公开(公告)号：CN115842044A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211000613.6

申请日：2022-08-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊言

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。制造方法包括：图案化衬底的顶部，从而形成从衬底凸出的鳍状结构；形成跨越鳍状结构的伪栅极结构，伪栅极结构位于鳍状结构的第一部分和第二部分的正上方，从而限定具有第一宽度和第二宽度的沟道区；利用伪栅极结构作为蚀刻掩模使鳍状结构凹进，从而在伪栅极结构的两侧上形成凹槽；在凹槽中生长外延部件，外延部件在伪栅极结构的两侧上邻接鳍状结构的第一部分和第二部分；以及用金属栅极结构替代伪栅极结构，金属栅极结构与鳍状结构的第一部分和第二部分都接合。鳍状结构包括具有第一宽度的第一部分，和具有第二宽度的第二部分，第二宽度小于第一宽度。金属栅极结构与鳍状结构的第一部分和第二部分都接合。

公开(公告)号：CN113297823A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110183791.6

申请日：2021-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊言 ,  谢东衡 ,  杨宝如

IPC: G06F30/3947 ,  G06F30/398 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开涉及一种集成芯片、多重晶体管装置及其制造方法，制造方法包括：接收电路设计图的初始布局设计。初始布局设计包括设置于连续鳍片上的第一栅极电极、第二栅极电极及虚拟栅极电极。第一源极/漏极区域设置于第一栅极电极与虚拟栅极电极之间，而第二源极/漏极区域设置于第二栅极电极与虚拟栅极电极之间。上述方法还包括判断第一或第二源极/漏极区域中的至少一者是否对应电路设计图中的漏极，以及当第一或第二源极/漏极区域中的至少一者对应电路设计图中的漏极时，修改初始布局设计以增加与虚拟栅极电极有关的虚拟临界电压，以提供修改后布局设计。

公开(公告)号：CN118198066A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410203683.4

申请日：2024-02-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊言 ,  曾威程 ,  林威呈 ,  曾健庭

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/528 ,  H01L23/50 ,  H01L27/02

Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括互补场效晶体管(CFET)器件、位于CFET器件的第一侧处的电源轨以及位于CFET器件的第二侧处的导体。所述CFET器件包括局部互连件。所述第一侧是CFET器件的前侧及背侧中的一个。所述第二侧是CFET器件的前侧及背侧中的另一个。所述CFET器件的局部互连件将电源轨电耦合至导体。本申请的实施例还提供了集成电路器件制造系统。

公开(公告)号：CN118116931A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410175860.2

申请日：2024-02-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯永清 ,  鲁立忠 ,  郑仪侃 ,  曾健庭 ,  林威呈 ,  黄敬余 ,  林俊言

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种集成电路(IC)器件，包括底部半导体器件、在IC器件的厚度方向上位于底部半导体器件之上的顶部半导体器件、以及在厚度方向上在底部半导体器件和顶部半导体器件之间的多层结构。多层结构包括在底部半导体器件上的下介电层、在下介电体层上的上介电层以及在下介电层和上介电层之间的层间金属结构。层间金属结构电耦合到底部半导体器件或顶部半导体器件中的至少一个。本公开的实施例还公开了一种制造集成电路器件的方法。

公开(公告)号：CN116230705A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202210932319.2

申请日：2022-08-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王胜雄 ,  林俊言 ,  林彦宏 ,  侯元德 ,  谢东衡

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/06

Abstract: 半导体结构包括：衬底；有源区域的第一列，位于衬底上方；有源区域的第二列，位于衬底上方；以及伪填充，从顶视图观察，伪填充设置在第一列和第二列之间。伪填充包括多个伪区域。多个伪区域的第一伪区域设置在有源区域的第一列中的第一有源区域和有源区域的第二列中的第二有源区域之间。从顶视图观察，描绘第一有源区域的边缘、第一伪区域的边缘和第二有源区域的边缘的外边界线包括至少两个基本90度的弯曲。第一有源区域和第二有源区域包括掺杂有相同掺杂剂的半导体材料。本发明的实施例还涉及集成电路布局。

公开(公告)号：CN109427897A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201711284556.8

申请日：2017-12-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 范家声 ,  林俊言 ,  谢东衡 ,  杨宝如

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明实施例提供一种用于缓解包括连续有源区的器件中的泄漏电流的方法和结构。在一些实施例中，通过改变光掩模逻辑操作(LOP)以在单元边界处反转阈值电压类型来增加单元边界处的阈值电压。可选地，在一些情况中，通过在单元边界处执行阈值电压注入(例如，离子注入)并且注入设置在单元边界处的伪栅极中来增加单元边界处的阈值电压。此外，在一些实施例中，通过在单元边界处使用硅锗(SiGe)沟道来增加单元边界处的阈值电压。在一些情况中，SiGe可以设置在衬底内的单元边界处和/或SiGe可以是设置在单元边界处的伪栅极的一部分。本发明实施例还提供另外两种用于制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN220510038U

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202321412869.8

申请日：2023-06-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄仕贤 ,  刘振华 ,  张洸鋐 ,  王胜雄 ,  林俊言 ,  谢东衡 ,  杨宝如

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

Abstract: 提供一种集成电路(IC)结构，包括自基板突出的鳍片结构，包含具第一宽度的第一部分、具不同于第一宽度的第二宽度的第二部分及基板上沿第一方向连续延伸的第三部分，第一及第二宽度沿垂直第一方向的第二方向测量。IC结构包括含有接合第一部分的第一金属栅极堆叠的第一标准单元、含有接合第二部分的第二金属栅极堆叠的第二标准单元及设置于第一与第二标准单元之间的填充单元，其包括连接第一部分至第二部分的第三部分。IC结构更包括定义填充单元的第一及第二边界的介电栅极及第三金属栅极堆叠，介电栅极以单间距间隔与第三金属栅极堆叠分隔。