公开(公告)号：CN102347209B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201110030337.3

申请日：2011-01-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俞良 ,  吴文进 ,  林俊成

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/58 ,  H01L21/66 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6836 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0652 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供了接合晶片至具有面向基板或载具的薄板的表面轮廓为可就由借由重新塑形、高度调整器、增加垫片、或借由区域温度控制而得到修改的基板接合系统及接合系统设计的修改方法。该基板接合系统包括：上部构件，其中该上部构件包括上部本体和上部薄板；以及下部构件，其中该下部构件包括：下部薄板、下部本体和用于该下部本体的一支撑结构。如此薄板的经修改的表面轮廓补偿了可能造成经接合的基板的不平坦度的影响。

公开(公告)号：CN101879700B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200910179874.7

申请日：2009-10-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俞良 ,  黄见翎 ,  汪青蓉 ,  余振华

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/005 ,  B24B57/02 ,  B24B53/017 ,  B24B55/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/306

CPC classification number: B24B57/02 ,  B24B37/107 ,  B24B53/017 ,  H01L21/02052

Abstract: 本发明是有关于一种化学机械研磨元件、晶圆的研磨方法及晶圆研磨系统，其中一种处理晶圆的化学机械研磨(CMP)元件，包含一板，以面朝上方向支撑欲进行处理的晶圆；一研磨头，面对此板，其中研磨头包含可旋转的研磨垫，当研磨垫旋转时，研磨垫可操作来接触晶圆；以及一研磨浆涂布系统，提供研磨浆给研磨垫来研磨晶圆。应用本发明可进行面朝上的晶圆的化学机械研磨工艺；因此可降低晶圆弯折，而可产生较佳的全域平坦度，进而可节省扫描机工艺窗时间，并且可缩减化学反应时间，而可缩减微影处理的碟状化或侵蚀。此外由于晶圆为面朝上，因此有较简单的原位晶圆表面监控，而具有精确研磨控制，从而更加适于实用。

公开(公告)号：CN1263106C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN02160278.6

申请日：2002-12-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊贤 ,  罗冠腾 ,  刘埃森 ,  林俞良

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/4763

Abstract: 本发明是关于一种可去除半导体晶圆表面铜氧化物及水气的系统与工艺流程，特别是有关于一种可去除半导体晶圆表面铜氧化物及水气的超临界二氧化碳系统与工艺流程，依据本发明的系统包括：超临界二氧化碳装置以形成超临界二氧化碳流体；反应前处理装置用以添加助溶剂及用以提升该超临界二氧化碳流体温度；反应腔体于与预定温度及预定压力下提供半导体晶圆与超临界化二氧化碳流体反应；终点探测器与该反应腔体连接以探测半导体晶圆的反应终点；以及回收装置以收集来自该终点探测器及该超临界二氧化碳装置的流体。

公开(公告)号：CN1217379C

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN02130579.X

申请日：2002-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张家龙 ,  罗冠腾 ,  蔡尚庭 ,  林俞良

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种去除遮蔽对准标记物质的方法，首先，提供一半导体基底，半导体基底上形成有一遮蔽层，其中半导体基底具有对准标记；接着，于半导体基底上形成一绝缘层，并定义蚀刻绝缘层以形成一浅沟道隔离区；然后，化学机械研磨半导体基底，并以蚀刻液蚀刻对准标记上的绝缘层，其中该蚀刻液蚀刻该绝缘层的速率较该遮蔽层快。

公开(公告)号：CN1514474A

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN02160278.6

申请日：2002-12-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊贤 ,  罗冠腾 ,  刘埃森 ,  林俞良

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/4763

Abstract: 本发明是关于一种可去除半导体晶圆表面铜氧化物及水气的系统与工艺流程，特别是有关于一种可去除半导体晶圆表面铜氧化物及水气的超临界二氧化碳系统与工艺流程，依据本发明的系统包括：超临界二氧化碳装置以形成超临界二氧化碳流体；反应前处理装置用以添加助溶剂及用以提升该超临界二氧化碳流体温度；反应腔体于与预定温度及预定压力下提供半导体晶圆与超临界化二氧化碳流体反应；终点探测器与该反应腔体连接以探测半导体晶圆的反应终点；以及回收装置以收集来自该终点探测器及该超临界二氧化碳装置的流体。

公开(公告)号：CN1476045A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN02130579.X

申请日：2002-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张家龙 ,  罗冠腾 ,  蔡尚庭 ,  林俞良

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种去除遮蔽对准标记物质的方法，首先，提供一半导体基底，半导体基底上形成有一遮蔽层，其中半导体基底具有对准标记；接着，于半导体基底上形成一绝缘层，并定义蚀刻绝缘层以形成一浅沟道隔离区；然后，化学机械研磨半导体基底，并以蚀刻液蚀刻对准标记上的绝缘层。

公开(公告)号：CN102347213B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201110035483.5

申请日：2011-01-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俞良 ,  吴文进 ,  林俊成

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

Abstract: 本发明提供一种薄化晶片的方法，该方法包括借由一粘着剂结合一晶片于一载体上与执行一薄化工艺于该晶片上。于该执行该薄化工艺的步骤之后，移除该粘着剂未被该晶片覆盖的一部分，而不移除该粘着剂被该晶片覆盖的部分。本发明的方法降低了对总晶片厚度变异的影响。

公开(公告)号：CN103137524A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210190020.0

申请日：2012-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱文智 ,  林俞良 ,  涂宏荣

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67173 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明涉及一种晶圆分离和清洁装置，包括自动晶圆处理模块。自动晶圆处理模块将半导体晶圆加载到用于分离工艺的晶圆分离模块中。自动晶圆处理模块从晶圆分离模块移除半导体晶圆并且将半导体晶圆加载到用于清洁工艺的晶圆清洁模块。还提供了晶圆分离和清洁装置及其使用方法。

公开(公告)号：CN102569128A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110397985.2

申请日：2011-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俞良 ,  吴文进 ,  林俊成 ,  邱文智

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  B08B7/04 ,  B08B13/00

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/68728

Abstract: 公开了一种用于清洁薄晶圆的器件和系统。一种优选实施例包括旋转夹盘，该旋转夹盘具有至少三个固定卡具。带有晶圆框架的薄晶圆通过胶带层安装在旋转夹盘上。当固定卡具打开时，晶圆框架的移除和放置不会受到阻碍。另一方面，当固定卡具锁定时，该固定卡具与晶圆框架的外边缘相接触，从而防止晶圆框架横向移动。而且，处于锁定状态的固定卡具的形状能够防止晶圆框架纵向移动。

公开(公告)号：CN102347209A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110030337.3

申请日：2011-01-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俞良 ,  吴文进 ,  林俊成

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/58 ,  H01L21/66 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6836 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0652 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供了接合晶片至具有面向基板或载具的薄板的表面轮廓为可就由借由重新塑形、高度调整器、增加垫片、或借由区域温度控制而得到修改的基板接合系统及接合系统设计的修改方法。该基板接合系统包括：上部构件，其中该上部构件包括上部本体和上部薄板；以及下部构件，其中该下部构件包括：下部薄板、下部本体和用于该下部本体的一支撑结构。如此薄板的经修改的表面轮廓补偿了可能造成经接合的基板的不平坦度的影响。