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公开(公告)号：CN106571374B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201610971546.0
申请日：2016-11-04
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种像素结构及显示面板，像素结构包括：基板、第一图案化缓冲层、第一保护层、第二图案化缓冲层以及第二保护层。第一图案化缓冲层包括第一开口。第一保护层覆盖第一图案化缓冲层，其中第一保护层填满第一开口。第二图案化缓冲层设置于第一保护层上，其中第二图案化缓冲层包括第二开口。第二保护层覆盖第二图案化缓冲层，其中第二保护层填满第二开口。此外，第二开口与第一开口在垂直投影方向上不重叠，且第一图案化缓冲层在垂直投影方向上与第二开口重叠。通过改变保护层及缓冲层的配置关系，搭配缓冲层的图案化可有效降低缓冲层发生断裂的情况，进而得到具有良好弯曲效果的显示面板，且仍能兼顾阻挡杂质与水气对显示面板元件的影响。
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公开(公告)号：CN106340250B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201610976637.3
申请日：2016-11-04
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G09F9/30
Abstract: 一种显示面板，包括第一基板、多条第一信号线、多条第二信号线以及多个像素电极。第一基板至少具有一可弯曲区域与二非弯曲区域，可弯曲区域位于非弯曲区域之间。第一信号线的其中一条以及第二信号线的其中一条，电性连接于至少一次像素，各次像素分别包括一控制单元，且控制单元仅设于非弯曲区域内而未设于可弯曲区域内。像素电极设置于可弯曲区域与非弯曲区域内，其中各控制单元电性连接于像素电极的其中一个。
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公开(公告)号：CN105448999B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201510872131.3
申请日：2015-12-02
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/324
Abstract: 一种制作多晶硅薄膜晶体管元件的方法，包括下列步骤。提供基板，并形成具有多个掺质的缓冲层于基板上。形成非晶硅层于具有掺质的缓冲层上。进行热制程，将非晶硅层多晶化以转换成多晶硅层，并同时将缓冲层内的一部分的掺质向外扩散至多晶硅层内以调整起始电压。图案化多晶硅层，以形成有源层。形成栅极绝缘层于有源层上。形成栅极于栅极绝缘层上。形成源极掺杂区与漏极掺杂区于有源层内。
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公开(公告)号：CN104659107B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201510101338.0
申请日：2015-03-09
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/77
Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管、显示面板以及其制造方法，该薄膜晶体管包括氧化物半导体层、栅绝缘图案、栅极、金属氧化物绝缘层、供氧层、源极以及漏极。氧化物半导体层具有源极区、漏极区以及通道区，且通道区位于源极区以及漏极区之间。栅绝缘图案位于氧化物半导体层的通道区上。栅极位于栅绝缘图案上。金属氧化物绝缘层覆盖氧化物半导体层。供氧层与金属氧化物绝缘层相接触。源极以及漏极位于供氧层的上方，且分别电连接氧化物半导体层的源极区以漏极区。此外，包括上述薄膜晶体管的显示面板及薄膜晶体管的制造方法也被提出。
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公开(公告)号：CN107658318A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710893892.6
申请日：2017-09-28
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 一种像素结构，包含第一金属层、半导体层、隔离层以及第二金属层。第一金属层设置于基板上，并包含保护部及辅助部，其中辅助部不与保护部连接。半导体层设置于第一金属层上，且半导体层于基板的垂直投影与保护部于基板的垂直投影至少部分重叠。隔离层设置于半导体层上，其中至少一第一通孔贯穿隔离层。第二金属层设置于隔离层上，并具有第一连接部及第二连接部，其中第二连接部的至少一部分位于第一通孔内，且第二连接部于基板的垂直投影与辅助部于基板的垂直投影至少部分重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118098074A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410228818.2
申请日：2024-02-29
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G09F9/30
Abstract: 本发明公开一种显示装置和显示装置的制造方法，其中该显示装置包括基板、绝缘层以及金属层。基板包括透光区，绝缘层设置在基板上，并且在基板以及金属层之间，其中绝缘层的边缘具有凹角，凹角朝向金属层凹陷并位于透光区内。
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公开(公告)号：CN116130503A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310143341.3
申请日：2023-02-21
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 一种显示面板被提出。显示面板包括像素阵列基板、第一平坦层、多个第一接垫、第一发光元件、第二平坦层、多个第二接垫及第二发光元件。第一平坦层设置在像素阵列基板上。多个第一接垫设置在第一平坦层上。第一发光元件电性接合至这些第一接垫。第二平坦层覆盖第一发光元件。多个第二接垫设置在第二平坦层上。第二发光元件电性接合至这些第二接垫。
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公开(公告)号：CN107705704A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710730067.4
申请日：2017-08-23
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G09F9/30
Abstract: 一种显示设备，包括一可挠性基板、多个像素单元、以及图案化金属层。可挠性基板具有实质上平坦的第一表面及相对第一表面的第二表面。可挠性基板包含第一部分和第二部分。第一部分具有第一厚度。第二部分具有第二厚度。第一厚度大于第二厚度。第二厚度和第一厚度的差为第三厚度。像素单元配置于可挠性基板的第一表面。图案化金属层配置于可挠性基板的第二表面对应第二部分处。图案化金属层具有第四厚度。第三厚度大于第四厚度。
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公开(公告)号：CN106571374A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610971546.0
申请日：2016-11-04
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种像素结构及显示面板，像素结构包括：基板、第一图案化缓冲层、第一保护层、第二图案化缓冲层以及第二保护层。第一图案化缓冲层包括第一开口。第一保护层覆盖第一图案化缓冲层，其中第一保护层填满第一开口。第二图案化缓冲层设置于第一保护层上，其中第二图案化缓冲层包括第二开口。第二保护层覆盖第二图案化缓冲层，其中第二保护层填满第二开口。此外，第二开口与第一开口在垂直投影方向上不重叠，且第一图案化缓冲层在垂直投影方向上与第二开口重叠。通过改变保护层及缓冲层的配置关系，搭配缓冲层的图案化可有效降低缓冲层发生断裂的情况，进而得到具有良好弯曲效果的显示面板，且仍能兼顾阻挡杂质与水气对显示面板元件的影响。
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公开(公告)号：CN105206677A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510580206.0
申请日：2015-09-14
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L21/44 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/44 , H01L29/4908 , H01L29/51 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括图案化氧化物半导体层、图案化栅极介电层、栅极、氢扩散控制层、一氢来源层、源极以及漏极。图案化氧化物半导体层设置于一基板上。图案化栅极介电层设置于图案化氧化物半导体层上。栅极设置于图案化栅极介电层上。氢扩散控制层设置于栅极与图案化氧化物半导体层上，且氢扩散控制层包覆栅极与图案化栅极介电层。氢来源层设置于氢扩散控制层以及图案化氧化物半导体层上，源极漏极设置于氢来源层上，且氢来源层的含氢量大于氢扩散控制层的含氢量。
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