公开(公告)号：CN106206434A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510793768.3

申请日：2015-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈逸仁 ,  梁春昇 ,  王淑慧 ,  张世勋 ,  江欣哲

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供了半导体结构和制造半导体结构的工艺。该工艺开始于在衬底上形成功函金属层，以及在功函金属层上方覆盖硬掩模。形成穿过硬掩模和功函金属层的沟槽，以及在沟槽中填充隔离结构。

公开(公告)号：CN103515195A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310203942.5

申请日：2013-05-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈华丰 ,  王淑慧 ,  江木吉

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/64

CPC classification number: H01L29/435 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0802 ,  H01L28/20 ,  H01L28/24 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体结构可以包括位于衬底上的与诸如晶体管的其他器件同时形成的电阻器。图案化在衬底上形成的扩散阻挡层以形成电阻器和位于晶体管栅极下方的阻挡层。以与晶体管的栅极相同的方式和同时在电阻器上形成填充材料、第一连接件和第二连接件。去除填充材料以形成位于衬底上的电阻器。本发明还提供了衬底电阻器及其制造方法。

公开(公告)号：CN220731535U

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202322073076.4

申请日：2023-08-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江欣哲 ,  黄俊宏 ,  吴启维 ,  王淑慧 ,  叶震亚

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体结构，包括第一晶体管，第一晶体管包括从基板突出并由隔离特征隔开的第一鳍片和第二鳍片、在第一鳍片和第二鳍片的通道区上方的第一栅极结构、设置并跨越第一鳍片和第二鳍片的第一源极/漏极特征。半导体结构还包括第二晶体管，第二晶体管包括从基板突出并由隔离特征隔开的第三鳍片和第四鳍片、在第三鳍片和第四鳍片的通道区上方的第二栅极结构、设置并跨越第三鳍片和第四鳍片的第二源极/漏极特征。半导体结构还包括鳍片隔离结构，鳍片隔离结构设置在第一栅极结构和第二栅极结构之间，并沿着平行于第一栅极结构和第二栅极结构的方向延伸。鳍片隔离结构提供第一晶体管和第二晶体管之间的隔离。鳍片隔离结构的底表面整体与基板直接接触。