公开(公告)号：CN105529357B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201510559557.3

申请日：2015-09-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲诚 ,  林志翰 ,  林志忠 ,  陈诗豪 ,  林木沧 ,  张永融

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其形成方法。该方法包括接收衬底，衬底具有有源鳍、位于有源鳍上方的氧化物层、位于氧化物层上方的伪栅极堆叠件以及位于氧化物层上方和伪栅极堆叠件的侧壁上的间隔件部件。该方法还包括去除伪栅极堆叠件，从而产生第一沟槽；蚀刻第一沟槽中的氧化物层，从而产生位于间隔件部件下方的空腔；在第一沟槽和空腔中沉积介电材料；以及蚀刻第一沟槽以暴露出有源鳍，从而在空腔中留下介电材料的第一部分。本发明的实施例还涉及用于FinFET的方法和结构。

公开(公告)号：CN104810400A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201410770302.7

申请日：2014-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲诚 ,  程潼文 ,  张哲豪 ,  张永融

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 在一些实施例中，场效应晶体管(FET)结构包括主体结构、介电结构、栅极结构和源极或漏极区。在主体结构上方形成栅极结构。源极或漏极区嵌入在主体结构中并位于栅极结构旁边，并且邻接介电结构且延伸超出介电结构。源极或漏极区包括与主体结构的晶格常数不同的应力源材料。源极或漏极区包括在介电结构的顶部处的第一水平之上形成的第一区和包括在第一水平下且邻接相应的介电结构形成的向下的锥形侧壁的第二区。本发明还涉及在小平面区下方具有向下的锥形区的晶体管的嵌入式源极或漏极区。

公开(公告)号：CN104810292A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201410352654.0

申请日：2014-07-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲诚 ,  陈建颖 ,  张永融

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848

Abstract: 在一些实施例中，在一种方法中，提供其上配置有栅极结构的体结构。栅极结构包括横穿体结构的栅极侧壁。在栅极侧壁上方形成间隔件。在体结构中形成第一凹槽。第一凹槽形成在间隔件旁边并且在间隔件下面横向延伸。在第一凹槽下面形成凹槽延伸部，以延伸第一凹槽的垂直深度。生长晶格常数不同于体结构的应力源材料，使得延伸的第一凹槽被填充。本发明还提供了具有横向延伸部分的晶体管的嵌入式源极或漏极区。

公开(公告)号：CN104599970A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410308658.9

申请日：2014-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲诚 ,  陈建颖 ,  林志忠 ,  林志翰 ,  张永融

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886

Abstract: 本发明提供了用于形成半导体器件的机制的实施例。该半导体器件包括衬底。该半导体器件也包括位于衬底上方的第一鳍和第二鳍。该半导体器件还包括分别横跨在第一鳍和第二鳍上方的第一栅电极和第二栅电极。此外，该半导体器件包括位于第一鳍和第一栅电极之间以及位于第二鳍和第二栅电极之间的栅极介电层。而且，该半导体器件包括位于衬底上方的伪栅电极，并且伪栅电极位于第一栅电极和第二栅电极之间。伪栅电极的上部宽于伪栅电极的下部。

公开(公告)号：CN107038697A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610815887.9

申请日：2016-09-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈鹏任 ,  王祥保 ,  郑文豪 ,  张永融 ,  胡威仲 ,  黄奕安 ,  陈俊宏

IPC: G06T7/00

Abstract: 本发明的实施例提供了用于诊断半导体晶圆的方法和系统。根据半导体晶圆中的特定布局的图形数据系统(GDS)信息获得目标图像，其中，目标图像包括具有与特定布局对应的第一图案的第一外形。根据第一外形，执行基于图像的对准以从半导体晶圆采集原始图像。通过测量原始图像来分析半导体晶圆，从而提供诊断结果。

公开(公告)号：CN106206727A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510245445.0

申请日：2015-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲豪 ,  程潼文 ,  陈建颖 ,  张哲诚 ,  张永融

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及形成FinFET器件结构的方法。FinFET结构包括衬底和形成在衬底上的隔离结构。FinFET结构也包括在衬底之上延伸的鳍结构，并且鳍结构嵌入在隔离结构中。FinFET结构还包括形成在鳍结构上的外延结构，外延结构具有五边形形状，并且外延结构和鳍结构之间的界面低于隔离结构的顶面。

公开(公告)号：CN106206580A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510245425.3

申请日：2015-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲豪 ,  程潼文 ,  陈建颖 ,  张哲诚 ,  张永融

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及形成FinFET器件结构的方法。FinFET结构包括衬底和在衬底之上延伸的鳍结构。FinFET结构包括形成在鳍结构上的外延结构，并且外延结构具有第一高度。FinFET结构也包括形成为邻近外延结构的鳍侧壁间隔件。鳍侧壁间隔件具有第二高度，并且第一高度大于第二高度，并且鳍侧壁间隔件配置为控制外延结构的体积和第一高度。

公开(公告)号：CN104752228A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410448994.3

申请日：2014-09-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲诚 ,  陈臆仁 ,  张永融

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8232

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/265 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供了形成半导体器件结构的方法的实施例。该方法包括在半导体衬底上方形成栅极堆叠件以及在栅极堆叠件的侧壁上方形成密封结构。该方法还包括在半导体衬底、密封结构和栅极堆叠件上方形成伪遮蔽层。该方法还包括在伪遮蔽层上实施离子注入工艺以在半导体衬底中形成源极区和漏极区。此外，该方法包括在形成源极区和漏极区之后去除伪遮蔽层。