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公开(公告)号：CN105097553A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510513097.0
申请日：2015-08-20
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/324 , H01L29/26
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L21/324 , H01L29/26
Abstract: 本发明提供一种用于软性显示器的薄膜晶体管的制造方法。该软性显示器包括一基板、位于基板上的绝缘层以及位于绝缘层上方的一缓冲层。该制造方法包括：形成第一金属氧化层于缓冲层的上方；对第一金属氧化层进行高温热退火处理，使其吸收缓冲层中的大量氢原子；移除已吸收了氢原子的第一金属氧化层；以及形成一薄膜晶体管于缓冲层的上方。相比于现有技术，本发明设置一金属氧化层于缓冲层的上方，该金属氧化层在高温热退火处理之后能够吸收缓冲层内残留的大量氢原子并随后被移除，可避免因缓冲层的氢含量过高导致组件偏导体，进而改善组件的电特性。
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公开(公告)号：CN105047089A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510587074.4
申请日：2015-09-16
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: G09G3/20 , G06F3/1446 , G09G3/3208 , G09G3/34 , G09G3/36 , G09G2300/023 , G09G2300/026 , G09G2380/02
Abstract: 本发明公开一种具有无边框设计的显示系统。该显示系统包含第一显示面板、延伸显示面板以及光学覆盖层。第一显示面板具有第一可视区及邻接于第一可视区的一侧的第一边缘带。延伸显示面板至少部分叠合于第一显示面板显示影像的一侧，并包含有延伸可视区。延伸可视区于第一显示面板上的投影范围至少部分与第一边缘带重合，且与第一可视区相接。光学覆盖层同时覆盖于第一可视区及延伸可视区显示影像的一侧。
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公开(公告)号：CN106571374B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201610971546.0
申请日：2016-11-04
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种像素结构及显示面板，像素结构包括：基板、第一图案化缓冲层、第一保护层、第二图案化缓冲层以及第二保护层。第一图案化缓冲层包括第一开口。第一保护层覆盖第一图案化缓冲层，其中第一保护层填满第一开口。第二图案化缓冲层设置于第一保护层上，其中第二图案化缓冲层包括第二开口。第二保护层覆盖第二图案化缓冲层，其中第二保护层填满第二开口。此外，第二开口与第一开口在垂直投影方向上不重叠，且第一图案化缓冲层在垂直投影方向上与第二开口重叠。通过改变保护层及缓冲层的配置关系，搭配缓冲层的图案化可有效降低缓冲层发生断裂的情况，进而得到具有良好弯曲效果的显示面板，且仍能兼顾阻挡杂质与水气对显示面板元件的影响。
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公开(公告)号：CN105161509B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201510594200.9
申请日：2015-09-17
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L27/3265
Abstract: 本发明公开了一种像素结构，包括金属氧化物半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一导电层、保护层、第二导电层以及像素电极。金属氧化物半导体层包括第二半导体图案。第一绝缘层包括第一电容介电图案，其位于第二半导体图案上。第二绝缘层包括第二电容介电图案，其位于第一电容介电图案上。第一导电层包括第一电极，其位于第二电容介电图案上。保护层覆盖第一导电层。第二导电层包括一第二电极，其位于保护层上。第二电极与第二半导体图案电性连接。第二电极与第一电极重叠设置。第二半导体图案、第一电极以及第二电极构成一储存电容器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103531641B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201310535802.8
申请日：2013-11-01
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 一种薄膜晶体管及其制造方法。此薄膜晶体管包括半导体迭层、绝缘层、栅极、介电层、源极以及漏极。半导体迭层包括第一金属氧化物半导体层以及位于第一金属氧化物半导体层上的第二金属氧化物半导体层，其中第一金属氧化物半导体层的电阻值低于第二金属氧化物半导体层的电阻值。绝缘层位于半导体迭层上。栅极位于绝缘层上。介电层覆盖栅极，其中介电层具有多个接触窗开口。源极以及漏极位于介电层上且填入接触窗开口内，以与半导体迭层电性连接。
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公开(公告)号：CN105161509A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510594200.9
申请日：2015-09-17
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L27/3265
Abstract: 本发明公开了一种像素结构，包括金属氧化物半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一导电层、保护层、第二导电层以及像素电极。金属氧化物半导体层包括第二半导体图案。第一绝缘层包括第一电容介电图案，其位于第二半导体图案上。第二绝缘层包括第二电容介电图案，其位于第一电容介电图案上。第一导电层包括第一电极，其位于第二电容介电图案上。保护层覆盖第一导电层。第二导电层包括一第二电极，其位于保护层上。第二电极与第二半导体图案电性连接。第二电极与第一电极重叠设置。第二半导体图案、第一电极以及第二电极构成一储存电容器。
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公开(公告)号：CN103531641A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310535802.8
申请日：2013-11-01
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L29/6675
Abstract: 一种薄膜晶体管及其制造方法。此薄膜晶体管包括半导体迭层、绝缘层、栅极、介电层、源极以及漏极。半导体迭层包括第一金属氧化物半导体层以及位于第一金属氧化物半导体层上的第二金属氧化物半导体层，其中第一金属氧化物半导体层的电阻值低于第二金属氧化物半导体层的电阻值。绝缘层位于半导体迭层上。栅极位于绝缘层上。介电层覆盖栅极，其中介电层具有多个接触窗开口。源极以及漏极位于介电层上且填入接触窗开口内，以与半导体迭层电性连接。
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公开(公告)号：CN102427082A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110343223.4
申请日：2011-10-27
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种电激发光显示器，其包含一第一显示装置、一第二显示装置，以及一可调控式光开关单元。第一显示装置包含一第一发光元件及一第一薄膜晶体管，第二显示装置包含一第二发光元件及一第二薄膜晶体管。可调控式光开关单元设置于第一显示装置与第二显示装置之间，且可调控式光开关单元具有一透光状态与一不透光状态。
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公开(公告)号：CN102244090A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110184742.0
申请日：2011-06-28
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: H01L29/78633 , H01L27/3272 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提出一种半导体结构及应用此半导体结构的有机电致发光元件。其中，栅极与栅绝缘层配置于基板上，且栅绝缘层覆盖栅极。通道层位于栅绝缘层上，且位于栅极上方。通道层沿一通道方向上具有一通道长度L，且通道层具有第一侧边以及相对于第一侧边的一第二侧边。源极以及漏极位于通道层的相对两侧，且分别电性连接通道层的第一侧边与第二侧边。介电层覆盖源极、漏极以及通道层。导电遮光图案层配置于介电层上。导电遮光图案层跟部份源极与通道层在垂直投影上重迭，其中导电遮光图案层跟通道层具有重迭长度d1，且0.3≤d1/L≤0.85。本发明可遮挡光线直射通道层，并且不仅可以有效防止光线照射元件造成的元件特性变异，更可进一步提供良好、稳定的元件特性。
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