公开(公告)号：CN102610621A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210016669.0

申请日：2012-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王子睿 ,  曾晓晖 ,  徐伟诚 ,  杨敦年 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14629

Abstract: 一种图像传感器，该图像传感器包括设置在硅衬底上的吸收层，吸收层具有至少SiGe或Ge之一，和直接设置在吸收层上的反射层。

公开(公告)号：CN101266969B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200710140999.X

申请日：2007-08-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 柯志欣 ,  王子睿 ,  陈宏玮 ,  葛崇祜 ,  李文钦

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/8249 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/7843

Abstract: 一种以单轴向机械应力(mechanical uniaxial strain)增强性能的双载子互补式金属氧化物半导体元件。于本发明第一实施例中包括一NMOS晶体管、一PMOS与一双极晶体管形成于基底的不同区域。一具有张应力的第一接触窗蚀刻终止层形成在一NMOS晶体管上以及一具有压应力的第二接触窗蚀刻终止层形成在PMOS与双极晶体管上，且增加了各元件的性能。另一实施例除了具应力的接触窗蚀刻终止层(stressed contact etch stop layer)外，还具有位于PMOS晶体管、NMOS晶体管与双极结晶体管的应变基极(strained base)中的应变沟道。

公开(公告)号：CN101266969A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200710140999.X

申请日：2007-08-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 柯志欣 ,  王子睿 ,  陈宏玮 ,  葛崇祜 ,  李文钦

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/8249 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/7843

Abstract: 一种以单轴向机械应力(mechanical uniaxial strain)增强性能的双载子互补式金属氧化物半导体元件。于本发明第一实施例中包括一NMOS晶体管、一PMOS与一双极晶体管形成于基底的不同区域。一具有张应力的第一接触窗蚀刻终止层形成在一NMOS晶体管上以及一具有压应力的第二接触窗蚀刻终止层形成在PMOS与双极晶体管上，且增加了各元件的性能。另一实施例除了具应力的接触窗蚀刻终止层(stressed contact etch stop layer)外，还具有位于PMOS晶体管、NMOS晶体管与双极结晶体管的应变基极(strained base)中的应变沟道。

公开(公告)号：CN117316967A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202310973034.8

申请日：2023-08-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨皓麟 ,  黄冠杰 ,  徐伟诚 ,  王子睿 ,  王铨中 ,  杨敦年 ,  陈宥均

IPC: H01L27/146 ,  H01L25/065 ,  H01L25/00

Abstract: 本申请的实施例涉及图像传感器及其形成方法。本公开的各种实施例针对包括第一芯片和第二芯片的图像传感器。第一芯片包括第一衬底、设置在第一衬底中的多个光电检测器、设置在该第一衬底的前侧上的第一互连结构以及设置在第一互连结构上的第一接合结构。第二芯片位于第一芯片之下。第二芯片包括第二衬底、设置在第二衬底上的多个半导体器件、设置在第二衬底的前侧上的第二互连结构以及设置在第二互连结构上的第二接合结构。第一接合界面设置在第二接合结构和第一接合结构之间。第二互连结构通过第一和第二接合结构电耦接到第一互连结构。第一接合结构和第二接合结构中的至少一个包括一个或更少的导电接合层。

公开(公告)号：CN117238936A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310919243.4

申请日：2023-07-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 锺积贤 ,  王子睿 ,  许慈轩 ,  王铨中 ,  杨敦年

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开的各种实施例针对堆叠互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，其中像素传感器跨越多个集成电路(IC)芯片。光电检测器和第一晶体管在第一IC芯片处形成像素传感器的第一部分。多个第二晶体管在第二IC芯片处形成像素传感器的第二部分。通过省略光电检测器处的STI结构，围绕像素传感器并界定像素传感器的掺杂阱可以具有比其他情况下更小的宽度。因此，掺杂阱可以消耗更少的光电检测器面积。这继而又允许增强像素传感器的按比例缩小。本申请的实施例还涉及图像传感器及其形成方法。

公开(公告)号：CN116314221A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310018096.3

申请日：2023-01-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王子睿 ,  杨敦年 ,  王铨中 ,  徐铭杰 ,  徐伟诚 ,  山下雄一郎

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明的各个实施例针对图像传感器。图像传感器包括设置在衬底中的深沟槽隔离(DTI)结构。衬底的像素区域设置在DTI结构的内周界内。光电探测器设置在衬底的像素区域中。栅电极结构至少部分地位于衬底的像素区域上面。第一栅极介电结构部分地位于衬底的像素区域上面。第二栅极介电结构部分地位于衬底的像素区域上面。栅电极结构位于第一栅极介电结构的部分和第二栅极介电结构的部分上面。第一栅极介电结构具有第一厚度。第二栅极介电结构具有大于第一厚度的第二厚度。本申请的实施例还提供了用于形成图像传感器的方法。

公开(公告)号：CN115939249A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210899190.X

申请日：2022-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简弘昌 ,  林荣义 ,  徐铭杰 ,  黄冠杰 ,  王子睿 ,  黄世民 ,  王铨中 ,  杨敦年 ,  朱怡欣 ,  陈祥麟

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种单光子雪崩检测器(SPAD)器件，该器件包括硅衬底，该硅衬底包括在硅衬底的上表面中的凹槽。p型区域布置在凹槽的下表面下方的硅衬底中。n型雪崩区域布置在p型区域下方的硅衬底中，并在p‑n结处与p型区域相交。锗区域设置在p‑n结上方的凹槽内。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN106611765A

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201610711927.5

申请日：2016-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈春元 ,  王俊智 ,  杨敦年 ,  曾晓晖 ,  施俊吉 ,  丁世汎 ,  王子睿 ,  江彦廷 ,  王昱仁 ,  山下雄一郎

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明的实施例涉及CMOS图像传感器及相关的形成方法，该图像传感器具有布置在深沟槽隔离结构与图像感测元件之间的掺杂区域。在一些实施例中，CMOS图像传感器具有设置在半导体衬底内的像素区域。像素区域具有配置为将辐射转换为电信号的图像感测元件。多个背侧深沟槽隔离(BDTI)结构在像素区域的相对侧上延伸进半导体衬底。掺杂区域横向布置在BDTI结构之间并且使图像感测元件与BDTI结构和半导体衬底的背侧分离。图像感测元件与BDTI结构的分离防止图像感测元件与BDTI结构的边缘附近的界面缺陷相互作用，并且从而减少暗电流和白像素数量。

公开(公告)号：CN103545324A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201210414021.9

申请日：2012-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈思莹 ,  王子睿 ,  杨敦年 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L24/06 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2924/12043

Abstract: 公开了封装背照式(BSI)图像传感器或BSI图像传感器和专用集成电路(ASIC)的方法和装置。接合焊盘阵列可以形成在BSI传感器的接合焊盘区中，其中接合焊盘阵列包括电互连的多个接合焊盘，其中接合焊盘阵列的每个接合焊盘具有小尺寸，这可减小大接合焊盘的碟盘效应。接合焊盘阵列的多个接合焊盘可以在焊盘的同一层或不同金属层互连。BSI传感器可以以面对面的方式接合到ASIC，其中接合焊盘阵列对准并接合在一起。

公开(公告)号：CN103515401A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210553121.X

申请日：2012-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈思莹 ,  王子睿 ,  刘人诚 ,  杨敦年 ,  刘丙寅 ,  赵兰璘

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/1469

Abstract: 一种背照式图像传感器包括位于第一衬底中的光电二极管以及第一晶体管，其中第一晶体管电连接至光电二极管。背照式图像传感器进一步包括形成在第二衬底中的多个逻辑电路，其中第二衬底堆叠在第一衬底上并且逻辑电路通过多个接合焊盘连接至第一晶体管。本发明还提供了用于背照式图像传感器的装置和方法。