红外、可见光和大部分紫外波段都是透明的，是Mg3N2光电器件理想的光学窗口。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101013049A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710055271.7
申请日：2007-01-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明具体涉及一种可用于超短光脉冲测量系统、光电集成系统和光通信系统的半球形和球形双光子响应半导体光电探测器。半球形双光子响应半导体光电探测器，由半导体半球(1)、金属电极对(2，2’)和显微物镜(3)组成，其特征在于：半导体半球(1)的半径小于显微物镜(3)的工作距离，半导体半球(1)的球心位于显微物镜(3)的焦点处，金属电极对(2，2’)位于半导体半球(1)的平面内，入射的平行光(4)经显微物镜(3)聚焦后垂直于半导体半球(1)的球面入射，沿着半径方向前进，最后聚焦光束的焦点落在球心处，在金属电极对(2，2’)上施加直流电压，通过对光生电流的测量来实现对入射光功率进行相对测量。
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公开(公告)号：CN110071762B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201910358985.8
申请日：2019-04-30
Applicant: 吉林大学
IPC: H04B10/079
Abstract: 本发明公开了一种基于高阶模式背向瑞利散射的少模光纤故障检测方法，属于光纤故障检测技术领域。本发明针对少模光纤仅利用基模背向瑞利散射进行故障检测所导致的灵敏度低的问题，无法准确有效实现少模光纤链路故障事件定位。提出了以少模光纤高阶模式背向瑞利散射为故障检测的评估标准，利用少模光纤高阶模式的高检测灵敏度特性，可实现对不同故障幅值损耗事件的有效表征，进而实现少模光纤链路故障事件的综合评估，为少模光纤链路简单、精确的故障检测提供了强有力保证。
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公开(公告)号：CN108330458B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201810112003.2
申请日：2018-02-05
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种Zn原位掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法，属于半导体材料制备和半导体掺杂技术领域。其是将高纯的hBN靶、高纯Zn靶和清洗后的衬底放入磁控溅射生长室内，采用射频磁控双靶共溅射技术，在hBN薄膜生长过程中原位掺入Zn杂质，生长结束后，在N2气氛下对薄膜进行原位退火，并在N2气保护下冷却至室温，从而在衬底上得到Zn原位掺杂的P型hBN薄膜。本发明方法简单，成本低廉，安全可靠，无毒无害；可以通过调节Zn靶的靶距和溅射功率来控制掺杂浓度；Zn在hBN薄膜中易于占据B原子的格点位，作为替位式杂质具有较低的形成能和较小的杂质激活能，因而能够获得电阻率较低的Zn掺杂P型hBN薄膜，且性能稳定。
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公开(公告)号：CN109666913A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201910139644.1
申请日：2019-02-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种氮化镁(Mg3N2)薄膜及其制备方法，属于无机非金属材料领域。其是将高纯Mg靶和清洗后的衬底(硅、蓝宝石、石英、以六方氮化硼为缓冲层的硅、以六方氮化硼为缓冲层的蓝宝石等)放入射频磁控溅射生长室内，采用反应射频磁控溅射技术，利用高纯N2在强电场下电离形成等离子体与溅射出来的Mg反应，生成Mg3N2沉积在衬底上形成薄膜。本发明方法简单，成本低廉，安全可靠，无毒无害；同时可以通过调节Mg靶的靶距、溅射功率、溅射时间以及衬底温度等参数来控制薄膜的生长速率和薄膜厚度，可获得大面积、高质量的Mg3N2薄膜，实现薄膜的可控性以及重复性生长。
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公开(公告)号：CN102435789A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110442564.7
申请日：2011-12-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于电光检测技术领域，具体涉及一种电光固浸探头，该探头可用于电子器件的外部电学特性和内部节点电信号的在片测量，且具有很高的空间分辨率和电压灵敏度。电光固浸探头由外圆筒、内圆筒、显微物镜和电光探针组成；外圆筒底端为“倒置的正四棱台状”漏斗，内圆筒的底端为“倒置的圆台状”漏斗；电光探针的针头为尖顶或平顶结构，由半球型电光固浸透镜沿半径或平行于半径方向切割而成，其尖顶或平顶的中心为半球型电光固浸透镜的球心；外圆筒、内圆筒、显微物镜和电光探针均轴对称，且它们的对称轴重合在一起；通过螺纹控制显微物镜相对于电光探针的距离，使用时显微物镜的焦点位于电光探针的尖顶或平顶的中心，该电光固浸探头可以使电光检测系统的空间分辨率可以提高n倍。
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