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公开(公告)号：CN103345120A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310225879.5
申请日：2006-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/203 , G03F7/70466
Abstract: 本发明是有关于一种半导体制造的微影方法，包括进行一高精密微影制程，以提供至少一图案曝光制程于该基材层上，以及进行一低精密微影制程，以提供至少一图案曝光制程于该基材层上。第一曝光制程形成包括主动图案及虚设图案的图案。第二曝光制程去除虚设图案，借以形成主动图案于基材层上。该曝光制程可在任一步骤中完成，并且可包含额外曝光制程。该高精密微影制程可以是湿浸式微影制程，而该低精密微影制程可以是干式微影制程。此形成图案于基材上的方法可应用于制造更高密度的集成（积体）电路。
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公开(公告)号：CN1949082B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200610152415.6
申请日：2006-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/70341 , G03F7/70941
Abstract: 本发明有关于一种浸润式微影方法及系统，该一种浸润式微影方法，首先，提供一个涂布光阻层的基板；之后，在基板和微影系统的物镜间配置导电浸润流体，其中该浸润流体的导电度高于10-5S/m；最后，使用辐射光经由导电浸润流体，曝光光阻层。该一种浸润式微影系统，其包括：一物镜模组具有一前表面；一载座位于该物镜模组的该前表面之下；一流体定位模组，该流体定位模组使一流体至少部分填满该前表面和该载座上一基板间的空间；以及一放电元件，用以降低静电放电的程度。本发明的浸润式微影系统和方法中使用具有导电性的流体作为浸润流体，有效去除了曝光制程中积聚的静电荷。
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公开(公告)号：CN100539113C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200610140077.4
申请日：2006-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76816 , H01L21/76831 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是有关于一种锚接金属镶嵌结构及其形成方法。此锚接金属镶嵌结构是包覆于一多重密度介电层中，包含一介电层，且具有一开口延伸贯穿此介电层。此介电层包含至少一介电层的相对较高密度部分及一介电层的相对较低密度部分。介电层的相对较低密度部分形成介电层的一主要连续部分。贯穿此介电层的开口于介电层的相对较低密度部分比介电层的相对较高密度部分具有相对扩大的横向尺寸以形成锚接阶梯结构。
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公开(公告)号：CN1905158A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610103903.8
申请日：2006-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/105 , H01L21/823481 , H01L27/0203
Abstract: 本发明是关于一种降低元件效能不匹配的方法及半导体电路，用以降低因沟槽隔离导致的应力所引起元件不匹配。包括至少一延伸主动区是形成于基底上，其中上述主动区从至少一端延伸，且至少一运算元件设置于至少一主动区上，其中上述延伸主动区具有至少两相邻运算元件栅极之间的两倍长度。本发明所述的降低元件效能不匹配的方法及半导体电路，在高频模拟及数字电路中，可消除浅沟槽隔离边界附近的“沟槽隔离导致的应力效应”，进而消除元件的不匹配并增进效能。
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公开(公告)号：CN104617043B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201510029812.3
申请日：2007-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种元件的制造方法。提供基底，包括多个芯片，芯片间是以切割线区域分隔，其中基底上至少形成一结构层。以黄光光刻和蚀刻工艺移除切割线区域中的部分结构层，形成多个开口。沿着切割线区域切割基底。在另一个实施例中，提供第一基底，其中第一基底上至少形成第一结构层。图形化第一结构层，于第一切割线区域中形成多个第一开口。提供第二基底，其中第二基底上至少形成第二结构层。图形化第二结构层，于第二切割线区域中形成多个第二开口。接合第一基底和第二基底，形成堆叠结构。沿着第一切割线区域和第二切割线区域切割堆叠结构。本发明提出的半导体元件的制造方法可减少切割工艺产生的剥离、崩缺或脱层等问题，改善生产合格率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101533838B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200810192971.5
申请日：2008-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种结合气隙和金属-氧化物-金属(MOM)电容器的集成电路结构被揭示。集成电路结构包括：半导体衬底；覆盖在半导体衬底之上的第一金属化层；在第一金属化层中的第一金属结构；覆盖在第一金属化层之上的第二金属化层；在第二金属化层中的第二金属结构，其中，第一和第二金属结构为非电容器结构；MOM电容器，它在第一和第二金属化层中的至少一个中具有一个区域；和，在第一金属化层中的、在第一金属结构之间的一个气隙。
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公开(公告)号：CN101409283A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810098183.X
申请日：2008-05-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/06 , H01L27/108 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/11568 , H01L23/5223 , H01L27/0629 , H01L27/105 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构，包括具有增大的电容量与改善的电性的电容。该半导体结构包含有一衬底和位于此衬底的一电容。该电容包含有一第一材料层，该第一材料层包含有一第一电容电极和一第二电容电极，其中第一电容电极由含金属材料所形成且未含有多晶硅。该半导体结构还包含有一金属氧化物半导体(MOS)组件，该金属氧化物半导体组件包含有位于衬底上的一栅极电介质层，以及位于此栅极电介质层上的一含金属栅极电极，其中该含金属栅极电极由与第一电容电极相同的材料与厚度所形成。
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公开(公告)号：CN1949082A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610152415.6
申请日：2006-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/70341 , G03F7/70941
Abstract: 本发明有关于一种浸润式微影方法及系统，该一种浸润式微影方法，首先，提供一个涂布光阻层的基板；之后，在基板和微影系统的物镜间配置导电浸润流体；最后，使用辐射光经由导电浸润流体，曝光光阻层。该一种浸润式微影系统，其包括：一物镜模组具有一前表面；一载座位于该物镜模组的该前表面之下；一流体定位模组，该流体定位模组使一流体至少部分填满该前表面和该载座上一基板间的空间；以及一放电元件，用以降低静电放电的程度。本发明的浸润式微影系统和方法中使用具有导电性的流体作为浸润流体，有效去除了曝光制程中积聚的静电荷。
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公开(公告)号：CN1924706A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610112136.7
申请日：2006-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/203 , G03F7/70466
Abstract: 本发明是有关于一种形成图案于基材上的方法，包括进行一高精密微影制程，以提供至少一图案曝光制程于该基材层上，以及进行一低精密微影制程，以提供至少一图案曝光制程于该基材层上。该曝光制程可在任一步骤中完成，并且可包含额外曝光制程。该高精密微影制程可以是湿浸式微影制程，而该低精密微影制程可以是干式微影制程。此形成图案于基材上的方法可应用于制造更高密度的集成(积体)电路。
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公开(公告)号：CN1614509A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410090287.8
申请日：2004-11-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70983 , G02B1/105 , G02B1/111 , G02B1/113 , G02B1/115 , G02B1/14 , G02B13/143 , G03F7/70341
Abstract: 本发明揭露一种适用于液体浸润式微影制程的接物透镜以及制造此种接物透镜的方法。在一个实施例中，此接物透镜具有多个透镜组件，其中一个组件包括透明基材与抗腐蚀层。此抗腐蚀层形成且邻接于透明基材之上，并且位于微影制程所使用于的液体与透明基材之间，以保护透明基材免于液体的损害。
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